名古屋大学 未来材料・システム研究所 材料創製部門 特任講師

2015年10月 - 2016年12月

名古屋大学   高等研究院   特任講師

2015年5月 - 2016年12月

名古屋大学 エコトピア科学研究所 グリーンコンバージョン部門 特任講師

2015年5月 - 2015年9月

名古屋大学 エコトピア科学研究所 グリーンコンバージョン部門 研究機関研究員

2015年4月

名古屋大学   高等研究院   研究員

2015年4月

日本学術振興会 特別研究員(PD)

2012年4月 - 2015年3月

日本学術振興会 特別研究員(DC1)

2009年4月 - 2012年3月

ISCSI-IX   実行委員  

2022年   

応用物理学会東海支部   庶務幹事補佐  

2021年4月 - 2023年3月   

応用物理学会 東海地区若手チャプター   副代表庶務、web担当  

2021年1月 - 2021年12月   

第82回応用物理学会秋季学術講演会   現地実行委員  

2021年   

応用物理学会 東海地区若手チャプター   コアメンバー  

2018年 - 現在   

応用物理学会フォノンエンジニアリング研究会   実行委員  

2018年 - 現在   

2016年真空・表面科学合同講演会委員会   委員  

2016年   

ISCSI-VII/ISTDM2016   実行委員  

2016年   

文部科学省科学技術政策研究所科学技術動向研究センター   専門調査員  

2014年4月 - 2015年3月   

第６回応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 研究奨励賞

2015年3月   応用物理学会シリコンテクノロジー分科会  

第12回日本表面科学会中部支部研究会 講演奨励賞

2012年12月   日本表面科学会中部支部  

2012年応用物理学会結晶工学分科会 分科会発表奨励賞

2012年11月   応用物理学会結晶工学分科会  

第2回（平成23年度）九州大学大学院システム情報科学府優秀学生表彰

2012年3月   九州大学大学院システム情報科学府同窓会  

第29回（2010年秋季）応用物理学会講演奨励賞

2010年3月   応用物理学会  

第10回（2004年度）東京支部学生会講演奨励賞

2005年5月   電子情報通信学会  

2004年度 精励賞(学業の部)

2005年3月   茨城工業高等専門学校  

Lattice-matched growth of a high-Sn-content (x~0.1) Si1-xSnx layers on Si1-yGey buffers using molecular beam epitaxy 査読有り

K. Fujimoto, M. Kurosawa, S. Shibayama, M. Sakashita, and O. Nakatsuka

Applied Physics Express     頁： Vol. 16, No. 4, pp. 045501-1〜4   2023年4月

Heteroepitaxial growth of CaGe2 films on high-resistivity Si(111) substrates and its application for germanane synthesizing 査読有り

K. Okada, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and M. Kurosawa

Materials Science in Semiconductor Processing     頁： Vol. 161, pp. 107462-1〜6   2023年3月

Preparation and thermoelectric characterization of boron-doped Si nanocrystals/silicon oxide multilayers 査読有り

K. Shibata, S. Kato, M. Kurosawa, K. Gotoh, S. Miyamoto, N. Usami , and Y. Kurokawa

Japanese Journal of Applied Physics     頁： Vol. 62, No. SC, pp. SC1074-1〜8   2023年2月

Superior Power Generation Capacity of GeSn over Si Demonstrated in Cavity-free Thermoelectric Device Architecture 査読有り

M. M. H. Mahfuz, K. Katayama, Y. Ito, K. Fujimoto, M. Tomita, M. Kurosawa, T. Matsuki, and T. Watanabe

Japanese Journal of Applied Physics     頁： Vol. 62, No. SC, pp. SC1058-1〜6   2023年2月

Investigation of Band Structure in Strained Single Crystalline Si1-xSnx 査読有り

K. Sahara, R. Yokogawa, Y. Shibayama, Y. Hibino, M. Kurosawa, and A. Ogura

ECS Transactions     頁： Vol. 109, No. 4, pp. 359-366   2022年9月

Sn-incorporation effect on thermoelectric properties of Sb-doped Ge-rich Ge1−x−ySixSny epitaxial layers grown on GaAs(001) 査読有り

M. Kurosawa, M. Nakata, T. Zhan, M. Tomita, T. Watanabe, and O. Nakatsuka

Japanese Journal of Applied Physics     頁： Vol. 61, No. SC, pp. SC1048-1〜6   2022年7月

High-pressure polycrystalline thin-film synthesis and semiconducting property of platinum pernitride 査読有り

K. Niwa, T. Iizuka, M. Kurosawa, Y. Nakamura, H. O. Valencia, H. Kishida, O. Nakatsuka, T. Sasaki, N. Gaida, and M. Hasegawa

AIP Advances     頁： Vol. 12, Issue 5, pp.055318-1〜5   2022年5月

Solid-phase crystallization of ultra-thin amorphous Ge layers on insulators 査読有り

R. Oishi, K. Asaka, L. Bolotov, N. Uchida, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka

Japanese Journal of Applied Physics     頁： Vol. 61, No. SC, pp. SC1086-1～6   2022年4月

Crystal structure change in multilayer GeH flakes by hydrogen desorption under ultrahigh vacuum environments 査読有り

M. Itoh, M. Araidai, A. Ohta, O. Nakatsuka, and M. Kurosawa

Japanese Journal of Applied Physics     頁： Vol. 61, No. SC, pp. SC1048-1〜6   2022年2月

Constructed Ge quantum dots and Sn precipitate SiGeSn hybrid film with high thermoelectric performance at low temperature region 査読有り

Y. Peng, L. Miao, C. Liu, H. Song, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, S. Y. Back, J. S. Rhyee, M. Murata, S. Tanemura, T. Baba, T. Baba, T. Ishizaki, and T. Mori

Advanced Energy Materials     頁： Vol. 12, Issue 2, 2103191-1〜9   2021年11月

Thermoelectric properties of tin-incorporated group-IV thin films 査読有り

M. Kurosawa and O. Nakatsuka

ECS Transactions     頁： Vol. 104, No. 4, pp. 183-189   2021年10月

Reinforcement of power factor in N-type multiphase thin film of Si1-x-yGexSny by mitigating the opposing behavior of Seebeck coefficient and electrical conductivity 査読有り

H. Lai, Y. Peng, J. Gao, H. Song, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, T. Takeuchi, and L. Miao

Applied Physics Letters     頁： Vol. 119, Issue 11, pp. 113903-1〜6   2021年9月

Formation and Characterization of Ge1–x–YSixSny/Ge Hetero Junction Structures for Photovoltaic Cell Application 査読有り

O. Nakatsuka, S. Asaba, M. Kurosawa, M. Sakashita, N. Taoka, and S. Zaima

ECS Transactions     頁： Vol. 102, No. 4, pp. 3-9   2021年5月

Close-spaced evaporation of CaGe2 films for scalable GeH film formation 査読有り

K. O. Hara, S. Kunieda, J. Yamanaka, K. Arimoto, M. Itoh, and M. Kurosawa

Materials Science in Semiconductor Processing     頁： Vol. 132, pp. 105928-1〜6   2021年5月

No external load measurement strategy for micro thermoelectric generator based on high-performance Si1-x-yGexSny film 査読有り

Y. Peng, S. Zhu, H. Lai, J. Gao, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, S. Tanemura, B. Peng, and L. Miao

Journal of Materiomics     頁： Vol. 7, Issue 4, pp. 665-671   2020年12月

Silicon‐based low-dimensional materials for Thermal Conductivity Suppression: Recent Advances and New Strategies to High Thermoelectric Efficiency 査読有り

H. Lai, Y. Peng, J. Gao, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, T. Takeuchi, and L. Miao

Japanese Journal of Applied Physics     頁： Vol. 60, No. SA, pp. SA0803-1〜15   2020年10月

Evaluation of Strain-Shift Coefficients for SiSn by Raman Spectroscopy 査読有り

R. Yokogawa, M. Kurosawa, and A. Ogura

ECS Transactions     頁： Vol. 98, No. 5, pp. 291-300   2020年9月

Hydrogen Desorption from Silicane and Germanane Crystals: Toward Creation of Free-Standing Monolayer Silicene and Germanene 査読有り

M. Araidai, M. Itoh, M. Kurosawa, A. Ohta, and K. Shiraishi

Journal of Applied Physics     頁： Vol. 128, Issue 12, pp. 125301-1〜5   2020年9月

Heteroepitaxy and Strain Engineering of Germanium-Silicon-Tin Ternary Alloy Semiconductor Thin Films for Energy Band Design 査読有り

O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Kurosawa, and M. Sakashita

ECS Transactions     頁： Vol. 98, No. 5, pp. 149-156   2020年9月

Realizing high thermoelectric performance in p-type Si1-x-yGexSny thin films at ambient temperature by Sn modulation doping 査読有り

Y. Peng, H. Lai, C. Liu, J. Gao, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, T. Takeuchi, S. Zaima, S. Tanemura, and L. Miao

Applied Physics Letters     頁： Vol. 117, Issue 5, pp. 053903-1〜5   2020年8月

Design of a Planar-type Uni-leg SiGe Thermoelectric Generator 査読有り

S. Koike, R. Yanagisawa, M. Kurosawa, and M. Nomura

Japanese Journal of Applied Physics     頁： Vol. 59, No. 7, pp. 074003-1〜5   2020年7月

Continuous Growth of Germanene and Stanene Lateral Heterostructures 査読有り

T. Ogikubo, H. Shimazu, Y. Fujii, K. Ito, A. Ohta, M. Araidai, M. Kurosawa, G. L. Lay, J. Yuhara

Advanced Materials Interfaces     頁： Vol. 7, No. 10, pp. 1902132-1〜7   2020年3月

Preparation and thermoelectric characterization of phosphorus-doped Si nanocrystals/silicon oxide multilayers 査読有り

H. Kobayashi, R. Akaishi, S. Kato, M. Kurosawa, N. Usami, and Y. Kurokawa

Japanese Journal of Applied Physics     頁： Vol. 59, No. SG, pp. SGGF09-1〜6   2020年2月

Formation of Ultrathin Segregated-Ge Crystal on Al/Ge(111) Surface 査読有り

M. Kobayashi, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, N. Taoka, T. Shimizu, K. Makihara, and S. Miyazaki

Japanese Journal of Applied Physics     頁： Vol. 59, No. SG, pp. SGGK15-1〜6   2020年2月

分子線エピタキシー法によるSi1-xSnx薄膜の形成

丹下龍志, 黒澤昌志, 中塚理

電子デバイス界面テクノロジー研究会（第25回）     頁： pp. 125-128   2020年1月

多結晶Si1-x-yGexSny三元混晶薄膜の熱電特性制御

中塚理, 彭英, 苗蕾, 高杰, 刘呈燕, 黒澤昌志, 財満鎭明

電子デバイス界面テクノロジー研究会（第25回）     頁： pp. 117-120   2020年1月

Semi-ballistic thermal conduction in polycrystalline SiGe nanowires 査読有り

N. Okamoto, R. Yanagisawa, A. Roman, Md. M. Alam, K. Sawano, M. Kurosawa, and M. Nomura

Applied Physics Letters     頁： Vol.115, Issue 25, pp. 253101-1〜4   2019年12月

Development of Germanium-Tin-Related Semiconductor Heterostructures for Energy Band Design in Electronic and Optoelectronic Applications 査読有り

O. Nakatsuka, M. Fukuda, M. Sakashita, M. Kurosawa, S. Shibayama, and S. Zaima

ECS Transactions     頁： Vol. 92, Issue 4, pp. 41-46   2019年10月

Realizing High Thermoelectric Performance at Ambient Temperature by Ternary Alloying in Polycrystalline Si1-x-yGexSny Thin Films with Boron Ion Implantation 査読有り

Y. Peng, L. Miao, J. Gao, C. Liu, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Scientific Reports     頁： Vol. 9, No.1, pp.14342-1〜9   2019年10月

ゲルマニウム錫Ⅳ族混晶薄膜の結晶成長と電子物性 招待有り 査読有り

中塚理, 黒澤昌志

応用物理     頁： Vol. 88, No. 9, pp. 597-603   2019年9月

Formation and Optoelectronic Property of Strain-relaxed Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny Double Heterostructure on Boron-Ion-Implanted Ge(001) Substrate 査読有り

M. Fukuda, D. Rainko, M. Sakashita, M. Kurosawa, D. Buca, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Japanese Journal of Applied Physics     頁： Vol. 58, No. SI, pp. SIIB23-1〜6   2019年7月

Operation of thin-film thermoelectric generator of Ge-rich poly-Ge1-xSnx on SiO2 fabricated by a low thermal budget process 査読有り

K. Takahashi, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, S. Zaima, and M. Kurosawa

Applied Physics Express     頁： Vol. 12, No. 5, pp. 051016-1〜6   2019年5月

GaSb(001)基板上に形成したSi1-xSnx薄膜の結晶構造評価

丹下龍志, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

電子デバイス界面テクノロジー研究会（第24回）     頁： pp. 71-74   2019年1月

ノンドープ組成傾斜SiGeワイヤの微小ゼーベック係数測定

熊田剛大, 中村俊貴, 富田基裕, 中田壮哉, 高橋恒太, 黒澤昌志, 渡邉孝信

電子デバイス界面テクノロジー研究会（第24回）     頁： pp. 197-200   2019年1月

高Si組成Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny二重ヘテロ構造のエネルギーバンド構造および光電特性評価

福田雅大, 坂下満男, 柴山茂久, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

電子デバイス界面テクノロジー研究会（第24回）     頁： pp. 265-268   2019年1月

Synthesis of heavily Ga-doped Si1-xSnx/Si heterostructures and their valence-band-offset determination 査読有り

M. Kurosawa, Y. Inaishi, R. Tange, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Japanese Journal of Applied Physics     頁： Vol. 58, No. SA, pp. SAAD02-1〜4   2018年11月

Germanene Epitaxial Growth by Segregation through Ag(111) Thin Films on Ge(111) 査読有り

J. Yuhara, H. Shimazu, K. Ito, A. Ohta, M. Araidai, M. Kurosawa, M. Nakatake, and G. Le Lay

ACS Nano     頁： Vol. 12, Issue 11, pp. 11632-11637   2018年10月

Optoelectronic properties of High-Si-content-Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny Double-Heterostructure 査読有り

M. Fukuda, D. Rainko, M. Sakashita, M. Kurosawa, D. Buca, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Semiconductor Science and Technology     頁： Vol. 33, No. 12, pp. 124018-1〜9   2018年10月

Ultra-thin Germanium-Tin on Insulator structure through the direct bonding technique 査読有り

T. Maeda, W. H. Chang, T. Irisawa, H. Ishii, H. Oka, M. Kurosawa, Y. Imai, O. Nakatsuka, and N. Uchida

Semiconductor Science and Technology     頁： Vol. 33, No. 12, pp. 124002-1〜5   2018年10月

Evaluation of Laterally Graded Silicon Germanium Wires for Thermoelectric Devices Fabricated by Rapid Melting Growth 査読有り

R. Yokogawa, S. Hashimoto, K. Takahashi, S. Oba, M. Tomita, M. Kurosawa, T. Watanabe, and A. Ogura

ECS Transactions     頁： Vol. 86, Issue 7, pp. 87-93   2018年9月

A New Application of Ge1-xSnx: Thermoelectric Materials 査読有り

M. Kurosawa, Y. Imai, T. Iwahashi, K. Takahashi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

ECS Transactions     頁： Vol. 86, issue 7, pp. 321-328   2018年9月

エネルギーハーベスティング応用に向けたIV族混晶（Ge1-xSnx）薄膜の結晶成長 招待有り 査読有り

黒澤昌志

日本熱電学会学会誌     頁： Vol. 15, No.1, pp.26-31   2018年8月

Growth of two-dimensional Ge crystal by annealing of heteroepitaxial Ag/Ge(111) under N2 ambient 査読有り

K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

Japanese Journal of Applied Physics     頁： Vol. 57, No. 6S1, pp. 06HD08-1〜5   2018年5月

Segregated SiGe Ultrathin Layer Formation and Surface Planarization on Epitaxial Ag(111) by Annealing of Ag/SiGe(111) with Different Ge/(Si+Ge) Compositions 査読有り

K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

Japanese Journal of Applied Physics     頁： Vol. 57, No. 4S, pp. 04FJ05-1〜6   2018年3月

Dopant behavior in heavily doped polycrystalline Ge1-xSnx layers prepared with pulsed laser annealing in water 査読有り

K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Japanese Journal of Applied Physics     頁： Vol. 57, No. 4S, pp. 04FJ02-1〜6   2018年2月

High n-type Sb dopant activation in Ge-rich poly-Ge1-xSnx layers on SiO2 using pulsed laser annealing in flowing water 査読有り

K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Applied Physics Letters     頁： Vol. 112, Issue 6, pp. 062104-1〜5   2018年2月

Self-organized lattice-matched epitaxy of Si1-xSnx alloys on (001)-oriented Si, Ge, and InP substrates 査読有り

M. Kurosawa, M. Kato, K. Takahashi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Applied Physics Letters     頁： Vol. 111, Issue 19, pp. 192106-1〜4   2017年11月

Control of Ge1-x-ySixSny layer lattice constant for energy band alignment in Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny heterostructures 査読有り

M. Fukuda, K. Watanabe, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Semiconductor Science and Technology     頁： Vol. 32, No. 10, pp. 104008-1〜8   2017年9月

First-principles study on adsorption structures and electronic states of stanene on α-alumina surface 査読有り

M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, and K. Shiraishi

Japanese Journal of Applied Physics     頁： Vol. 56, No. 9, pp. 095701-1〜4   2017年8月

Growth and Applications of Si1-xSnx Thin Films 査読有り

M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

ECS Transactions     頁： Vol. 80, Issue 4, pp. 253-258   2017年8月

エピタキシャルAg(111)上の極薄IV族結晶形成

伊藤公一, 大田晃生, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一

電子情報通信学会 信学技報     頁： Vol. 117, No. 101, pp. 43-48   2017年6月

Evaluation of energy band offset of Si1-xSnx semiconductors by numerical calculation using density functional theory 査読有り

Y. Nagae, M. Kurosawa, M. Araidai, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, and S. Zaima

Japanese Journal of Applied Physics     頁： Vol. 56, No. 4S, pp.04CR10-1〜5   2017年3月

Low-temperature crystallization of Ge-rich GeSn layers on Si3N4 substrate 査読有り

I. Yoshikawa, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Materials Science in Semiconductor Processing     頁： Vol. 70, pp. 151-155   2017年1月

水中パルスレーザアニールを用いた多結晶Ge1-xSnx層中Sbの高活性化

高橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

電子デバイス界面テクノロジー研究会（第22回）     頁： pp. 67-70   2017年1月

Hydrogen-surfactant-mediated epitaxy of Ge1-x Snx layer and its effects on crystalline quality and photoluminescence property 査読有り

O. Nakatsuka, S. Fujinami, T. Asano, T. Koyama, M. Kurosawa, M. Sakashita, H. Kishida, and S. Zaima

Japanese Journal of Applied Physics     頁： Vol. 56, No. 1S, pp. 01AB05-1〜6   2016年12月

Solid-phase crystallization of Si1-x-ySnxCy ternary alloy layers and characterization of their crystalline and optical properties 査読有り

S. Yano, T. Yamaha, Y. Shimura, W. Takeuchi, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Japanese Journal of Applied Physics     頁： Vol. 56, No. 1S, pp. 01AB02-1〜7   2016年11月

Large single-crystal Ge-on-insulator by thermally-assisted (~400C) Si-seeded-pulse-laser annealing 査読有り

T. Sadoh, M. Kurosawa, A. Heya, N. Matsuo, and M. Miyao

Materials Science in Semiconductor Processing     頁： Vol. 70, pp. 8-11   2016年11月

Formation and characterization of Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny double heterostructures with strain-controlled Ge1-x-ySixSny layers 査読有り

M. Fukuda, T. Yamaha, T. Asano, S. Fujinami, Y. Shimura, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Materials Science in Semiconductor Processing     頁： Vol. 70, pp. 156-161   2016年10月

Thermoelectric Properties of Ge-Rich GeSn Films Grown on Insulators 査読有り

M. Kurosawa, K. Liu, M. Izawa, I. Tsunoda, and S. Zaima

ECS Transactions     頁： Vol. 75, Issue 8, pp. 481-487   2016年9月

金属誘起層交換法によるAg上Si, Ge極薄膜の形成 ーシリセン, ゲルマネンの創製を目指してー 招待有り 査読有り

黒澤昌志, 大田晃生, 洗平昌晃, 財満鎭明

表面科学     頁： Vol. 37, No. 8, pp. 374-379   2016年8月

Density functional study for crystalline structures and electronic properties of Si1-xSnx binary alloys 査読有り

Y. Nagae, M. Kurosawa, S. Shibayama, M. Araidai, M. Sakashita, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, and S. Zaima

Japanese Journal of Applied Physics     頁： Vol. 55, No. 8S2, pp. 08PE04-1〜4   2016年7月

Surface-segregated Si and Ge ultrathin films formed by Ag-induced layer exchange process 査読有り

M. Kurosawa, A. Ohta, M. Araidai, and S. Zaima

Japanese Journal of Applied Physics     頁： Vol. 55, No. 8S1, pp. 08NB07-1〜5   2016年7月

Sn系IV族半導体混晶薄膜の成長と物性評価

志村洋介, 竹内和歌奈, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

電子情報通信学会 信学技報     頁： Vol. 116, No. 1, pp. 23-26   2016年4月

Growth of ultrahigh-Sn-content Ge1-xSnx epitaxial layer and its impact on controlling Schottky barrier height of metal/Ge contact 査読有り

A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, and S. Zaima

Japanese Journal of Applied Physics     頁： Vol. 55, No. 4S, pp. 04EB12-1〜6   2016年3月

Effect of in situ Sb doping on crystalline and electrical characteristics of n-type Ge1-xSnx epitaxial layer 査読有り

J. Jeon, T. Asano, Y. Shimura, W. Takeuchi, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Japanese Journal of Applied Physics     頁： Vol. 55, No. 4S, pp. 04EB13-1〜5   2016年3月

Low thermal budget n-type doping into Ge(001) surface using ultraviolet laser irradiation in phosphoric acid solution 査読有り

K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Applied Physics Letters     頁： Vol. 108, Issue 5, pp. 052104-1〜4   2016年2月

界面エネルギー制御による絶縁膜上GeSn薄膜の低温結晶成長

吉川勲, 黒澤昌志, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

電子デバイス界面テクノロジー研究会（第21回）     頁： pp. 21-24   2016年1月

Si1–xSnx半導体のエネルギーバンド構造に関する理論的および実験的分析

長江祐樹, 柴山茂久, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 中塚理, 白石賢二, 財満鎭明

電子デバイス界面テクノロジー研究会（第21回）     頁： pp. 17-20   2016年1月

Mobility Behavior of Polycrystalline Si1-x-yGexSny Grown on Insulators 査読有り

T. Ohmura, T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Transaction of the Materials Research Society of Japan     頁： Vol. 40, No. 4, pp. 351-354   2015年12月

Defect and dislocation structures in low-temperature-grown Ge and Ge1-xSnx epitaxial layers on Si(110) substrates 査読有り

S. Kidowaki, T. Asano, Y. Shimura, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Thin Solid Films     頁： Vol. 598, 1 January 2016, pp. 72–81   2015年12月

Reduction of Schottky barrier height at metal/n-Ge interface by introducing an ultra-high Sn content Ge1-xSnx interlayer 査読有り

A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, and S. Zaima

Applied Physics Letters     頁： Vol. 107, Issue 21, pp. 212103-1〜5   2015年11月

Challenges of Energy Band Engineering with New Sn-Related Group IV Semiconductor Materials for Future Integrated Circuits 査読有り

S. Zaima, O. Nakatsuka, T. Yamaha, T. Asano, S. Ike, A. Suzuki, M. Kurosawaa, W. Takeuchi, M. Sakashita

ECS Transactions     頁： Vol. 69, Issue 10, pp. 89-98   2015年10月

High hole mobility tin-doped polycrystalline germanium layers formed on insulating substrates by low-temperature solid-phase crystallization 査読有り

W. Takeuchi, N. Taoka, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Applied Physics Letters     頁： Vol. 107, Issue 2, pp.022103-1〜4   2015年7月

Growth and Application of GeSn-Related Group-IV Semiconductor Materials 招待有り 査読有り

S. Zaima, O. Nakatsuka, N. Taoka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, and M. Sakashita

Science and Technology of Advanced Materials     頁： Vol.16, Issue 4, pp. 043502-1〜22   2015年7月

Characterization of locally strained Ge1-xSnx/Ge fine structures by synchrotron X-ray microdiffraction 査読有り

S. Ike, O. Nakatsuka, Y. Moriyama, M. Kurosawa, N. Taoka, Y. Imai, S. Kimura, T. Tezuka, and S. Zaima

Applied Physics Letters     頁： Vol. 106, Issue 18, pp. 182104-1〜5   2015年5月

Near-infrared light absorption by polycrystalline SiSn alloys grown on insulating layers 査読有り

M. Kurosawa, M. Kato, T. Yamaha, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Applied Physics Letters     頁： Vol. 106, Issue 17, pp. 171908-1〜5   2015年4月

高Sn組成SiSnの形成とバンド構造 〜直接遷移構造化を目指して〜

黒澤昌志, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

電子情報通信学会 信学技報     頁： Vol. 115, No. 18, pp. 35-37   2015年4月

Formation, crystalline structure, and optical properties of Ge1-x-ySnxCy ternary alloy layers 査読有り

T. Yamaha, K. Terasawa, H. Oda, M. Kurosawa, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Japanese Journal of Applied Physics     頁： Vol. 54, Issue 4S, pp. 04DH08-1〜6   2015年2月

Effect of Sn on crystallinity and electronic property of low temperature grown polycrystalline-Si1-x-yGexSny layers on SiO2 査読有り

T. Yamaha, M. Kurosawa, T. Ohmura, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Solid State Electronics     頁： Vol. 110, pp. 54-58   2015年2月

Epitaxial growth and crystalline properties of Ge1-x-ySixSny layers on Ge(001) substrates 査読有り

T. Asano, T. Terashima, T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Solid State Electronics     頁： Vol. 110, pp. 49-53   2015年2月

Sn/Ge コンタクトにおけるフェルミレベルピニングの軽減およびショットキー障壁高さの低減

鈴木陽洋, 鄧云生, 柴山茂久, 黒澤昌志, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第20回研究会）     頁： pp. 59-62   2015年1月

Operation of inverter and ring oscillator of ultrathin-body poly-Ge CMOS 査読有り

Y. Kamata, M. Koike, E. Kurosawa, M. Kurosawa, H. Ota, O. Nakatsuka, S. Zaima, and T. Tezuka

Applied Physics Express     頁： Vol. 7, No. 12, pp.121302-1〜4   2014年11月

Comprehensive study of Al-induced layer-exchange growth for orientation-controlled Si crystals on SiO2 substrates 査読有り

M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao

Journal of Applied Physics     頁： Vol. 116, Issue17, pp.173510-1〜8   2014年11月

Epitaxial Growth of GeSn Layers on (001), (110), and (111) Si and Ge Substrates 査読有り

O. Nakatsuka, N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, S. Ike, M. Kurosawa, W. Takeuchi, and S. Zaima

ECS Transactions     頁： Vol. 64, Issue 6, pp. 793-799   2014年10月

Sn/Geコンタクトにおけるフェルミレベルピニング現象の軽減

鈴木陽洋, 朝羽俊介, 横井淳, 中塚理, 黒澤昌志, 加藤公彦, 坂下満男, 田岡紀之, 財満鎭明

電子情報通信学会 信学技報　     頁： vol. 114, no. 88, pp. 11-16   2014年6月

絶縁膜上における IV 族半導体の低温形成　〜低融点 Sn の活用〜

黒澤昌志, 田岡紀之, 池上浩, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

電子情報通信学会 信学技報　     頁： vol. 114, no. 88, pp. 91-95   2014年6月

Dynamics Analysis of Rapid-Melting Growth Using SiGe on Insulator 査読有り

R. Matsumura, Y. Tojo, M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao

Thin Solid Films     頁： Vol. 557, pp. 125–128   2014年4月

Coherent Lateral-Growth of Ge over Insulating Film by Rapid-Melting-Crystallization 査読有り

T. Sadoh, M. Kurosawa, K. Toko, and M. Miyao

Thin Solid Films     頁： Vol. 557, pp. 135–138   2014年4月

Influence of Ge Substrate Orientation on Crystalline Structures of Ge1-xSnx Epitaxial Layers 査読有り

T. Asano, S. Kidowaki, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Thin Solid Films     頁： Vol. 557, pp. 159–163   2014年4月

Formation and characterization of locally strained Ge1-xSnx/Ge microstructures 査読有り

S. Ike, Y. Moriyama, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, Y. Imai, S. Kimura, T. Tezuka, and S. Zaima

Thin Solid Films     頁： Vol. 557, pp. 164–168   2014年4月

Reduction of Schottky Barrier Height for n-type Ge Contact by using Sn Electrode 査読有り

A. Suzuki, S. Asaba, J. Yokoi, K. Kato, M. Kurosawa, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Japanese Journal of Applied Physics     頁： Vol. 53, Issue 4S, pp. 04EA06-1〜5   2014年3月

Giant-lateral-growth of SiGe stripes on insulating-substrate by self-organized-seeding and melt-back-growth in solid-liquid coexisting region 査読有り

R. Matsumura, R. Kato, Y. Tojo, M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao

Electrochemical and Solid-State Letters     頁： Vol. 3, Isuue 5, pp. P61-P64   2014年3月

Large grain growth of Ge-rich Ge1-xSnx (x=0.02) on insulating surfaces using pulsed laser annealing in flowing water 査読有り

M. Kurosawa, N. Taoka, H. Ikenoue, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Applied Physics Letters     頁： Vol. 104, Issue 6, pp. 061901-1〜4   2014年2月

Characterization of Local Strain Structures in Heteroepitaxial Ge1-xSnx/Ge Microstructures by using Microdiffraction Method 査読有り

S. Ike, Y. Moriyama, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, Y. Imai, S. Kimura, T. Tezuka, and S. Zaima

ECS Transactions     頁： Vol. 58, Issue 9, pp. 185-192   2013年10月

Heteroepitaxial Growth of Sn-Related Group-IV Materials on Si Platform for Microelectronic and Optoelectronic Applications: Challenges and Opportunitiesi 査読有り

O. Nakatsuka, N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, M. Kurosawa, M. Sakashita, and S. Zaima

ECS Transactions     頁： Vol. 58, Issue 9, pp. 149-155   2013年10月

Low-Temperature Metal-Induced Crystallization of Orientation-Controlled SiGe on Insulator for Flexible Electronics 査読有り

T. Sadoh, J.-H. Park, M. Kurosawa, and M. Miyao

ECS Transactions     頁： Vol. 58, Issue 9, pp. 213-221   2013年10月

Liquid-Sn-driven lateral growth of poly-GeSn on insulator assisted by surface oxide layer 査読有り

M. Kurosawa, N. Taoka, M. Sakashita, O. Nakatsuka, M. Miyao, and S. Zaima

Applied Physics Letters     頁： Vol. 103, Issue 11, pp. 101904-1〜4   2013年9月

Nucleation-controlled gold-induced crystallization for selective formation of Ge(100) and (111) on insulator at low-temperature (~250oC) 査読有り

J.-H. Park, T. Suzuki, M. Kurosawa, M. Miyao, and T. Sadoh

Applied Physics Letters     頁： Vol. 103, Issue 8, pp. 082102-1〜4   2013年8月

Temperature dependent Al-induced crystallization of amorphous Ge thin films on SiO2 substrates 査読有り

K. Toko, N. Fukata, K. Nakazawa, M. Kurosawa, N. Usami, M. Miyao, T. Suemasu

Journal of Crystal Growth     頁： Vol. 372, pp. 189–192   2013年6月

High-quality formation of multiply stacked SiGe-on-insulator structures by temperature-modulated successive rapid-melting-growth 査読有り

Y. Tojo, R. Matsumura, H. Yokoyama, M. Kurosawa, K. Toko, T. Sadoh, and M. Miyao

Applied Physics Letters     頁： Vol. 102, Issue 2, pp. 092102-1〜4   2013年3月

Atomically-coherent-coalescence of two growth-fronts in Ge stripes on insulator by rapid-melting lateral-crystallization 査読有り

M. Kurosawa, K. Toko, T. Sadoh, I. Mizushima, and M. Miyao

ECS Journal of Solid State Science and Technology     頁： Vol. 2, Issue 3, pp. P54-P57   2012年12月

Growth-rate-dependent laterally graded SiGe profiles on insulator by cooling-rate controlled rapid-melting-growth 査読有り

R. Matsumura, Y. Tojo, M. Kurosawa, T. Sadoh, I. Mizushima, and M. Miyao

Applied Physics Letters     頁： Vol. 101, Issue 24, pp. 241904-1〜5   2012年12月

Formation of Large Grain SiGe on Insulator by Si Segregation in Seedless-Rapid-Melting Process 査読有り

R. Kato, M. Kurosawa, R. Matsumura, T. Sadoh, and M. Miyao

ECS Transactions     頁： Vol. 50, Issue 9, pp. 431-436   2012年10月

(Invited) Hybrid-Formation of Ge-on-Insulator Structures on Si Platform by SiGe-Mixing-Triggered Rapid-Melting Growth --- A Road to Artificial Crystal --- 査読有り

M. Miyao, M. Kurosawa, K. Toko, Y. Tojo, and T. Sadoh

ECS Transactions     頁： Vol. 50, Issue 5, pp. 59-70   2012年10月

Formation of Graded SiGe on Insulator by Segregation-Controlled Rapid-Melting- Growth 査読有り

R. Matsumura, Y. Tojo, H. Yokoyama, M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao

ECS Transactions     頁： Vol. 50, Issue 9, pp. 747-751   2012年10月

Formation of Large-Grain Ge(111) Films on Insulator by Gold-Induced Layer-Exchange Crystallization at Low Temperature Poster Session 査読有り

J.-H. Park, T. Suzuki, M. Kurosawa, M. Miyao, and T. Sadoh

ECS Transactions     頁： Vol. 50, Issue 9, pp. 475-480   2012年10月

Single-crystalline laterally-graded GeSn on insulator structures by segregation controlled rapid-melting growth 査読有り

M. Kurosawa, Y. Tojo, R. Matsumura, T. Sadoh, and M. Miyao

Applied Physics Letters     頁： Vol. 101, Issue 9, pp. 091905-1〜4   2012年8月

Highly (111)-oriented Ge thin films on insulators formed by Al-induced crystallization 査読有り

K. Toko, M. Kurosawa, N. Saitoh, N. Yoshizawa, N. Usami, M. Miyao, and T. Suemasu

Applied Physics Letters     頁： Vol. 101, Issue 7, pp. 072106-1〜3   2012年8月

Enhanced Interfacial-Nucleation in Al-Induced Crystallization for (111) Oriented Si1-xGex (0<x<1) Films on Insulating Substrates 査読有り

M. Kurosawa, N. Kawabata, T. Sadoh, and M. Miyao

ECS Journal of Solid State Science and Technology     頁： Vol. 1, Issue 3, pp. P144-P147   2012年8月

SiGeミキシング誘起溶融成長によるGOI（Ge on Insulator）の形成―人工単結晶への道― 招待有り 査読有り

宮尾正信，佐道泰造，都甲薫，黒澤昌志

応用物理     頁： Vol. 81, No. 5, pp. 410-414   2012年5月

Hybrid-orientation Ge-on-insulator structures on (100) Si platform by Si micro-seed formation combined with rapid-melting growth 査読有り

M. Kurosawa, N. Kawabata, T. Sadoh, and M. Miyao

Applied Physics Letters     頁： Vol. 100, Issue 17, pp. 172107-1〜5   2012年4月

界面酸化膜挿入型 Au 誘起層交換成長法による大粒径 Ge(111)/絶縁膜の低温成長-界面酸化膜厚依存性-

鈴木恒晴, パク・ジョンヒョク, 黒澤昌志, 宮尾正信, 佐道泰造

電子情報通信学会 信学技報　     頁： vol. 112, no. 18, pp. 71-73   2012年4月

絶縁膜上におけるGe(Si)薄膜の溶融成長 〜Si偏析効果による大粒径化〜

加藤立奨，黒澤昌志，横山裕之，佐道泰造，宮尾正信

電子情報通信学会 信学技報　     頁： vol. 112, no. 18, pp. 61-62   2012年4月

Enhancement of SiN-Induced Compressive and Tensile Strains in Si Free-Standing Microstructures by Modulation of SiN Network Structures 査読有り

T. Sadoh, M. Kurosawa, A. Heya, N. Matsuo, M. Miyao

Thin Solid Films     頁： Vol. 520, Issue 8, pp. 3276–3278   2012年2月

Low Temperature (~250oC) Layer Exchange Crystallization of Si1-xGex (x= 1-0) on Insulator for Advanced Flexible Devices 査読有り

J.-H. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh

Thin Solid Films     頁： Vol. 520, Issue 8, pp. 3293–3295   2012年2月

Au-catalyst induced low temperature (~250oC) layer exchange crystallization for SiGe on insulator 査読有り

J.-H. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh

ECS Transactions     頁： Vol. 35, Issue 5, pp. 39-42   2011年5月

Lateral-liquid phase epitaxy of (101) Ge-on-insulator from Si template by metal-induced crystallization 査読有り

M. Kurosawa, N. Kawabata, R. Kato, T. Sadoh, and M. Miyao

ECS Transactions     頁： Vol. 35, Issue 5, pp. 51-54   2011年5月

Low-temperature (~250oC) Cu-induced lateral crystallization of Ge on insulator 査読有り

T. Sadoh, M. Kurosawa, T. Hagihara, K. Toko, and M. Miyao

Electrochemical and Solid-State Letters     頁： Vol. 17, Issue 7, pp. H274-H276   2011年4月

Au-induced low-temperature (~250oC) crystallization of Si on insulator through layer-exchange process 査読有り

J.-H. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh

Electrochemical and Solid-State Letters     頁： Vol. 14, Issue 6, pp. H232-H234   2011年3月

SiGe-Mixing-Triggered Rapid-Melting-Growth of High-Mobility Ge-on-Insulator 査読有り

T. Sadoh, K. Toko, M. Kurosawa, T. Tanaka, T. Sakane, Y. Ohta, N. Kawabata, H. Yokoyama, and M. Miyao

Key Engineering Materials     頁： Vol. 470, pp. 8-13   2011年2月

Al-Induced Oriented-Crystallization of Si Films on Quartz and Its Application to Epitaxial-Template for Ge Growth 査読有り

M. Kurosawa, K. Toko, N. Kawabata, T. Sadoh, and M. Miyao

Solid State Electronics     頁： Volume 60, Issue 1, pp. 7–12   2011年2月

Dehydrogenation-enhanced large strain (~1.6%) in free-standing Si microstructures covered with SiN stress liners 査読有り

M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao

Electrochemical and Solid-State Letters     頁： Vol. 14, Issue 4, pp. H174-H176   2011年2月

Selective-mapping of uniaxial and biaxial strains in SOI micro-structures by polarized micro-probe Raman spectroscopy 査読有り

M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao

Applied Physics Letters     頁： Vol. 98, Issue 1, pp. 012110-1－3   2011年1月

High-mobility defect-free Ge single-crystals by rapid melting growth on insulating substrates 査読有り

M. Miyao, K. Toko, M. Kurosawa, T. Tanaka, T. Sakane, Y. Ohta, N. Kawabata, H. Yokoyama, and T. Sadoh

Proceeding of ICSICT2010 (IEEE)     頁： pp.827-830   2010年12月

Low-temperature (<250oC) crystallization of Si on insulating substrate by gold-induced layer-exchange technique 査読有り

J.-H. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh

Proceeding of TENCON2010 (IEEE)     頁： pp.2196-2198   2010年11月

(100) orientation-controlled Ge giant-stripes on insulating substrates by rapid-melting growth combined with Si micro-seed technique 査読有り

K. Toko, M. Kurosawa, H. Yokoyama, N. Kawabata, T. Sakane, Y. Ohta, T. Tanaka, T. Sadoh, and M. Miyao

Applied Physics Express     頁： Vol. 3, No. 7, pp. 075603-1－3　   2010年6月

ガラス上におけるSiGe薄膜のアルミニウム誘起結晶化とその成長メカニズム　

川畑直之, 黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信　

電子情報通信学会 信学技報　     頁： Vol. 110, No. 15, pp. 13-17　   2010年4月

Al-Induced Low-Temperature Crystallization of Si1-xGex (0<x<1) by Controlling Layer Exchange Process 査読有り

M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao

Thin Solid Films     頁： Vol. 518,Issue 6, Supplement 1, pp. S174-S178　   2010年1月

Stress-enhancement in free-standing Si pillars through non-equilibrium dehydrogenation in SiN:H stress-liners by UV-light irradiation 査読有り

T. Tanaka, T. Sadoh, M. Kurosawa, M. Tanaka, M. Yamaguchi, S. Suzuki, T. Kitamura, and M. Miyao

Applied Physics Letters     頁： Vol. 95, Issue 26, pp. 262103-1－3　   2009年12月

Orientation-controlled Si thin films on insulating substrates by Al-induced crystallization combined with interfacial-oxide layer modulation 査読有り

M. Kurosawa, N. Kawabata, T. Sadoh, and M. Miyao

Applied Physics Letters     頁： Vol. 95, Issue 13, pp. 132103-1－3　   2009年9月

アルミニウム誘起層交換法によるSiGe/ガラスの低温成長　

黒澤昌志, 川畑直之, 佐道泰造, 宮尾正信　

電子情報通信学会 信学技報　     頁： Vol. 109, No. 20, pp. 19-23　   2009年4月

Interfacial-Oxide Layer Controlled Al-Induced Crystallization of Si1-xGex (x: 0-1) on Insulating Substrate 査読有り

M. Kurosawa, Y. Tsumura, T. Sadoh, and M. Miyao

Japanese Journal of Applied Physics     頁： Vol. 48, No. 3, pp. 03B002-1－5　   2009年3月

Ge Fraction Dependence of Al-induced Crystallization of SiGe at Low Temperatures 査読有り

M. Kurosawa, Y. Tsumura, T. Sadoh, and M. Miyao

Journal of the Korean Physical Society     頁： Vol. 54, No. 1, pp. 451-454　   2009年1月

Low-Temperature Oriented-Growth in [CoPt/MgO]n Multi-Layer 査読有り

T. Sadoh, M. Kurosawa, M. Kimura, K Ueda, M. Koyanagi, and M. Miyao

Thin Solid Films     頁： Vol. 517, Issue 1, pp. 430-433　   2008年11月

真空中加熱によるGe(111)基板上GeH薄膜の層間距離変化

松本一歩, 洗平昌晃, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 黒澤昌志

第71回応用物理学会春季学術講演会 

高抵抗Si(111)基板上へのCaSi2薄膜形成と低温熱電物性評価

加藤高, 柴山茂久, 坂下満男 , 中塚理, 片瀬貴義, 黒澤昌志

第71回応用物理学会春季学術講演会 

GeSn/GeSiSn二重障壁構造における負性微分抵抗の発現

石本修斗, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 柴山茂久

第29回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 

Al/GeSn(111)構造上への熱処理による極薄・高Sn組成GeSn表面偏析

柴山茂久, 松本泰河, 大田晃生, 横川凌, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理

第29回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 

In-situ SbドーピングによるInP上n型Ge0.75Sn0.25エピタキシャル膜の形成

柴山茂久, 高木孝明, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理

第29回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 

A new challenge in group-IV materials: energy harvesting application & 2D crystal synthesizing 国際会議

M. Kurosawa, A. Ohta, M. Araidai, S. Shibayama, M. Sakashita, and O. Nakatsuka

14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

Thermoelectric properties of Sb-doped Ge1-x-ySixSny ternary alloy layers lattice matched to GaAs substrates 国際会議

I. Sugimura, M. Nakata, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, T. Katase, and M. Kurosawa

14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

Electrical activation of implanted phosphorus in GeSn epitaxial layers grown on Si(111) substrate 国際会議

Y. Kato, M. Fukuda, S. Shibayama, M. Sakashita, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka

14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

Thermoelectric properties of P-doped and B-doped polycrystalline silicon thin films 国際会議

K. Shibata, S. Kato, M. Kurosawa, K. Gotoh, S. Miyamoto, T. Itoh, N. Usami, and Y. Kurokawa

2023 MRS Fall Meeting & Exhibit 

Crystal Growth Technology of GeSn-related Group-IV Heteroepitaxial Layers 国際会議

O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Kurosawa, and M. Sakashita

3rd Nucleation and Growth Research Conference 

Ge1-xSnx(111)エピタキシャル層へのPイオン注入と活性化

加藤芳規, 柴山茂久, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理

第10回 応用物理学会 名古屋大学スチューデントチャプター 東海地区学術講演会 

Al/GeSn(111)構造からの偏析を用いた極薄・高Sn組成GeSnの形成

松本泰河, 大田晃生, 横川凌, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 柴山茂久

第10回 応用物理学会 名古屋大学スチューデントチャプター 東海地区学術講演会 

GeSn/GeSiSn共鳴トンネルダイオードにおける負性微分抵抗の観測

石本修斗, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 柴山茂久

第10回 応用物理学会 名古屋大学スチューデントチャプター 東海地区学術講演会 

スパッタリング法によるInP基板上へのエピタキシャルGe0.75Sn0.25形成

壁谷汰知, 柴山茂久, 高木孝明, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理

第10回 応用物理学会 名古屋大学スチューデントチャプター 東海地区学術講演会 

粉末シリカンとゲルマナンの電気的特性評価

大西康介, 上田光秀, 山田繁, 伊藤貴司, 黒澤昌志

第10回 応用物理学会 名古屋大学スチューデントチャプター 東海地区学術講演会 

First-principles study on two-dimensional materials of silicon/germanium

M. Araidai, M. Itoh, D. Ishihara, M. Kurosawa, A. Ohta, A. Yamakage, and K. Shiraishi

2023年日本表面真空学会学術講演会 

Sputtering heteroepitaxy of Ge0.75Sn0.25 layer on InP(001) substrate 国際会議

T. Kabeya, S. Shibayama, K. Takagi, M. Sakashita, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka

2023 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (2023 IWDTF) 

Epitaxial Growth Technique for Si1-xSnx Binary Alloy Thin Films 国際会議

M. Kurosawa, S. Shibayama, M. Sakashita, and O. Nakatsuka

244th ECS Meeting 

近接蒸着法により成膜したCaSi2のSiHへの変換

高垣僚太, 有元圭介, 山中淳二, 黒澤昌志, 原康祐

第84回応用物理学会秋季学術講演会 

SiGe薄膜におけるナノ構造作製の熱電性能に与える影響

小池壮太, 柳澤亮人, 黒澤昌志, Jha Rajveer, 辻井直人, 森孝雄, 野村政宏

第84回応用物理学会秋季学術講演会 

Pドープ/Bドープ poly-Si薄膜の熱電特性評価

柴田啓介, 加藤慎也, 黒澤昌志, 後藤和泰, 宮本聡, 伊藤孝至, 宇佐美徳隆, 黒川康良

第84回応用物理学会秋季学術講演会 

PL法及びXPSによる単結晶Si1-xSnxのバンド構造評価

石崎寛規, 横川凌, 伊藤佑太, 大岩樹, 黒澤昌志, 小椋厚志

第84回応用物理学会秋季学術講演会 

Si1−xSnx薄膜で観測される巨大熱電能の電子濃度依存性

大岩樹, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 片瀬貴義, 黒澤昌志

第84回応用物理学会秋季学術講演会 

Ge格子整合系SixGe1-x-ySny三元混晶とその転写

前田辰郎, 石井裕之, 張文馨, 張 師宇, 柴山茂久, 黒澤昌志, 中塚理

第84回応用物理学会秋季学術講演会 

スパッタリング法によるInP基板上のGe0.75Sn0.25エピタキシャル成長

壁谷汰知, 柴山茂久, 高木孝明, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理

第84回応用物理学会秋季学術講演会 

Al/GeSn(111)エピタキシャル層構造からの偏析による極薄GeSn形成

松本泰河, 柴山茂久, 大田晃夫, 横川凌, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理

第84回応用物理学会秋季学術講演会 

イオン注入法によるn型無歪Ge1-xSnx(111)エピタキシャル層の形成

加藤芳規, 柴山茂久, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理

第84回応用物理学会秋季学術講演会 

Optoelectronic properties of Ge1-xSnx/high-Si-content SiyGe1-y-zSnz double quantum wells formed by low-temperature MBE growth and post deposition annealing 国際会議

S. Shibayama, S. Zhang, M. Sakashita, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka

International Conference on Solid State Devices and Materials 2023 (SSDM2023) 

Low-temperature thermoelectric power-factor enhancement of n-type Ge-rich Ge1-x-ySixSny layers 国際会議

I. Sugimura, M. Nakata, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, T. Katase, and M. Kurosawa

International Conference on Solid State Devices and Materials 2023 (SSDM2023) 

Experimental observation of negative differential resistance in GeSn/GeSiSn double barrier structure toward resonant tunneling diode applications 国際会議

S. Ishimoto, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Shibayama

International Conference on Solid State Devices and Materials 2023 (SSDM2023) 

Giant thermoelectric power of n-type Si1-xSnx layers grown on FZ-Si(001) substrates 国際会議

T. Oiwa, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, T. Katase, and M. Kurosawa

International Conference on Solid State Devices and Materials 2023 (SSDM2023) 

Seed-layer driven solid phase epitaxy of amorphous Ge1-xSnx layers on Si(001) substrates toward in-plane strain control 国際会議

T. Hiraide, M. Kurosawa, S. Shibayama, M. Sakashita, and O. Nakatsuka

International Conference on Solid State Devices and Materials 2023 (SSDM2023) 

高濃度n型ドープSi1−xSnx薄膜の低温熱電物性評価

大岩樹, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 片瀬貴義, 黒澤昌志

第7回フォノンエンジニアリング研究会 

Fabrication and evaluation of a planar-type uni-leg SiGe thermoelectric generator 国際会議

S. Koike, R. Yanagisawa, M. Kurosawa, R. Jha, N. Tsujii, T. Mori, and M. Nomura

The 39th Annual International Conference on Thermoelectrics (ICT 2023) 

Low-temperature Thermoelectric Properties of GeSn Alloys Films 国際会議

M. Kurosawa, T. Katase, Y. Imai, M. Nakata, M. Kimura, T. Kamiya, S. Shibayama, M. Sakashita, and O. Nakatsuka

The Joint ISDTM/ICSI conference 2023 

The layer transfer of Ge-lattice-matched SiGeSn epitaxial structures 国際会議

T. Maeda, W. H. Chang, H. Ishii, S. Zhang, S. Shibayama, M. Kurosawa, O. Nakatsuka

The Joint ISDTM/ICSI conference 2023 

Heteroepitaxial Growth of High Substitutional Sn-content Ge1-xSnx Layer Lattice-matched on InP Substrate 国際会議

O. Nakatsuka, K. Takagi, S. Shibayama, M. Kurosawa, and M. Sakashita

The Joint ISDTM/ICSI conference 2023 

Determining the Superiority of Cavity-Free Thermoelectric Generators Composed of GeSn and Si Wires 国際会議

M. M. H. Mahfuz, M. Kurosawa, T. Matsuki, and T. Watanabe

The Joint ISDTM/ICSI conference 2023 

Epitaxy and heterostructure of germanium tin-related group-IV alloy semiconductors for future electronic and optoelectronic applications 国際会議

O. Nakatsuka, M. Kurosawa, S. Shibayama, and M. Sakashita

2023 International Conference on Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors 

GeSn/GeSiSn共鳴トンネルダイオードの室温動作に向けた構造設計

石本修斗, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 柴山茂久

第70回応用物理学会春季学術講演会 

固相成長法による Si(001)基板上の伸長歪み Ge1-xSnx薄膜の形成

平出達磨, 大岩樹, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 黒澤昌志

第70回応用物理学会春季学術講演会 

高Sn組成Ge1-xSnx(111)エピタキシャル薄膜の高品質形成

森俊輔, 柴山茂久, 加藤芳規, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理

第70回応用物理学会春季学術講演会 

半絶縁性基板上Ge1-xSnx薄膜の低温熱電物性

今井志明, 中田壮哉, 木村公俊, 片瀬貴義, 神谷利夫, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 黒澤昌志

第70回応用物理学会春季学術講演会 

高濃度n型ドープSi1-xSnx薄膜で観測された巨大熱電能

大岩樹, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 片瀬貴義, 黒澤昌志

第70回応用物理学会春季学術講演会 

Potential of Silicon-Germanium-Tin Thin Films for Future Thermoelectric Device Applications 国際会議

M. Kurosawa, S. Shibayama, M. Sakashita, and O. Nakatsuka

ISPlasma2023/IC-PLANTS2023 

Investigating the superiority of the cavity-free architectural GeSn and Si wires-based thermoelectric generators

M. M. H. Mahfuz, M. Tomita, M. Kurosawa, T. Matsuki, and T. Watanabe

第28回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 

Arising ferroelectric properties in ZrO2 thin films down to 4 nm 国際会議

S. Ikeguchi, J. Nagano, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Shibayama

13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

Development of accurate characterization technique of electrical properties in Ge1-xSnx-based group-IV epitaxial layers 国際会議

T. Mori, S. Shibayama, K. Nishizawa, M. Sakashita, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka

13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

Crystalline and electrical properties of Ge1-x-ySixSny epitaxial layers - Effect of Si incorporation and H2 irradiation - 国際会議

K. Nishizawa, S. Shibayama, T. Mori, M. Sakashita, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka

13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

Heteroepitaxy of Ge1-xSnx with a high Sn content over 25% on InP(001) toward group-IV infrared detector 国際会議

K. Takagi, S. Shibayama, M. Sakashita, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka

13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

Challenge and new opportunity of Ge1−x−ySixSny/Ge1−xSnx heterostructures for optoelectronic and electronic device applications 国際会議

S. Shibayama, S. Zhang, M. Sakashita, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka

13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

Epitaxial Germanide/Germanium Contact: Its Impact on Schottky Barrier Height 国際会議

O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, and M. Kurosawa

13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

EXAFSによるZrO2薄膜の強誘電性発現機構の理解

池口祥太, 永野丞太郎, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 柴山茂久

11th NUSR Symposium, 名古屋大学シンクロトロン光研究センターシンポジウム(2022) 

Ge1-xSnx系IV族半導体混晶エピタキシャル層の電気的欠陥密度の評価

西澤康平, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 柴山茂久

第22回 日本表面真空学会中部支部学術講演会 

Research and Development of GeSn-related Group-IV Semiconductor Heterostructures for Optoelectronic Applications 国際会議

O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Kurosawa, and M. Sakashita

Symposium on Light emission and Photonics of Group IV semiconductor Nanostructures (LPGN) 

Determination superiority of the cavity-free thermoelectric generators consisting of GeSn and Si wires 国際会議

M. M. H. Mahfuz, M. Tomita, M. Kurosawa, T. Matsuki, and T. Watanabe

Integrated Nanocomposites for Thermal and Kinetic Energy Harvesting (INTAKE) Seminar 2022 

Synthesis of multilayer two-dimensional group-IV flakes and nanosheets 国際会議

M. Kurosawa, M. Itoh, Y. Ito, K. Okada, A. Ohta, M. Araidai, K. O. Hara, Y. Ando, S. Yamada, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka

33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-33) 

14 族半導体ナノシートの結晶成⻑とデバイス応用

黒澤昌志

2022年度 東海NFRW・若手チャプタージョイントワークショップ 

Spin Dependent Photocurrent Generation in Germanene-like Structure 国際会議

T. Nishijima, S. Kawa, Y. Ando, A. Ohta, J. Yuhara, M. Kurosawa, E. Shigematsu, R. Ohshima, and M. Shiraishi

The 67th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials (MMM 2022) 

Impact of Strain Structure in Epitaxial HfGe2/n-Ge(001) Contact on Morphology and Schottky Barrier Height 国際会議

O. Nakatsuka, K. Kasahara, S. Shibayama, M. Sakashita, and M. Kurosawa

Advanced Metallization Conference 2022 (ADMETA Plus 2022) 

Investigation of Band Structure in Strained Single Crystalline Si1-xSnx 国際会議

K. Sahara, R. Yokogawa, Y. Shibayama, Y. Hibino, M. Kurosawa, and A. Ogura

242nd ECS Meeting 

Preparation and thermoelectric characterization of boron-doped silicon nanocrystals/silicon oxide multilayers 国際会議

K. Shibata, S. Kato, M. Kurosawa, K. Gotoh, S. Miyamoto, N. Usami , and Y. Kurokawa

International Conference on Solid State Devices and Materials 2022 (SSDM2022) 

Molecular beam epitaxy of Si1−xSnx layers with 10%-Sn content on Si1−yGey buffers 国際会議

K. Fujimoto, S. Shibayama, M. Sakashita, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka

International Conference on Solid State Devices and Materials 2022 (SSDM2022) 

Study on doping by ion implantation to Si1-xSnx epitaxial layers 国際会議

T. Oiwa, S. Shibayama, M. Sakashita, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka

International Conference on Solid State Devices and Materials 2022 (SSDM2022) 

Experimental Demonstration of The Cavity-Free GeSn and Si Wire Thermoelectric Generators 国際会議

M. M. H. Mahfuz, K. Katayama, Y. Ito, K. Fujimoto, M. Tomita, M. Kurosawa, T. Matsuki, and T. Watanabe

International Conference on Solid State Devices and Materials 2022 (SSDM2022) 

シリコン系マイクロ熱電発電デバイスの開発

渡邉孝信, 富田基裕, ハサン マフス, 黒澤昌志, 松木武雄, シルビア チュン, 王 海東

M&M2022 材料力学カンファレンス 

InP基板上の超高Sn組成Ge1-xSnxヘテロエピタキシャル層の結晶性改善

高木孝明, 柴山茂久, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理

第83回応用物理学会秋季学術講演会 

ボロンドープしたシリコンナノ結晶/シリコン酸化膜積層構造の作製及び熱電特性評価

柴田啓介, 加藤慎也, 黒澤昌志, 後藤和泰, 宮本聡, 宇佐美徳隆, 黒川康良

第83回応用物理学会秋季学術講演会 

多結晶SiGe薄膜を用いた平面型熱電素子の作製と評価

小池壮太, 柳澤亮人, 黒澤昌志, Jha Rajveer, 辻井直人, 森孝雄, 野村政宏

第83回応用物理学会秋季学術講演会 

高抵抗Si(111)基板上における多層シリカンナノシートの形成

伊藤善常, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 黒澤昌志

第83回応用物理学会秋季学術講演会 

熱安定性の高いGe1–xSnx量子ドットの自己形成

橋本薫, 柴山茂久, 安坂幸師, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理

第83回応用物理学会秋季学術講演会 

単結晶歪Si1-xSnxのバンド構造評価

佐原敬太, 横川凌, 柴山裕貴, 日比野祐介, 黒澤昌志, 小椋厚志

第83回応用物理学会秋季学術講演会 

Si(111)上における直接遷移Ge1-xSnxヘテロエピタキシャル層の形成

森俊輔, 柴山茂久, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理

第83回応用物理学会秋季学術講演会 

Sn-driven self-formation of Ge1−xSnx nanodots on insulator for multi-layered quantum dots structure 国際会議

K. Hashimoto, S. Shibayama, K. Asaka, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka

9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IX) 

Molecular beam epitaxy of CaGe2 layers on Si(111) substrate 国際会議

K. Okada, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and M. Kurosawa

9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IX) 

Investigation of electric and spin properties in germanium-based post graphene materials 国際会議

T. Nishijima, S. Kawa, Y. Ando, A. Ohta, J. Yuhara, M. Kurosawa, E. Shigematsu, R. Ohshima, and M. Shiraishi

IUMRS-ICYRAM2022 

Substrate engineering for strain-controlled high-Sn-content Ge1−xSnx epitaxy 国際会議

O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Kurosawa, and M. Sakashita

The 6th Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials, 2022 (APAC-Silicide 2022) 

Silicon Thermoelectric Energy Harvester Compatible with CMOS Technology 国際会議

T. Watanabe, M. Tomita, M. M. H. Mahfuz, M. Kurosawa, and T. Matsuki

2022 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD) 

Comparative Thermoelectric Performance Demonstration Between Cavity-free GeSn and Si Thermoelectric Generators

M. M. H. Mahfuz, K. Katayama, Y. Ito, K. Fujimoto, M. Tomita, M. Kurosawa, T. Matsuki, and T. Watanabe

第69回応用物理学会春季学術講演会 

Si1−xGexバッファ上におけるSi1−xSnx薄膜の結晶成長

藤本一彰, 黒澤昌志, 中塚理

第69回応用物理学会春季学術講演会 

高抵抗Si(111)基板上におけるCaGe2薄膜の形成

岡田和也, 伊藤麻維, 中塚理, 黒澤昌志

第69回応用物理学会春季学術講演会 

固相エピタキシャル成長法によるPドープSi1-xSnx薄膜の形成

大岩樹, 黒澤昌志, 中塚理

第69回応用物理学会春季学術講演会 

Formation of calcium disilicide films on Si(111) using molecular beam epitaxy 国際会議

Y. Ito, O. Nakatsuka, and M. Kurosawa

ISPlasma2022/IC-PLANTS2022 

Demonstration of Cavity-free GeSn Thermoelectric Generator 国際会議

K. Katayama, M. M. H. Mahfuz, M. Nakata, Y. Ito, K. Fujimoto, M. Tomita, M. Kurosawa, T. Matsuki, and T. Watanabe

2021 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (2021 IWDTF) 

Design of a planar-type uni-leg SiGe thermoelectric generator 国際会議

S. Koike, R. Yanagisawa, M. Kurosawa, and M. Nomura

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021 (ICMaSS2021) 

超⾼圧下における多結晶PtN2膜の合成と特性評価

丹⽻健, 飯塚友規, ⿊澤昌志, 中村優⽃, 岸⽥英夫, 中塚理, 佐々⽊拓也, G. N. Alexander, ⻑⾕川正

第62回高圧討論会 

Thermoelectric properties of tin-incorporated group-IV thin films 国際会議

M. Kurosawa and O. Nakatsuka

240th ECS Meeting 

GaAs基板上におけるSi1−xSnx薄膜の結晶成長

藤本一彰, 黒澤昌志, 中塚理

第82回応用物理学会秋季学術講演会 

高抵抗基板上におけるCaGe2薄膜の作製

岡田和也, 伊藤麻衣, 中塚理, 黒澤昌志

第82回応用物理学会秋季学術講演会 

超高圧下で単結晶サファイア基板上に成長したPtN2膜の性状と物性

丹⽻健, 飯塚友規, ⿊澤昌志, 中村優⽃, 岸⽥英夫, 中塚理, 佐々⽊拓也, G. N. Alexander, ⻑⾕川正

日本金属学会 2021年秋期第169回講演大会 

SOI基板上におけるCaシリサイド層の形成

伊藤善常, 中塚理, 黒澤昌志

第82回応用物理学会秋季学術講演会 

透過型粉末X線回折による多層ゲルマナンの結晶構造評価

伊藤麻維, 洗平昌晃, 大田晃生, 中塚理, 黒澤昌志

第82回応用物理学会秋季学術講演会 

絶縁膜上におけるCaGe2の固相成長

大石遼, 中塚理, 黒澤昌志

第82回応用物理学会秋季学術講演会 

Group-IV materials grown on insulator for advanced thin-film thermoelectric applications 国際会議

M. Kurosawa and O. Nakatsuka

International Conference on Solid State Devices and Materials 2021 (SSDM2021) 

Solid-phase crystallization of ultra-thin amorphous Ge layers on insulators 国際会議

R. Oishi, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka

International Conference on Solid State Devices and Materials 2021 (SSDM2021) 

Hydrogen desorption from multilayer germanane flakes under an ultrahigh vacuum environment 国際会議

M. Itoh, M. Araidai, A. Ohta, O. Nakatsuka, and M. Kurosawa

International Conference on Solid State Devices and Materials 2021 (SSDM2021) 

Formation and Characterization of Ge1–x–YSixSny/Ge Hetero Junction Structures for Photovoltaic Cell Application 国際会議

O. Nakatsuka, S. Asaba, M. Kurosawa, M. Sakashita, N. Taoka, and S. Zaima

239th ECS Meeting 

多結晶SiGe薄膜を用いた平面型ユニレグ熱電デバイスの作製と評価

小池壮太, 柳澤亮人, 黒澤昌志, 野村政宏

第68回応用物理学会春季学術講演会 

近接蒸着法によるCaGe2成膜とゲルマナンへの変換

原康祐, 國枝慎, 山中淳二, 有元圭介, 伊藤麻維, 黒澤昌志

第68回応用物理学会春季学術講演会 

Si(001)基板上におけるSi1−xSnx薄膜のエピタキシャル成長

黒澤昌志, 丹下龍志, 中塚理

第68回応用物理学会春季学術講演会 

SiGe薄膜熱電発電デバイス出力の膜厚依存性

小池壮太, 柳澤亮人, 黒澤昌志, 野村政宏

日本機械学会 熱工学コンファレンス2020 

Evaluation of Strain-Shift Coefficients for SiSn by Raman Spectroscopy 国際会議

R. Yokogawa, M. Kurosawa, and A. Ogura

PRiME 2020 

Heteroepitaxy and Strain Engineering of Germanium-Silicon-Tin Ternary Alloy Semiconductors for Energy Band Design 国際会議

O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Kurosawa, and M. Sakashita

PRiME 2020 

Size effect of silicon nanocrystals on Seebeck coefficient of phosphorus-doped Si nanocrystals/silicon oxide multilayers 国際会議

H. Kobayashi, S. Kato, M. Kurosawa, K. Gotoh, N. Usami, and Y. Kurokawa

International Conference on Solid State Devices and Materials 2020 (SSDM2020) 

Ge1-xSnx溶融成長時に生じる偏析現象の理解

中尾天哉, 西島泰樹, 清水智, 角田功, 中塚理, 黒澤昌志

第81回応用物理学会秋季学術講演会 

多結晶SiGe薄膜を用いた平面型ユニレグ熱電デバイスの設計

小池壮太, 柳澤亮人, 黒澤昌志, 野村政宏

第81回応用物理学会秋季学術講演会 

多層ゲルマナンフレークからの水素脱離

伊藤麻維, 洗平昌晃, 大田晃生, 中塚理, 黒澤昌志

第81回応用物理学会秋季学術講演会 

GaAs(001)基板上におけるGe1−x−ySixSny 薄膜のエピタキシャル成長

中田壮哉, 詹天卓, 富田基裕, 渡邉孝信, 中塚理, 黒澤昌志

第81回応用物理学会秋季学術講演会 

絶縁膜上における極薄Ge薄膜の固相成長

大石遼, 黒澤昌志, 中塚理

第81回応用物理学会秋季学術講演会 

UVラマン分光法による単結晶Si1-xSnxの歪換算係数導出

横川凌, 丹下龍志, 黒澤昌志, 小椋厚志

第67回応用物理学会春季学術講演会 

絶縁膜上における極薄Ge1−xSnx薄膜の固相成長

大石遼, 中塚理, 黒澤昌志

第67回応用物理学会春季学術講演会 

Ge1−xSnx細線の偏析溶融成長：冷却速度の影響

中尾天哉, 西嶋泰樹, 清水智, 角田功, 中塚理, 黒澤昌志

第67回応用物理学会春季学術講演会 

SbドープGe1−x−ySixSny三元混晶薄膜の熱電物性制御

中田壮哉, 詹天卓, 富田基裕, 渡邉孝信, 中塚理, 黒澤昌志

第67回応用物理学会春季学術講演会 

GaドープSi1-xSnx薄膜で観測した巨大ゼーベック熱電能の理解

佐藤啓, 洗平昌晃, 中塚理, 黒澤昌志

第67回応用物理学会春季学術講演会 

近接蒸着法によるCaSi2とCaGe2の成膜

原康祐, 瀧澤周平, 山中淳二, 黒澤昌志, 有元圭介

第67回応用物理学会春季学術講演会 

多結晶SiGe薄膜を用いた熱電変換デバイスの設計

小池壮太, 柳澤亮人, 黒澤昌志, 野村政宏

第67回応用物理学会春季学術講演会 

多結晶Si1-x-yGexSny三元混晶薄膜の熱電特性制御

中塚理, 彭英, 苗蕾, 高杰, 刘呈燕, 黒澤昌志, 財満鎭明

電子デバイス界面テクノロジー研究会（第25回） 

分子線エピタキシー法による Si1-xSnx 薄膜の形成

丹下龍志, 黒澤昌志, 中塚理

電子デバイス界面テクノロジー研究会（第25回） 

In-situ Sb Doping into Ge1−xSnx Epitaxial Layer toward Enhancement of Photoluminescence Intensity 国際会議

M. Fukuda, J. Jeon, M. Sakashita, S. Shibayama, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka

8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VIII) 

Crystal Growth and Characterization of Group-IV Alloy Semiconductor Heterostructures for Future Electronic Devices 国際会議

O. Nakatsuka, M. Kurosawa, S. Shibayama, M. Sakashita and S. Zaima

8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VIII) 

Improvement of thermoelectric properties of Si1-x-yGexSny thin films by ion implantation and rapid thermal annealing 国際会議

Y. Peng, L. Miao, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019) 

Theoretical Investigation of Self-organization Behavior of Si0.5Sn0.5 Nano-particles 国際会議

Y. Nagae, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019) 

Thermoelectric properties of silicon germanium wires with a composition gradient 国際会議

M. Nakata, O. Nakatsuka, M. Tomita, T. Watanabe, and M. Kurosawa

International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development Satellite (iLIM-s) 

Optoelectronic Property of GeSn and GeSiSn Heterostructure 国際会議

M. Fukuda, M. Sakashita, S. Shibayama, M. Kurosawa, S. Zaima, and O. Nakatsuka

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019) 

Growth of Hetero-epitaxial Al on Ge(111) and Segregation of Ge Crystal by Annealing 国際会議

M. Kobayashi, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, N. Taoka, T. Shimizu, K. Makihara, and S. Miyazaki

32nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2019) 

白金二窒化物薄膜の超高圧合成と物性

飯塚友規，丹羽健，黒澤昌志, 佐々木拓也，中塚理，長谷川正

第60回高圧討論会 

Preparation of Ge1-xSnx-based Uni-leg Thermoelectric Generator 国際会議

M. Kurosawa, M. Tomita, and T. Watanabe

The 4th International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-4) 

Power-conscious Energy Harvester Based on Si-CMOS Technology 国際会議

T. Watanabe, M. Tomita, Z. Tianzhuo, and M. Kurosawa

The 4th International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-4) 

Temperature dependence of thermoelectric properties of Ge1−xSnx layers grown by molecular beam epitaxy 国際会議

M. Kurosawa, M. Nakata, K. Ide, T. Katase, and T. Kamiya

The 4th International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-4) 

高濃度SbドープによるGe1-xSnxのフォトルミネッセンス発光強度の増大

福田雅大, 全智禧, 坂下満男, 柴山茂久, 黒澤昌志, 中塚理

第80回応用物理学会秋季学術講演会 

イオン注入法を用いた面内組成傾斜n型Si1-xGex細線の形成

中田壮哉, 西嶋大樹, 清水智, 角田功, 富田基裕, 渡邊孝信, 中塚理, 黒澤昌志

第80回応用物理学会秋季学術講演会 

偏析溶融成長法により形成した絶縁膜上Ge1-xSnx細線の電気特性評価

中尾天哉, 西嶋泰樹, 清水智, 角田功, 中塚理, 黒澤昌志

第80回応用物理学会秋季学術講演会 

Evaluation of Anisotropic Stress for Laterally Graded Silicon Germanium Wires by Raman Spectroscopy 国際会議

R. Yokogawa, K. Takahashi, M. Kurosawa, M. Tomita, T. Watanabe, and A. Ogura

18th Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP XVII) 

Influence of Dopant on Thermoelectric Properties of Si-rich Poly-Si1-xSnx Layers Grown on Insulators 国際会議

K. Sato, O. Nakatsuka, and M. Kurosawa

International Conference on Solid State Devices and Materials 2019 (SSDM2019) 

First-Principles Study on Formation of Freestanding Silicene and Germanene 国際会議

M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, and K. Shiraishi

International Conference on Solid State Devices and Materials 2019 (SSDM2019) 

Preparation and thermoelectric characterization of phosphorus-doped silicon nanocrystals/silicon oxide multilayers 国際会議

H. Kobayashi, R. Akaishi, S. Kato, M. Kurosawa, N. Usami, and Y. Kurokawa

International Conference on Solid State Devices and Materials 2019 (SSDM2019) 

Growth of Ultrathin Segregated-Ge Crystal on Al/Ge(111) Surface 国際会議

M. Kobayashi, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, N. Taoka, T. Shimizu, K. Makihara, and S. Miyazaki

International Conference on Solid State Devices and Materials 2019 (SSDM2019) 

Germanene epitaxial growth by a segregation method on Ag(111) thin films 国際会議

J. Yuhara, H. Shimazu, K. Ito, A. Ohta, M. Araidai, M. Kurosawa, M. Nakatake, and G. Le Lay

From the NanoWorld to StarDust (NW2SD) International Conference 

GeSn and GeSiSn Heterostructures for Optoelectronic Applications 国際会議

O. Nakatsuka, M. Fukuda, M. Kurosawa, S. Shibayama, M. Sakashita, and S. Zaima

2019 IEEE Photonics Society Summer Topical Meeting Series 

組成傾斜シリコンゲルマニウム細線へのイオン注入ドーピング

中田壮哉, 西嶋大樹, 清水智, 角田功, 富田基裕, 渡邊孝信, 中塚理, 黒澤昌志

第3回応用物理学会フォノンエンジニアリング研究会 

熱処理によるAl/Ge(111)上の極薄Ge層形成

小林征登, 大田晃生, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 田岡紀之, 池田弥央, 牧原克典, 宮﨑誠一

電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会 

Development and challenges of group-IV alloy semiconductors for nanoelectronic applications 国際会議

S. Zaima, O. Nakatsuka, M. Kurosawa, M. Sakashita, and S. Shibayama

11th International Conference on High-Performance Ceramics (CICC-11) 

Tin-Incorporation Effect on Thermoelectric Properties of p-type Polycrysalline Si1-xGex layers grown on SiO2 国際会議

Y. Peng, L. Miao, J. Gao, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

11th International Conference on High-Performance Ceramics (CICC-11) 

Semi-ballistic thermal phonon transport in Si1-xGex nanowires 国際会議

N. Okamoto, R. Yanagisawa, M. M. Alam, K. Sawano, M. Kurosawa, and M. Nomura

Compound Semiconductor Week 2019 

架橋ゲルマネン形成に関する第一原理計算

洗平昌晃, 黒澤昌志, 大田晃生, 白石賢二

日本表面真空学会2019年度関東支部講演大会 

急速溶融成長法で作製されたSiGeワイヤの熱電特性

熊田剛大, 中村俊貴, 富田基裕, 中田壮哉, 高橋恒太, 黒澤昌志, 渡邉孝信

第66回応用物理学会春季学術講演会 

ヘテロエピタキシャルAl/Ge(111)上に偏析した極薄Geの化学分析

小林征登, 大田晃生, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 田岡紀之, 池田弥央, 牧原克典, 宮﨑誠一

第66回応用物理学会春季学術講演会 

温度と組成に依存するSi1-xGexナノワイヤ中の準弾道的熱輸送

岡本昂, 柳澤亮人, Md. Mahfuz Alam, 澤野憲太郎, 黒澤昌志, 野村政宏

第66回応用物理学会春季学術講演会 

液浸ラマン分光法による組成傾斜SiGeワイヤの異方性二軸応力分布評価

横川凌, 高橋恒太, 富田基裕, 黒澤昌志, 渡邉孝信, 小椋厚志

第66回応用物理学会春季学術講演会 

ノンドープ組成傾斜SiGeワイヤの微小ゼーベック係数測定

熊田剛大, 中村俊貴, 富田基裕, 中田壮哉, 高橋恒太, 黒澤昌志, 渡邉孝信

電子デバイス界面テクノロジー研究会（第24回） 

GaSb(001)基板上に形成したSi1-xSnx薄膜の結晶構造評価

丹下龍志, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

電子デバイス界面テクノロジー研究会（第24回） 

高Si組成Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny二重ヘテロ構造のエネルギーバンド構造および光電特性評価

福田雅大, 坂下満男, 柴山茂久, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

電子デバイス界面テクノロジー研究会（第24回） 

偏析法によりAg(111)表面上に創製されたゲルマネンの構造評価

志満津宏樹, 柚原淳司, 仲武昌史, 伊藤公一, 大田晃生, 洗平昌晃, 黒澤昌志, Guy Le Lay

第18回日本表面真空学会中部支部学術講演会 

Ge 2D Crystal Growth on Hetero-epitaxial Ag/Ge(111) by N2 Annealing 国際会議

A. Ohta, K. Ito, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

49th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC) 

GeSn-related group-IV semiconductor heterostructures for electronic and optoelectronic applications 国際会議

O. Nakatsuka, M. Fukuda, M. Kurosawa, M. Sakashita, and S. Zaima

12th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

エピタキシャルAl/Ge(111)の形成と真空中熱処理による表面平坦化およびGe析出

小林征登, 大田晃生, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 田岡紀之, 池田弥央, 牧原克典, 宮﨑誠一

第6回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会 

GaSb(001)基板上におけるSi1-xSnx薄膜の固相成長

丹下龍志, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

第6回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会 

First-Principles Study on Hydrogen Adsorption and Desorption of Silicene and Germanene 国際会議

M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, K. Shiraishi

14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14) in conjunction with 26th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM26) 

Formation and Optoelectronic Characterization of Strain-relaxed Ge1−x−ySixSny/Ge1−xSnx/Ge1−x−ySixSny Double-heterostructure 国際会議

M. Fukuda, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14) in conjunction with 26th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM26) 

Thermoelectric Performance of Polycrystalline Si1-x-yGexSny Ternary Alloy Layer Prepared with Ion Implantation 国際会議

Y. Peng, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, J. Gao, L. Miao, and S. Zaima

14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14) in conjunction with 26th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM26) 

次世代半導体デバイスに向けたIV族混晶薄膜の形成と物性制御

高橋恒太, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

第10回半導体材料・デバイスフォーラム 

First-principles study on hydrogen adsorption-desorption property and simulated STM Images of germanene

M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, K. Shiraishi

第２回 ポストグラフェン材料のデバイス開発研究会 

Why chose a diffusion method towards creation of silicene & germanene?

M. Kurosawa, A. Ohta, and M. Araidai

第２回 ポストグラフェン材料のデバイス開発研究会 

Two dimensional Ge crystal growth by annealing of Metal/Ge stack

A. Ohta, K. Ito, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

第２回 ポストグラフェン材料のデバイス開発研究会 

Composition and Strain Engineering of New Group-IV Thermoelectric Materials 国際会議

M. Kurosawa, Y. Imai, T. Iwahashi, K. Takahashi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

AiMES 2018 Meeting 

Evaluation of Laterally Graded Silicon Germanium Wires for Thermoelectric Devices fabricated by Rapid Melting Growth 国際会議

R. Yokogawa, S. Hashimoto, K. Takahashi, S. Oba, M. Tomita, M. Kurosawa, T. Watanabe, and A. Ogura

AiMES 2018 Meeting 

Formation of laterally graded SixGe1-x stripes for thermoelectric generator 国際会議

M. Nakata, K. Takahashi, T. Nishijima, S. Shimizu, I. Tsunoda, O. Nakatsuka, S. Zaima, T. Watanabe, and M. Kurosawa

The 3rd International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-3) 

真空蒸着によるGe(111)上のAlヘテロエピタキシャル成長

小林征登, 大田晃生, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 池田弥央, 牧原克典, 宮﨑誠一

第79回応用物理学会秋季学術講演会 

スマートウォッチを支える熱電デバイスについて考える

黒澤昌志

第79回応用物理学会秋季学術講演会 

溶融成長法によるGe1-xSnx細線の形成と電気特性評価

髙橋恒太, 今井祐太, 西嶋泰樹, 清水智, 黒澤昌志, 角田功, 中塚理, 財満鎭明

第79回応用物理学会秋季学術講演会 

熱電特性評価に向けた組成傾斜SixGe1-x細線の形成

中田壮哉, 髙橋恒太, 西嶋泰樹, 清水智, 角田功, 中塚理, 財満鎭明, 渡邉孝信, 黒澤昌志

第79回応用物理学会秋季学術講演会 

SiO2上に形成したGe1-xSnx多結晶薄膜の熱電特性評価

今井志明, 髙橋恒太, 中塚理, 財満鎭明, 黒澤昌志

第79回応用物理学会秋季学術講演会 

GaSb基板上におけるSi1-xSnx薄膜の結晶成長

丹下龍志, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

第79回応用物理学会秋季学術講演会 

高Si組成歪緩和Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny二重ヘテロ構造の形成および光電特性評価

福田雅大, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

第79回応用物理学会秋季学術講演会 

Ag(111)表面上に偏析したGe原子が形成する二次元構造

志満津宏樹, 柚原淳司, 仲武昌史, 伊藤公一, 大田晃生, 洗平昌晃, 黒澤昌志

日本物理学会 2018年秋季大会 

IV族混晶薄膜の結晶成長と熱電デバイスへの応用

黒澤昌志

第68回フロンティア材料研究所学術講演会「革新的エナジーハーベスティングに向けた創エネルギー材料とデバイスの研究開発」 

Thin film growth and characterization of group-IV alloy semiconductors for future nanoelectronic applications 国際会議

O. Nakatsuka, M. Kurosawa, and S. Zaima

9th International Conference on Physics and Its Applications (ICOPIA) 

単結晶p型Ge0.95Sn0.05薄膜の熱電特性におけるドメインサイズの効果

今井志明, 髙橋恒太, 内田紀行, 前田辰郎, 中塚理, 財満鎭明, 黒澤昌志

第2回フォノンエンジニアリング研究グループ研究会 

多結晶Ge1-xSnx薄膜熱電素子の低温形成

髙橋恒太, 池上浩, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明, 黒澤昌志

第2回フォノンエンジニアリング研究グループ研究会 

Engineering optoelectronic properties of high-Sn-content GeSn, GeSiSn, and SiSn thin films 国際会議

O. Nakatsuka, M. Kurosawa, M. Fukuda, M. Sakashita, W. Takeuchi, and S. Zaima

IEEE Photonics Society Summer Topical Meeting Series 2018 

GeSn-based thin film thermoelectric generators 国際会議

M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials Processing, Fabrication, Properties, Applications (THERMEC'2018) 

Engineering electronic properties of GeSn-related group-IV thin films for nanoelectronic applications 国際会議

O. Nakatsuka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, and S. Zaima

2018 E-MRS Spring Meeting 

Optoelectronic Characterization of Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny Double-Heterostructure with High-Si-Content Ge1-x-ySixSny Layer 国際会議

M. Fukuda, D. Rainko, M. Sakashita, M. Kurosawa, D. Buca, O. Nakatsuka, and S. Zaima

1st Joint ISTDM/ICSI 2018 Conference 

Ultra-thin GeSn on Insulator structure through the direct bonding technique 国際会議

T. Maeda, W. H. Chang, T. Irisawa, H. Ishii, H. Hattori, M. Kurosawa, Y. Imai, O. Nakatsuka, and N. Uchida

1st Joint ISTDM/ICSI 2018 Conference 

革新的多機能センサモジュール実現に向けた新しいIV族混晶熱電物質の創製　〜ド素人が熱電の分野に飛び込んで〜

黒澤昌志

" 日本熱電学会 第23回研究会「注目の熱電プロジェクト」 

ゲルマネンの水素吸脱着に関する第一原理計算

洗平昌晃, 黒澤昌志, 大田晃生, 白石賢二

日本物理学会　第73回年次大会（2018年） 

熱電デバイス用組成傾斜SiGeワイヤの構造評価

横川凌, 橋本修一郎, 高橋恒太, 大場俊輔, 富田基裕, 黒澤昌志, 渡邉孝信, 小椋厚志

第65回応用物理学会春季学術講演会 

IV族混晶のマイクロ熱電発電デバイス応用

渡邉孝信, 橋本修一郎, 富田基裕, 黒澤昌志, 池田浩也

第65回応用物理学会春季学術講演会 

熱処理によるエピタキシャルAg/Ge(111)構造の表面平坦化とGe析出量制御

伊藤公一, 大田晃生, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 池田弥央, 牧原克典, 宮﨑誠一

第65回応用物理学会春季学術講演会 

Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny二重ヘテロ構造の光電特性評価

福田雅大, Denis Rainko, 坂下満男, 黒澤昌志, Dan Buca, 中塚理, 財満鎭明

第65回応用物理学会春季学術講演会 

ドーパント種が水中パルスレーザアニールによるGe1-xSnx薄膜への高濃度ドーピングに及ぼす効果

髙橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

第65回応用物理学会春季学術講演会 

Domain size effects on thermoelectric properties of p-type Ge0.95Sn0.05 layers grown on GaAs and Si substrates 国際会議

Y. Imai, K. Takahashi, N. Uchida, T. Maeda, O. Nakatsuka, S. Zaima, and M. Kurosawa

2018 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM 2018) 

Thermoelectric Characteristics of Rapid-Melting-Grown SiGe Wires Measured by Peltier Cooling Experiment 国際会議

S. Hashimoto, K. Takahashi, S. Oba, T. Terada, M. Ogasawara, M. Tomita, M. Kurosawa, and T. Watanabe

2018 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM 2018) 

Low thermal budget fabrication of poly-Ge1-xSnx thin film thermoelectric generator 国際会議

K. Takahashi, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, S. Zaima, and M. Kurosawa

2018 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM 2018) 

Heavily p-type doping to Si1-xSnx layers grown on SOI substrates 国際会議

Y. Inaishi, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

ISPlasma2018/IC-PLANTS2018 

Crystal growth of GeSn-based materials and its application for thin-film thermoelectric generators 国際会議

M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

2017 Global Research Efforts on Energy and Nanomaterials (GREEN 2017) 

Ultrathin Ge Growth on Flat Ag Surface in Hetero-Epitaxial Ag/Ge Structure by Annealing 国際会議

K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

The 30th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2017) 

Ultrathin Ge Growth on Ag Surface by Annealing of Hetero-Epitaxial Ag/Ge(111) 国際会議

A. Ohta, K. Ito, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

8th International Symposium on Surface Science (ISSS-8) 

Growth and Applications of Si1-xSnx Thin Films 国際会議

M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

232nd Electrochemical Society Meeting 

Characterization of Crystallinity and Energy Band Alignment of Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny Heterostructure 国際会議

M. Fukuda, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS2017) 

Crystal Growth of Ultrathin Si and Ge Layers on Ag Surfaces 国際会議

M. Kurosawa, A. Ohta, M. Araidai, and S. Zaima

The 2nd International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-2) 

Heavy n- and p-type doping for polycrystalline Ge1-xSnx layers using pulsed laser annealing in water 国際会議

K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

The 2nd International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-2) 

Numerical calculation of energy band offset of Si1–xSnx by density functional calculation 国際会議

Y. Nagae, M. Kurosawa, M. Araidai, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, and S. Zaima

The 2nd International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-2) 

Fabrication and Thermoelectric Mechanism Study of Flexible Si1-xGex Superlattice Films 国際会議

Y. Peng, L. Miao, C. Li, R. Huang, D. Urushihara, T. Asaka, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS2017) 

Growth of 2D Crystal of Group-IV Elements on Epitaxial Ag(111) 国際会議

K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

International Conference on Solid State Devices and Materials 2017 (SSDM2017) 

Dopants behavior in polycrystallization of heavily doped Ge1-xSnx layer using pulsed laser annealing in water 国際会議

K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

International Conference on Solid State Devices and Materials 2017 (SSDM2017) 

Sb-doping effect on thermal and electrical properties of Ge-rich Ge1-xSnx layers 国際会議

T. Iwahashi, M. Kurosawa, N. Uchida, Y. Ohishi, T. Maeda, O. Nakatsuka, and S. Zaima

International Conference on Solid State Devices and Materials 2017 (SSDM2017) 

新しいIV族混晶熱電材料:Ge1-xSnx

黒澤昌志, 今井志明, 岩橋泰正, 高橋恒太, 中塚理, 財満鎭明

第14回日本熱電学会学術講演会 

混晶組成および歪制御によるGe1-xSnx/Ge1-x-ySixSnyヘテロ構造のエネルギーバンド構造制御

福田雅大, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

第78回応用物理学会秋季学術講演会 

熱電材料応用を目指した新しい IV 族混晶(Ge1-xSnx, Si1-xSnx)の開発

黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

第78回応用物理学会秋季学術講演会 

低温MBE法により形成したp型単結晶Ge1-xSnx薄膜の熱電特性

今井志明, 髙橋恒太, 中塚理, 財満鎭明, 黒澤昌志

第78回応用物理学会秋季学術講演会 

水中パルスレーザアニール法により形成した高濃度ドープp型/n型多結晶Ge1-xSnx薄膜の熱電特性

髙橋恒太, 池上浩, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明, 黒澤昌志

第78回応用物理学会秋季学術講演会 

歪SOI基板上に形成したSi1-xSnx薄膜への高濃度p型ドーピング

稲石優, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

第78回応用物理学会秋季学術講演会 

熱処理によるAg/Ge構造の表面平坦化とGe析出量制御

伊藤公一, 大田晃生, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一

第78回応用物理学会秋季学術講演会 

層状化合物CaGe2を前駆体に用いたゲルマネン形成の試み

黒澤昌志, 淺枝駿冴, 大田晃生, 洗平昌晃, 財満鎭明

第78回応用物理学会秋季学術講演会 

新しいIV族多元混晶薄膜の結晶成長とデバイス応用

黒澤昌志, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

2017年真空・表面科学合同講演会 

Synthesis of p- and n-type Ge1-xSnx thin films toward new group-IV thermoelectric materials 国際会議

M. Kurosawa, Y. Imai, T. Iwahashi, A. Ohta, N. Uchida, Y. Ohishi, T. Maeda, O. Nakatsuka, and S. Zaima

2017 Annual International Conference on Thermoelectrics (2017ICT) 

エピタキシャルAg(111)上の極薄IV族結晶形成

伊藤公一, 大田晃生, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一

電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会 

Control of lattice constant of Ge1-x-ySixSny layer for energy band engineering in Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny heterostructure 国際会議

M. Fukuda, K. Watanabe, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

10th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-10) 

Solid phase epitaxy of Si1-xSnx layers on various substrates 国際会議

M. Kurosawa, M. Kato, K. Takahashi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

10th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-10) 

Formation of heavily Sb and Ga doped poly-Ge1-xSnx layers on insulator using pulsed laser annealing in water 国際会議

K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

10th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-10) 

アモルファス絶縁膜上におけるIV族二次元結晶の電子状態

洗平昌晃, 黒澤昌志, 大田晃生, 白石賢二

日本物理学会　第72回年次大会（2017年） 

熱電素子応用を目指したn型Ge0.94Sn0.06単結晶薄膜の基礎物性評価

岩橋泰正, 黒澤昌志, 内田紀行, 大石佑治, 前田辰郎, 中塚理, 財満鎭明

第64回応用物理学会春季学術講演会 

水中パルスレーザアニールを用いた多結晶Ge1-xSnxへの高濃度ドーピング

高橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

第64回応用物理学会春季学術講演会 

GaドープSi1-xSnx薄膜の結晶成長と電気特性評価

稲石優, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

第64回応用物理学会春季学術講演会 

Ge上にエピタキシャル成長したAg(111)表面の平坦化および化学構造評価

伊藤公一, 大田晃生, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一

第64回応用物理学会春季学術講演会 

Geバッファ層導入によるSi(001)基板上への歪緩和Ge1-x-ySixSny層の形成

渡邉千皓, 福田雅大, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

第64回応用物理学会春季学術講演会 

Impact of Thermal Annealing on Mophology and Chemical Bonding Features at Epitaxial Ag(111) Surface Grown on Ge(111) 国際会議

K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

ISPlasma2017/IC-PLANTS2017 

Chemical Analysis of Epitaxial Ag(111) Surface Formed on Group-IV Semiconductor 国際会議

K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki

10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

Solid phase crystallization of Ge0.98Sn0.02 layers on various insulating substrates 国際会議

I. Yoshikawa, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 

絶縁膜上にあるIV族二次元結晶の電子状態解析

洗平昌晃, 黒澤昌志, 大田晃生, 白石賢二

科学技術交流財団 第３回「次世代デバイス実現に向けた先端二次元物質の物理と化学」研究会 

絶縁基板上におけるIV族半導体薄膜の結晶方位制御技術：二次元物質への展開

黒澤昌志, 洗平昌晃, 伊藤公一, 大田晃生, 財満鎭明

科学技術交流財団 第３回「次世代デバイス実現に向けた先端二次元物質の物理と化学」研究会 

水中パルスレーザアニールを用いた多結晶Ge1-xSnx層中Sbの高活性化

高橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

電子デバイス界面テクノロジー研究会（第22回） 

GeSiSn/GeSn/GeSiSn積層構造の形成および結晶物性の評価

福田雅大, 山羽隆, 浅野孝典, 藤浪俊介, 志村洋介, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

第16回 日本表面科学会中部支部学術講演会 

First-Principles Study on Germanene and Stanene on α-Alumina 国際会議

M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, and K. Shiraishi

24th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM24) 

IV族半導体上に蒸着したAg薄膜の化学構造評価と反応制御

伊藤公一, 大田晃生, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一

2016年真空・表面科学合同講演会 

Si(001)基板上に形成したn型Ge1-xSnx薄膜の熱電特性評価