講演・口頭発表等 - 黒澤 昌志
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GaAs基板に形成したSbドープGe1-x-ySixSny薄膜の低温熱電物性
椙村樹, 中田壮哉, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 片瀬貴義, 黒澤昌志
第71回応用物理学会春季学術講演会
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Pドープ/Bドープナノ結晶Si/アモルファスSi複合薄膜の熱電デバイス応用
柴田啓介, 加藤慎也, 黒澤昌志, 後藤和泰, 宮本聡, 伊藤孝至, 宇佐美徳隆, 黒川康良
第71回応用物理学会春季学術講演会
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ダブルキャビティ構造を有するSiGe平面型熱電素子
小池壮太, 柳澤亮人, 黒澤昌志, 森孝雄, 野村政宏
第71回応用物理学会春季学術講演会
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GeSiSn/GeSn二重障壁構造で観測した負性微分抵抗と動作特性解析
柴山茂久, 石本修斗, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理
第71回応用物理学会春季学術講演会
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In-situ Sbドーピングによるn型Ge0.75Sn0.25エピタキシャル層の形成
柴山茂久, 高木孝明, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理
第71回応用物理学会春季学術講演会
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真空中加熱によるGe(111)基板上GeH薄膜の層間距離変化
松本一歩, 洗平昌晃, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 黒澤昌志
第71回応用物理学会春季学術講演会
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高抵抗Si(111)基板上へのCaSi2薄膜形成と低温熱電物性評価
加藤高, 柴山茂久, 坂下満男 , 中塚理, 片瀬貴義, 黒澤昌志
第71回応用物理学会春季学術講演会
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GeSn/GeSiSn二重障壁構造における負性微分抵抗の発現
石本修斗, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 柴山茂久
第29回 電子デバイス界面テクノロジー研究会
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Al/GeSn(111)構造上への熱処理による極薄・高Sn組成GeSn表面偏析
柴山茂久, 松本泰河, 大田晃生, 横川凌, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理
第29回 電子デバイス界面テクノロジー研究会
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In-situ SbドーピングによるInP上n型Ge0.75Sn0.25エピタキシャル膜の形成
柴山茂久, 高木孝明, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理
第29回 電子デバイス界面テクノロジー研究会
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A new challenge in group-IV materials: energy harvesting application & 2D crystal synthesizing 国際会議
M. Kurosawa, A. Ohta, M. Araidai, S. Shibayama, M. Sakashita, and O. Nakatsuka
14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
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Thermoelectric properties of Sb-doped Ge1-x-ySixSny ternary alloy layers lattice matched to GaAs substrates 国際会議
I. Sugimura, M. Nakata, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, T. Katase, and M. Kurosawa
14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
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Electrical activation of implanted phosphorus in GeSn epitaxial layers grown on Si(111) substrate 国際会議
Y. Kato, M. Fukuda, S. Shibayama, M. Sakashita, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka
14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
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Thermoelectric properties of P-doped and B-doped polycrystalline silicon thin films 国際会議
K. Shibata, S. Kato, M. Kurosawa, K. Gotoh, S. Miyamoto, T. Itoh, N. Usami, and Y. Kurokawa
2023 MRS Fall Meeting & Exhibit
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Crystal Growth Technology of GeSn-related Group-IV Heteroepitaxial Layers 国際会議
O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Kurosawa, and M. Sakashita
3rd Nucleation and Growth Research Conference
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Ge1-xSnx(111)エピタキシャル層へのPイオン注入と活性化
加藤芳規, 柴山茂久, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理
第10回 応用物理学会 名古屋大学スチューデントチャプター 東海地区学術講演会
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Al/GeSn(111)構造からの偏析を用いた極薄・高Sn組成GeSnの形成
松本泰河, 大田晃生, 横川凌, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 柴山茂久
第10回 応用物理学会 名古屋大学スチューデントチャプター 東海地区学術講演会
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GeSn/GeSiSn共鳴トンネルダイオードにおける負性微分抵抗の観測
石本修斗, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 柴山茂久
第10回 応用物理学会 名古屋大学スチューデントチャプター 東海地区学術講演会
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スパッタリング法によるInP基板上へのエピタキシャルGe0.75Sn0.25形成
壁谷汰知, 柴山茂久, 高木孝明, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理
第10回 応用物理学会 名古屋大学スチューデントチャプター 東海地区学術講演会
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粉末シリカンとゲルマナンの電気的特性評価
大西康介, 上田光秀, 山田繁, 伊藤貴司, 黒澤昌志
第10回 応用物理学会 名古屋大学スチューデントチャプター 東海地区学術講演会