Tuning the p-type doping of GaN over three orders of magnitude via efficient Mg doping during halide vapor phase epitaxy 査読有り

Kazuki Ohnishi, Naoki Fujimoto, Shugo Nitta, Hirotaka Watanabe, Shun Lu, Manato Deki, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

Journal of Applied Physics   132 巻   頁： 145703   2022年10月

An Accurate Approach to Develop Small Signal Circuit Models for AlGaN/GaN HEMTs using Rational Functions and Dependent Current Sources 査読有り

Aakash Jadhav, Takashi Ozawa, Ali Baratov, Joel T. Asubar, Masaaki Kuzuhara, Akio Wakejima, Shunpei Yamashita, Manato Deki, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Biplab Sarkar

IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY   10 巻   頁： 797 - 807   2022年9月

Junction Diameter Dependence of Oscillation Frequency of GaN IMPATT Diode Up to 21 GHz

Kawasaki, S; Kumabe, T; Ando, Y; Deki, M; Watanabe, H; Tanaka, A; Honda, Y; Arai, M; Amano, H

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS   44 巻 ( 8 ) 頁： 1328 - 1331   2023年8月

Photon extraction enhancement of praseodymium ions in gallium nitride nanopillars

Sato, SI; Li, S; Greentree, AD; Deki, M; Nishimura, T; Watanabe, H; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H; Gibson, BC; Ohshima, T

SCIENTIFIC REPORTS   12 巻 ( 1 )   2022年12月

Substitutional diffusion of Mg into GaN from GaN/Mg mixture

Itoh, Y; Lu, S; Watanabe, H; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Tanaka, A; Amano, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS   15 巻 ( 11 )   2022年11月

Tuning the p-type doping of GaN over three orders of magnitude via efficient Mg doping during halide vapor phase epitaxy

Ohnishi, K; Fujimoto, N; Nitta, S; Watanabe, H; Lu, S; Deki, M; Honda, Y; Amano, H

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   132 巻 ( 14 )   2022年10月

Effect of beam current on defect formation by high-temperature implantation of Mg ions into GaN 査読有り

Itoh, Y; Watanabe, H; Ando, Y; Kano, E; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Tanaka, A; Ikarashi, N; Amano, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS   15 巻 ( 2 )   2022年2月

An Accurate Approach to Develop Small Signal Circuit Models for AlGaN/GaN HEMTs Using Rational Functions and Dependent Current Sources

Jadhav, A; Ozawa, T; Baratov, A; Asubar, JT; Kuzuhara, M; Wakejima, A; Yamashita, S; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H; Roy, S; Sarkar, B

IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY   10 巻   頁： 797 - 807   2022年

Ohmic contact on low-doping-density p-type GaN with nitrogen-annealed Mg 査読有り

Lu, S; Deki, M; Wang, J; Ohnishi, K; Ando, Y; Kumabe, T; Watanabe, H; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

APPLIED PHYSICS LETTERS   119 巻 ( 24 )   2021年12月

Modified Small Signal Circuit of AlGaN/GaN MOS-HEMTs Using Rational Functions 査読有り

Jadhav, A; Ozawa, T; Baratov, A; Asubar, JT; Kuzuhara, M; Wakejima, A; Yamashita, S; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H; Roy, S; Sarkar, B

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   68 巻 ( 12 ) 頁： 6059 - 6064   2021年12月

Impact of gate electrode formation process on Al₂O₃/GaN interface properties and channel mobility 査読有り

Ando, Y; Deki, M; Watanabe, H; Taoka, N; Tanaka, A; Nitta, S; Honda, Y; Yamada, H; Shimizu, M; Nakamura, T; Amano, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS   14 巻 ( 8 )   2021年8月

Improving light output power of AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes by optimizing the optical thickness of p-layers 査読有り

Matsukura, Y; Inazu, T; Pernot, C; Shibata, N; Kushimoto, M; Deki, M; Honda, Y; Amano, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS   14 巻 ( 8 )   2021年8月

Etching-induced damage in heavily Mg-doped p-type GaN and its suppression by low-bias-power inductively coupled plasma-reactive ion etching 査読有り

Kumabe, T; Ando, Y; Watanabe, H; Deki, M; Tanaka, A; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   60 巻 ( SB )   2021年5月

Experimental demonstration of GaN IMPATT diode at X-band 査読有り

Kawasaki, S; Ando, Y; Deki, M; Watanabe, H; Tanaka, A; Nitta, S; Honda, Y; Arai, M; Amano, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS   14 巻 ( 4 )   2021年4月

Fabrication of GaN cantilever on GaN substrate by photo-electrochemical etching 査読有り

Yamada, T; Ando, Y; Watanabe, H; Furusawa, Y; Tanaka, A; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Suda, J; Amano, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS   14 巻 ( 3 )   2021年3月

Optical properties of neodymium ions in nanoscale regions of gallium nitride (vol 10, pg 2614, 2020)

Sato, SI; Deki, M; Watanabe, H; Nitta, S; Honda, Y; Nishimura, T; Gibson, BC; Greentree, AD; Amano, H; Ohshima, T

OPTICAL MATERIALS EXPRESS   11 巻 ( 2 ) 頁： 524 - 524   2021年2月

Generalized Frequency Dependent Small Signal Model for High Frequency Analysis of AlGaN/GaN MOS-HEMTs 査読有り

Jadhav, A; Ozawa, T; Baratov, A; Asubar, JT; Kuzuhara, M; Wakejima, A; Yamashita, S; Deki, M; Honda, Y; Roy, S; Amano, H; Sarkar, B

IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY   9 巻   頁： 570 - 581   2021年

Electrical properties of GaN metal-insulator-semiconductor field-effect transistors with Al₂O₃/GaN interfaces formed on vicinal Ga-polar and nonpolar surfaces

Ando, Y; Nagamatsu, K; Deki, M; Taoka, N; Tanaka, A; Nitta, S; Honda, Y; Nakamura, T; Amano, H

APPLIED PHYSICS LETTERS   117 巻 ( 24 )   2020年12月

Modeling the degradation mechanisms of AlGaN-based UV-C LEDs: from injection efficiency to mid-gap state generation

Piva, F; De Santi, C; Deki, M; Kushimoto, M; Amano, H; Tomozawa, H; Shibata, N; Meneghesso, G; Zanoni, E; Meneghini, M

PHOTONICS RESEARCH   8 巻 ( 11 ) 頁： 1786 - 1791   2020年11月

Optical properties of neodymium ions in nanoscale regions of gallium nitride

Sato, SI; Deki, M; Watanabe, H; Nitta, S; Honda, Y; Nishimura, T; Gibson, BC; Greentree, AD; Amano, H; Ohshima, T

OPTICAL MATERIALS EXPRESS   10 巻 ( 10 ) 頁： 2614 - 2623   2020年10月

Photoluminescence properties of implanted Praseodymium into Gallium Nitride at elevated temperatures

Sato, S; Deki, M; Nishimura, T; Okada, H; Watanabe, H; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H; Ohshima, T

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   479 巻   頁： 7 - 12   2020年9月

Low interface state densities at Al₂O₃/GaN interfaces formed on vicinal polar and non-polar surfaces

Ando, Y; Nagamatsu, K; Deki, M; Taoka, N; Tanaka, A; Nitta, S; Honda, Y; Nakamura, T; Amano, H

APPLIED PHYSICS LETTERS   117 巻 ( 10 )   2020年9月

Change of high-voltage conduction mechanism in vertical GaN-on-GaN Schottky diodes at elevated temperatures

Sandupatla, A; Arulkumaran, S; Ng, GI; Ranjan, K; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS   13 巻 ( 7 ) 頁： .   2020年7月

Effect of Annealing on the Electrical and Optical Properties of MgZnO Films Deposited by Radio Frequency Magnetron Sputtering

Kushimoto, M; Sakai, T; Ueoka, Y; Tomai, S; Katsumata, S; Deki, M; Honda, Y; Amano, H

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   217 巻 ( 14 )   2020年7月

Impact of high-temperature implantation of Mg ions into GaN

Takahashi, M; Tanaka, A; Ando, Y; Watanabe, H; Deki, M; Kushimoto, M; Nitta, S; Honda, Y; Shima, K; Kojima, K; Chichibu, SF; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻 ( 5 ) 頁： .   2020年5月

Suppression of Green Luminescence of Mg-Ion-Implanted GaN by Subsequent Implantation of Fluorine Ions at High Temperature

Takahashi, M; Tanaka, A; Ando, Y; Watanabe, H; Deki, M; Kushimoto, M; Nitta, S; Honda, Y; Shima, K; Kojima, K; Chichibu, SF; Chen, KJ; Amano, H

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   257 巻 ( 4 )   2020年4月

Improved breakdown voltage in vertical GaN Schottky barrier diodes on free-standing GaN with Mg-compensated drift layer

Abhinay, S; Arulkumaran, S; Ng, GI; Ranjan, K; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻 ( 1 )   2020年1月

Role of defects in the mid-term degradation of UV-B LEDs investigated by optical and DLTS measurements

Piva, F; De Santi, C; Deki, M; Kushimoto, M; Amano, H; Tomozawa, H; Shibata, N; Meneghesso, G; Zanoni, E; Meneghini, M

GALLIUM NITRIDE MATERIALS AND DEVICES XV   11280 巻   2020年

Dielectric Ruduced Surface Field Effect on Vertical GaN-on-GaN Nanowire Schottky Barrier Diodes

Liao, YQ; Chen, T; Wang, J; Ando, Y; Yang, X; Watanabe, H; Hirotani, J; Kushimoto, M; Deki, M; Tanaka, A; Nitta, S; Honda, Y; Chen, KJ; Amano, H

PROCEEDINGS OF THE 2020 32ND INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES AND ICS (ISPSD 2020)     頁： 349 - 352   2020年

Low leakage Mg-compensated GaN Schottky diodes on free-standing GaN substrate for high energy α-particle detection

Sandupatia, A; Arulkurnaran, S; Ranjan, K; Ng, GI; Murumu, PP; Kennedy, J; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

2020 IEEE ELECTRON DEVICES TECHNOLOGY AND MANUFACTURING CONFERENCE (EDTM 2020)     2020年

Low Voltage High-Energy α-Particle Detectors by GaN-on-GaN Schottky Diodes with Record-High Charge Collection Efficiency

Sandupatla, A; Arulkumaran, S; Ranjan, K; Ng, GI; Murmu, PP; Kennedy, J; Nitta, S; Honda, Y; Deki, M; Amano, H

SENSORS   19 巻 ( 23 )   2019年12月

Stability and degradation of AlGaN-based UV-B LEDs: Role of doping and semiconductor defects

Piva, F; De Santi, C; Deki, M; Kushimoto, M; Amano, H; Tomozawa, H; Shibata, N; Meneghesso, G; Zanoni, E; Meneghini, M

MICROELECTRONICS RELIABILITY   100 巻   2019年9月

V-shaped dislocations in a GaN epitaxial layer on GaN substrate

Tanaka, A; Nagamatsu, K; Usami, S; Kushimoto, M; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Bockowski, M; Amano, H

AIP ADVANCES   9 巻 ( 9 )   2019年9月

Ammonia decomposition and reaction by high-resolution mass spectrometry for group III - Nitride epitaxial growth

Ye, Z; Nitta, S; Nagamatsu, K; Fujimoto, N; Kushimoto, M; Deki, M; Tanaka, A; Honda, Y; Pristovsek, M; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   516 巻   頁： 63 - 66   2019年6月

Direct evidence of Mg diffusion through threading mixed dislocations in GaN p-n diodes and its effect on reverse leakage current

Usami, S; Mayama, N; Toda, K; Tanaka, A; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

APPLIED PHYSICS LETTERS   114 巻 ( 23 )   2019年6月

Correlation between nanopipes formed from screw dislocations during homoepitaxial growth by metal-organic vapor-phase epitaxy and reverse leakage current in vertical p-n diodes on a free-standing GaN substrates

Usami, S; Tanaka, A; Fukushima, H; Ando, Y; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年6月

Effect of photoelectrochemical etching and post-metallization annealing on gate controllability of AlGaN/GaN high electron mobility transistors

Uemura, K; Deki, M; Honda, Y; Amano, H; Sato, T

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年6月

Deeply and vertically etched butte structure of vertical GaN p-n diode with avalanche capability

Fukushima, H; Usami, S; Ogura, M; Ando, Y; Tanaka, A; Deki, M; Kushimoto, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年6月

Morphological study of InGaN on GaN substrate by supersaturation (vol 508, pg 58, 2019)

Liu, ZB; Nitta, S; Robin, Y; Kushimoto, M; Deki, M; Honda, Y; Pristovsek, M; Sitar, Z; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   514 巻   頁： 13 - 13   2019年5月

Photoluminescence properties of praseodymium ions implanted into submicron regions in gallium nitride

Sato, S; Deki, M; Nakamura, T; Nishimura, T; Stavrevski, D; Greentree, AD; Gibson, BC; Ohshima, T

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻 ( 5 )   2019年5月

GaN drift-layer thickness effects in vertical Schottky barrier diodes on free-standing HVPE GaN substrates

Sandupatla, A; Arulkumaran, S; Ng, GI; Ranjan, K; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

AIP ADVANCES   9 巻 ( 4 )   2019年4月

Effect of gas phase temperature on InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy

Liu, ZB; Nitta, S; Usami, S; Robin, Y; Kushimoto, M; Deki, M; Honda, Y; Pristovsek, M; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   509 巻   頁： 50 - 53   2019年3月

Fully Ion Implanted Normally-Off GaN DMOSFETs with ALD-Al₂O₃ Gate Dielectrics

Yoshino, M; Ando, Y; Deki, M; Toyabe, T; Kuriyama, K; Honda, Y; Nishimura, T; Amano, H; Kachi, T; Nakamura, T

MATERIALS   12 巻 ( 5 )   2019年3月

Morphological study of InGaN on GaN substrate by supersaturation

Liu, ZB; Nitta, S; Robin, Y; Kushimoto, M; Deki, M; Honda, Y; Pristovsek, M; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   508 巻   頁： 58 - 65   2019年2月

Vertical GaN p-n diode with deeply etched mesa and the capability of avalanche breakdown

Fukushima, H; Usami, S; Ogura, M; Ando, Y; Tanaka, A; Deki, M; Kushimoto, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

APPLIED PHYSICS EXPRESS   12 巻 ( 2 )   2019年2月

Comparing high-purity <i>c</i>- and <i>m</i>-plane GaN layers for Schottky barrier diodes grown homoepitaxially by metalorganic vapor phase epitaxy

Nagamatsu, K; Ando, Y; Ye, Z; Barry, O; Tanaka, A; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Pristovsek, M; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 10 )   2018年10月

Improvement of breakdown voltage of vertical GaN p-n junction diode with Ga₂O₃ passivated by sputtering

Ueoka, Y; Deki, M; Honda, Y; Amano, H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 7 )   2018年7月

<i>m</i>-Plane GaN Schottky Barrier Diodes Fabricated With MOVPE Layer on Several Off-Angle <i>m</i>-Plane GaN Substrates 査読有り

Tanaka, A; Ando, Y; Nagamatsu, K; Deki, M; Cheong, H; Ousmane, B; Kushimoto, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   215 巻 ( 9 ) 頁： 1700645   2018年5月

Correlation between dislocations and leakage current of p-n diodes on a free-standing GaN substrate

Usami, S; Ando, Y; Tanaka, A; Nagamatsu, K; Deki, M; Kushimoto, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H; Sugawara, Y; Yao, YZ; Ishikawa, Y

APPLIED PHYSICS LETTERS   112 巻 ( 18 )   2018年4月

Femtosecond-Laser-Induced Defects on Silicon Carbide Probed by Electrical Conductivity 査読有り

Tomita, T; Deki, M; Yanagita, E; Bando, Y; Naoi, Y; Makino, T; Ohshima, T

JOURNAL OF LASER MICRO NANOENGINEERING   12 巻 ( 2 ) 頁： 72 - 75   2017年9月

Effect of dislocations on the growth of p-type GaN and on the characteristics of p-n diodes

Usami, S; Miyagoshi, R; Tanaka, A; Nagamatsu, K; Kushimoto, M; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   214 巻 ( 8 )   2017年8月

Facet dependence of leakage current and carrier concentration in m-plane GaN Schottky barrier diode fabricated with MOVPE

Tanaka, A; Barry, O; Nagamatsu, K; Matsushita, J; Deki, M; Ando, Y; Kushimoto, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   214 巻 ( 8 )   2017年8月

Effect of V/III ratio on the surface morphology and electrical properties of <i>m</i>-plane (10(1)over-bar0) GaN homoepitaxial layers

Barry, OI; Tanaka, A; Nagamatsu, K; Bae, SY; Lekhal, K; Matsushita, J; Deki, M; Nitta, S; Honda, Y; Amano, H

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   468 巻   頁： 552 - 556   2017年6月

Development of Sustainable Smart Society based on Transformative Electronics

Ogura, M; Ando, Y; Usami, S; Nagamatsu, K; Kushimoto, M; Deki, M; Tanaka, A; Nitta, S; Honda, Y; Pristovsek, M; Kawai, H; Yagi, S; Amano, H

2017 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM)     頁： .   2017年

Effect of V/III ratio on the surface morphology and electrical properties of m-plane(10-10) GaN homoepitaxial layers 査読有り

Ousmane I Barry, Atsushi Tanaka, Kentaro Nagamatsu, Si-Young Bae, Kaddour Lekhal, Junya Matsushita, Manato Deki, Shugo Nitta, Yoshio Honda and Hiroshi Amano

Journal of Crystal Growth     頁： 10.1016   2016年12月

Structural and optical study of core-shell InGaN layers of nanorod arrays with multiple stacks of InGaN/GaN superlattices for absorption of longer solar spectrum 査読有り

Byung Oh Jung, Kaddour Lekhal, Dong-Seon Lee, Manto Deki, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

Japanese Journal of Applied Physics     頁： 05FG03   2016年4月

Highly elongated vertical GaN nanorod arrays on Si substrates with an AlN seed layer by pulsed-mode metal-organic vapor deposition 査読有り

Byung Oh Jung, Kaddour Lekhal, Sang-Yun Kim, Jung-Yong Lee, Dong-Seon Lee, Manto Deki, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

CrystEngComm   ( 18 ) 頁： 1505   2016年1月

Linear energy transfer dependence of single event gate rupture in SiC MOS capacitors 査読有り

Deki Manato, Makino Takahiro, Iwamoto Naoya, Onoda Shinobu, Kojima Kazutoshi, Tomita Takuro, Ohshima Takeshi

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   319 巻   頁： 75-78   2014年1月

Ternperature Dependence of Electric Conductivities in Femtosecond Laser Modified Areas in Silicon Carbide 査読有り

Deki Manato, Oka Tomoki, Takayoshi Shodai, Naoi Yoshiki, Makino Takahiro, Ohshima Takeshi, Tomita Takuro

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2013, PTS 1 AND 2   778-780 巻   頁： 661-664   2014年

Single Event Gate Rupture in SiC MOS Capacitors with Different Gate Oxide Thicknesses 査読有り

Deki Manato, Makino T., Kojima K., Tomita T., Ohshima T.

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2013, PTS 1 AND 2   778-780 巻   頁： 440-443   2014年

Heavy-Ion Induced Anomalous Charge Collection From 4H-SiC Schottky Barrier Diodes 査読有り

Makino Takahiro, Deki Manato, Iwamoto Naoya, Onoda Shinobu, Hoshino Norihiro, Tsuchida Hidekazu, Hirao Toshio, Ohshima Takeshi

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE   60 巻 ( 4 ) 頁： 2647-2650   2013年8月

Electrical Conduction Properties of SiC Modified by Femtosecond Laser 査読有り

Ito Takuto, Deki Manato, Tomita Takuro, Matsuo Shigeki, Hashimoto Shuichi, Kitada Takahiro, Isu Toshiro, Onoda Shinobu, Ohshima Takeshi

JOURNAL OF LASER MICRO NANOENGINEERING   7 巻 ( 1 ) 頁： 16-20   2012年2月

Enhancement of local electrical conductivities in SiC by femtosecond laser modification 査読有り

Deki Manato, Ito Takuto, Yamamoto Minoru, Tomita Takuro, Matsuo Shigeki, Hashimoto Shuichi, Kitada Takahiro, Isu Toshiro, Onoda Shinobu, Ohshima Takeshi

APPLIED PHYSICS LETTERS   98 巻 ( 13 )   2011年3月

Femtosecond laser modification aiming at the enhancement of local electric conductivities in SiC 査読有り

Deki Manato, Yamamoto Minoru, Ito Takuto, Tomita Takuro, Matsuo Shigeki, Hashimoto Shuichi, Kitada Takahiro, Isu Toshiro, Onoda Shinobu, Ohshima Takeshi

PHYSICS OF SEMICONDUCTORS: 30TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS   1399 巻   2011年

Single-shot picosecond interferometry with one-nanometer resolution for dynamical surface morphology using a soft X-ray laser 査読有り

Suemoto Tohru, Terakawa Kota, Ochi Yoshihiro, Tomita Takuro, Yamamoto Minoru, Hasegawa Noboru, Deki Manato, Minami Yasuo, Kawachi Tetsuya

OPTICS EXPRESS   18 巻 ( 13 ) 頁： 14114-14122   2010年6月

Raman Spectroscopic Stress Evaluation of Femtosecond-Laser-Modified Region Inside 4H-SiC 査読有り

Yamamoto Minoru, Deki Manato, Takahashi Tomonori, Tomita Takuro, Okada Tatsuya, Matsuo Shigeki, Hashimoto Shuichi, Yamaguchi Makoto, Nakagawa Kei, Uehara Nobutomo, Kamano Masaru

Applied physics express   3 巻 ( 1 ) 頁： 16603-016603-3   2010年1月

フリーホイールダイオードを内蔵したソース接続分極超接合トランジスタの飽和電流増加構造の検討

小久保 瑛斗, 渡邉 浩崇, 出来 真斗, 田中 敦之, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩

第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年3月24日 

Fabrication of GaN Polarization Super Junction (PSJ) FET with built-in freewheeling diode 国際会議

Eito Kokubo, Hirotaka Watanabe, Manato Deki, Atsushi Tanaka, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

International Conference on Materials and Systems for Sustainability（ICMaSS 2023）  2023年12月2日 

"Nanoscale Temperature Sensing Using Praseodymium Ions Implanted in Gallium Nitride Semiconductors" 国際会議

Shin-ichiro Sato, Manato Deki, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

International Conference on Materials and Systems for Sustainability（ICMaSS 2023）  2023年12月2日 

Electrical characteristics of Al2O3/LT-AlN/GaN MIS capacitors fabricated by in situ growth 国際会議

Ren Obata, Takeru Kumabe, Hirotaka Watanabe, Manato Deki, Yoshio Honda and Hiroshi Amano

International Conference on Materials and Systems for Sustainability（ICMaSS 2023）  2023年12月2日 

Mgの熱拡散によるp型GaNの実現とデバイス応用への課題

伊藤 佑太, 渡邉 浩崇, 出来 真斗, 新田 州吾, 田中 敦之, 本田 善夫, 天野　浩

"電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE) / 電子デバイス研究会(ED) / 電子部品・材料研究会(CPM) "  2023年11月30日 

Lateral p-type GaN Schottky barrier diode using annealed Mg ohmic contact layer on low-Mg-concentration p-GaN 国際会議

Shun Lu, Manato Deki, Takeru Kumabe, Jia Wang, Kazuki Ohnishi, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14)  2023年11月13日 

15 GHz GaN Hi-Lo IMPATT diodes with pulsed peak power of 25.5 W 国際会議

Seiya Kawasaki, Takeru Kumabe, Manato Deki, Hirotaka Watanabe, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Manabu Arai and Hiroshi Amano

14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14)  2023年11月16日 

HVPE 法及びMOVPE法により成長させた低Mg濃度p型GaNの準位

大原 悠樹, 出来 真斗, 陸 順, 大西 一生, 渡邉 浩崇, 本田 善央, 天野 浩

第10回 応用物理学会 名古屋大学スチューデントチャプター 東海地区学術講演会  2023年11月3日 

Highly effective activation of Mg-diffused p-type GaN using Mg/GaN mixed crystal

Yuta Itoh, Masaya Takeda, Hirotaka Watanabe, Manato Deki, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Atsushi Tanaka, and Hiroshi Amano

第42回電子材料シンポジウム（EMS42）  2023年10月13日 

Analysis of single ion induced signals in gallium nitrides toward deterministic single-ion implantation 国際会議

T. Fujita, S.-I. Sato, M. Deki, H. Watanabe, S. Nitta, Y. Honda, H. Amano, and H. Tsuchida

26th International Conference on Ion Beam Analysis, 18th International Conference on Particle Induced X-ray Emission (IBA-PIXE2023)  2023年10月13日 

フリーホイールダイオードを内蔵したソース接続PSJトランジスタのシミュレーション及び作製

小久保 瑛斗, 渡邉 浩崇, 田中 敦之, 出来 真斗, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩

第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年9月23日 

マイクロ波帯Hi-Lo型GaN IMPATTダイオードにおけるLo層ドナー濃度が入出力特性に与える影響

川崎 晟也, 隈部 岳瑠, 出来 真斗, 渡邉 浩崇, 田中 敦之, 本田 善央, 新井 学, 天野 浩

第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年9月21日 

Optical Activation of Praseodymium Ions Implanted in GaN after Ultra-High Pressure Annealing 国際会議

Shin Ito, Shinichiro Sato, Michal Boćkowski, Manato Deki, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Kenichi Yoshida, Hideki Minagawa, Naoto Hagura

21st International Conference on Radiation Effects in Insulators (REI-21)  2023年9月7日 

GaNの表面保護プロセスがGaN/絶縁膜界面特性に与える影響

小幡 蓮, 隈部 岳瑠, 渡邉 浩崇, 出来 真斗, 本田 善央, 天野 浩

第15回ナノ構造エピタキシャル成長講演会  2023年6月15日 

Recess-etching-free GaN p-MOSFET achieved by p-type contact to GaN/AlGaN heterojunction with Mg-annealing process 国際会議

Shun Lu, Manato Deki, Jia Wang, Hirotaka Watanabe, Eito Kokubo, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

GaN Marathon 2024  2023年6月11日 

Fabrication of GaN Hi-Lo IMPATT diode 国際会議

Seiya Kawasaki, Takeru Kumabe, Manato Deki, Hirotaka Watanabe, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Manabu Arai and Hiroshi Amano

WOCSDICE-EXMATEC 2023  2023年5月25日 

窒化ガリウム半導体における単一イオンヒット検出条件の検討

藤田 泰樹, 佐藤 真一郎, 出来 真斗, 渡邊 浩崇, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩, 土田 秀次

第70回　応用物理学会　春季学術講演会  2023年3月17日 

希土類イオン注入したGaNの超高圧熱処理による発光特性および結晶構造の変化

伊藤 慎, 佐藤 真一郎, Michal Bockowski, 出来 真斗, 渡邊 浩崇, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩, 吉田 謙一, 南川 英輝, 羽倉 尚人

第70回　応用物理学会　春季学術講演会  2023年3月17日 

GaN/AlN共鳴トンネルダイオードの動作電圧低減・高電流密度化

岩田大暉，隈部岳瑠，渡邉浩崇，出来真斗，本田善央，天野浩

第70回　応用物理学会　春季学術講演会  2023年3月18日 

マイクロ波帯Hi Lo型GaN IMPATTダイオードの設計および作製

川崎晟也, 隈部岳瑠, 出来真斗, 渡邉浩崇, 田中敦之, 本田善央, 新井学, 天野 浩

第70回　応用物理学会　春季学術講演会  2023年3月18日 

K-Ka帯GaN IMPATTダイオードの作製

川崎 晟也, 隈部 岳瑠, 出来 真斗, 渡邉 浩崇, 田中 敦之, 本田 善央, 新井 学, 天野 浩

2024 年 電子情報通信学会 総合大会  2023年3月6日 

GaN縦型pnダイオード駆動中の多光子励起OBICを用いたキャリア密度分布測定手法の模索

八木誠，川崎晟也，隈部岳瑠，安藤悠人，田中敦之，出来真斗，久志本真希，新田州吾，本田善央，天野浩

第9回 応用物理学会 名古屋大学SC東海地区学術講演会  2022年12月10日 

MOVPE法を用いたGaN/AlN共鳴トンネルダイオードの作製

岩田大暉, 隈部岳瑠, 渡邉浩崇, 出来真斗, 久志本真希, 新田州吾, 田中敦之, 本田善央, 天野浩

第9回 応用物理学会 名古屋大学SC東海地区学術講演会  2022年12月10日 

Highly effective activation of Mg-diffused p-type GaN using MgGaN 国際会議

IWN2022  2022年10月12日 

Fabrication of GaN/AlN Resonant tunneling diodes by MOVPE 国際会議

IWN2022  2022年10月12日 

GaN IMPATT diode with pulsed watt-class microwave oscillation 国際会議

IWN2022  2022年10月13日 

コロナCV法を用いたAl2O3/AlGaN/GaN構造の非接触電気特性評価

竹村亮太, 渡邉浩崇, 出来真斗, 本田善央, 天野浩

第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会  2022年9月24日 

Mg熱拡散法を用いた縦型GaNp-n接合ダイオードの作製

伊藤佑太, 川崎 晟也, 権熊, 島村 健矢, 成田 周平, 渡邉浩崇, 出来真斗, 新田州吾, 本田善央, 田中敦之, 天野浩

第83回　応用物理学会　秋季学術講演会  2022年9月22日 

p型分極ドープAlGaN層中のShockley-Read-Hall寿命

隈部岳瑠, 川崎晟也, 渡邉浩崇, 出来真斗, 本田善央, 天野浩

第83回　応用物理学会　秋季学術講演会  2022年9月22日 

異なるキャリア濃度を有するn型GaNに対する多光子励起 PECエッチングの調査

丹羽 ののか，川崎 晟也, 隈部 岳瑠, 渡邉 浩崇, 古澤 優太, 田中 敦之, 出来 真斗, 久志本 真希, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩

第83回　応用物理学会　秋季学術講演会  2022年9月23日 

熱拡散法を用いて形成されたp-GaN中のMgの拡散

島村健矢, 伊藤佑太, 隈部岳瑠, 川崎晟也, 渡邉浩崇, 出来真斗, 新田州吾, 田中敦之, 本田善央, 天野浩

第83回　応用物理学会　秋季学術講演会  2022年9月22日 

For 3D Processing of GaN by Photo Enhanced Chemical Etching Method Utilizing Multi-photon Excitation 国際会議

LEDIA2022  2022年4月21日 

III族窒化物半導体検出器の⾼温耐性評価

林 幸佑, 中川 央也, 川崎 晟也, 出来 真⽃, 本⽥ 善央, 天野 浩, 井上 翼, ⻘⽊ 徹, 中野 貴之

第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月23日 

縦型p-n接合ダイオードにおける貫通転位による耐圧近傍での微小電流増加

權 熊, 川崎 晟也, 渡邉 浩崇, 田中 敦之, 出来 真斗, 新田 州吾, 本田 善央, 池田 宏隆, 磯 憲司, 天野 浩

第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月23日 

空孔誘導Mg熱拡散法を用いたGaNのMg濃度制御

伊藤佑太, 島村健矢, 渡邉浩崇, 出来真斗, 新田州吾, 本田善央, 田中敦之, 天野浩

第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月23日 

Mg熱拡散を用いたGaNのp型化プロセス

伊藤佑太, 陸順, 渡邉浩崇, 出来真斗, 新田州吾, 田中敦之, 本田善央, 天野浩

第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月23日 

多光子励起OBICを用いたGaN縦型p-nダイオード駆動中におけるキャリア濃度分布測定手法の提案

八木誠，川崎晟也，隈部岳瑠，安藤悠人，田中敦之，出来真斗，久志本真希，新田州吾，本田善央，天野浩

第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月23日 

超⾼圧アニールによるMg拡散を⽤いたp型ゲートAlGaN/GaNHEMTの閾値電圧制御

⼭下 隼平, 渡邉 浩崇, 安藤 悠⼈, ⽥中 敦之, 出来 真⽃, 新⽥ 州吾, 本⽥ 善央, Michal Bockowski, 加地徹, 天野 浩

第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月23日 

アニールしたMg層による低濃度p型GaNへの接触抵抗低減

陸 順, 出来 真斗, 王 嘉, 大西 一生, 安藤 悠人, 渡邉 浩崇, 隈部 岳瑠, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩

第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月23日 

GaN IMPATTダイオードにおける発振特性の接合直径依存性

川崎晟也, 隈部岳瑠, 安藤悠人, 出来真斗, 渡邉 浩崇, 田中敦之, 新田州吾, 本田善央, 新井学, 天野浩

第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月23日 

多光子励起を用いた光化学エッチングによるGaN3次元加工の検討

丹羽 ののか，川崎 晟也, 隈部 岳瑠, 田中 敦之, 出来 真斗, 新田 州吾, 本田善央, 天野 浩

第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月23日 

Reduction of Specific Contact Resistance on p-type GaN by Thermal Annealed Mg Layer 国際会議

Shun Lu, Manato Deki, Jia Wang, Kazuki Ohnishi, Yuto Ando, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda and Hiroshi Amano

ICMaSS2021  2021年11月5日 

GaNへのMgイオン高温注入時におけるビーム電流量が欠陥導入に与える影響

伊藤佑太, 渡邉浩崇, 安藤悠人, 出来真斗, 狩野絵美, 新田州吾, 本田 善央, 五十嵐信行, 田中敦之, 天野浩

第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月12日 

窒化ガリウム中プラセオジムの発光を利⽤したナノスケール領域温度計測

佐藤 真⼀郎, 出来 真⽃, ⻄村 智朗, 渡邉 浩崇, 新⽥ 州吾, 本⽥ 善央, 天野 浩, Greentree Andrew, Gibson Brant, ⼤島 武

第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月10日 

“Regrowth-free” Fabrication of AlGaN/GaN HBT with N-p-n Configuration 国際会議

Takeru Kumabe, Yuto Ando, Hirotaka Watanabe, Atsushi Tanaka, Manato Deki, Shugo Nitta, Yoshio Honda and Hiroshi Amano

SSDM2021  2021年9月7日 

Influence of Annealing on Sputtered Boron Nitride Film

H. S. Wang, T. Sakai, X. Yang, M. Deki, M. Kushimoto, A. Tanaka, S. Nitta, Y. Honda, and H. Amano

ISPlasma2019  2019年3月18日 

Effects of Drift Layer Thicknesses in Reverse Conduction Mechanism on Vertical GaN-on-GaN SBDs grown by MOCVD 国際共著 国際会議

S. Abhinay, S. Arulkumaran, G.I. Ng, K. Ranjan, M. Deki, S. Nitta, Y. Honda and H. Amano

EDTM 2019  2019年3月14日 

Screw dislocations and nanopipe generation in a MOVPE-grown homoepitaxial layer on freestanding GaN substrates and the electrical influence on vertical p−n diodes 国際会議

Shigeyoshi Usami, Atsushi Tanaka, Hayata Fukushima, Yuto Ando, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Aman

International Workshop on Nitride Semiconductors 2018  2018年11月15日 

Vertical GaN pn diode with Avalanche capability structure 国際会議

Hayata Fukushima, Shigeyoshi Usami, Yuto Ando, Atsushi Tanaka, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

International Workshop on Nitride Semiconductors 2018  2018年11月12日 

Effect of the misorientation angle of GaN substrate on high-indium-content InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy 国際会議

Zhibin Liu, Shugo Nitta, Yoann Robin, Maki Kushimoto, Manato Deki, Yoshio Honda, Markus Pristovsek, and Hiroshi Amano

International Workshop on Nitride Semiconductors 2018, Ishikawa, Japan 

O2プラズマ処理およびO3酸化処理を行ったAl2O3/GaN構造の界面準位密度評価

曾根 和詩、 松下 淳矢、 安藤 悠人、 永松 謙太郎、 田中 敦之、 久志本 真希、 出来 真斗、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩

第64回応用物理学会春季学術講演会 

2次元正孔ガスを用いたコレクタトップ縦型 GaNHBT の作製

安藤 悠人、 小倉 昌也、 松下 淳矢、 宇佐美 茂佳、 田中 敦之、 永松 謙太郎、 久志本 真希、 出来 真斗、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩

第64回応用物理学会春季学術講演会 

Si基板上半極性(1101)GaNストライプレーザー端面への反射膜作製

鈴木 崇文、 伊藤 大貴、 久志本 真希、 出来 真斗、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩

第64回応用物理学会春季学術講演会 

m面GaN SBDの漏れ電流のファセット依存性

バリー １オースマネー、田中 敦之、永松 謙太郎、久志本 真希、出来 真斗、新田 州吾、本田 善央、天野 浩

第64回応用物理学会春季学術講演会 

GaN自立基板上PNダイオードの逆方向リークと転位の関係

宇佐美 茂佳、 安藤 悠人、 田中 敦之、 永松 謙太郎、 久志本 真希、 出来 真斗、 新田 州吾、 本田 善央、 天野 浩

第64回応用物理学会春季学術講演会 

絶対吸収率と光電流測定とを組み合わせた発光ダイオードの光励起キャリア濃度定量

宇佐美 茂佳、 小島 一信、 久志本 真希、 出来 真斗、 新田 州吾、 本田 善央、 秩父 重英、 天野 浩

第64回応用物理学会春季学術講演会 

Morphology control of InGaN layer on GaN substrate by metalorganic vapor phase epitaxy

Zhibin Liu, Ryosuke Miyagoshi, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

窒化ホウ素を用いたGaN-MISキャパシタの作製と電気特性評価

松下　淳矢、永松　謙太郎、Xu　Yang、田中 敦之、久志本 真希、出来 真斗、新田 州吾、本田 善央、天野 浩

先進パワー半導体分科会第3回講演会 

自立基板上のn--GaN へのMg イオン注入によるp 型層の形成

HE Shang、曾根和詩、田中敦之、宇佐美茂佳、永松謙太郎、宮本直樹、永山勉、出来真斗、本田善央、天野浩

先進パワー半導体分科会第3回講演会 

2次元正孔ガスを用いたコレクタトップ縦型GaN-HBTの作製

安藤 悠人、小倉 昌也、松下 淳矢、宇佐美 茂佳、田中 敦之、永松 謙太郎、久志本 真希、出来 真斗、新田 州吾、本田 善央、天野 浩

先進パワー半導体分科会第三回講演会 

Facet distribution of leakage current and carrier concentration in m-plane

Atsushi Tanaka, Ousmane 1 Barry, Kentaro Nagamatsu, Junya Matsushita, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

IWN2016 

Effect of dislocation on the growth of p-type GaN and device characteristics

Shigeyoshi Usami, Ryosuke Miyagoshi, Kentaro Nagamatsu, Atsushi Tanaka, Shugo Nitta, Manato Deki, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

IWN2016 

ナノ情報デバイスセミナー1A

2021

ベンチャービジネス特論Ⅰ

2021

最先端理工学実験

2021

最先端理工学特論

2021

ベンチャービジネス特論Ⅱ

2021

ナノ情報デバイスセミナー1D

2021

ナノ情報デバイスセミナー1B

2021

ナノ情報デバイスセミナー2D

2021

電気電子情報工学実験第１

2017

電気・電子工学実験第２

2017

固体電子工学及び演習

2017

卒業研究A

2017

電気電子情報工学実験第１

2016

電気・電子工学実験第２

2016

固体電子工学及び演習

2016

卒業研究A

2016

卒業研究A

2015

電気電子情報工学実験第１

2015

固体電子工学及び演習

2015