受賞区分：国内学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国：日本国

受賞区分：国際学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国：日本国

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.35848/1347-4065/acaeb3

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1063/5.0129247

担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP Publishing  

We investigated the effect of interfacial nitrogen (N) defects on tunnel magnetoresistance (TMR) in Fe/MgO/Fe magnetic tunnel junctions (MTJs) which are the basic building block of magnetoresistive random access memory. The N atoms are predicted to originate from the SiN covering for antioxidation. It was found from first-principles quantum-transport calculations that the N defects significantly worsen the TMR. This is particularly evident in the MTJ models with an additional N atom at the MgO/Fe interface, because a conduction channel appears in the antiparallel magnetization configuration due to the N defects. The TMR is directly related to the read error rate of data and the scaling of the memory cell. Therefore, the prevention of nitrogen contamination during the manufacturing processes is a prerequisite for maintaining high performance.

DOI： 10.1063/5.0126570

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP Publishing  

The application of graphene in new light-emitting devices has been extensively studied since the demonstration of the ultrafast luminescence from single-layer graphene. The control of luminescence using doping techniques is crucial for these applications. In particular, for the application of graphene in flexible and wearable devices, electrochemical doping is a promising approach, and its influence on luminescence properties of the resulting material needs to be examined. In this study, we demonstrate the effect of the electrochemical doping of graphene using an ion gel on the photoluminescence (PL) of graphene at the emission energy [Formula: see text] of 0.9 eV. The Fermi energy [Formula: see text] of graphene was controlled from [Formula: see text] to [Formula: see text], and femtosecond PL was observed. The PL intensity was maximum when [Formula: see text] was [Formula: see text] [Formula: see text]. This trend of the PL intensity is due to (i) an increase in the PL emission rate owing to the doping-induced empty states in the valence band acting as the final states of the radiative relaxation of hot electrons and (ii) an increase in the non-radiative relaxation rate owing to the acceleration of carrier–carrier scattering by the doping-induced increase in the density of states around the [Formula: see text].

DOI： 10.1063/5.0092558

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.35848/1347-4065/ac6a3f

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac4140

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：{IOP} Publishing  

DOI： 10.1088/2053-1583/ac2bef

Web of Science

担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Informa {UK} Limited  

DOI： 10.1080/27660400.2021.1930915

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： https://doi.org/10.1541/ieejsmas.141.292

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1103/PhysRevMaterials.5.053403

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.35848/1347-4065/abf089

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.3390/condmat5040069

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1063/5.0029012

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担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1063/5.0018855

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.apsusc.2020.146224

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1002/admi.201902132

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.35848/1347-4065/ab69de

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

© 2019 American Chemical Society. The surface morphology and electronic structure of layered semiconductor 1-trigonal phase titanium disulfide, i.e., 1T-TiS2(0001), with Sn intercalation, have been studied by scanning tunneling microscopy (STM), low-energy electron diffraction, synchrotron radiation photoemission spectroscopy, and first-principles calculations based on density functional theory (DFT). From the STM images, we show that Sn atoms are intercalated into TiS2 layers. The electronic structure exhibits electron Fermi pockets around M points and characteristic band dispersions around the M and K points after Sn intercalation. The DFT calculations reveal the geometrical site of intercalated Sn atom, which is surrounded by six sulfur atoms with D3d symmetry. The calculated electronic band structures are in good agreement with the experimental band structure.

DOI： 10.1021/acs.jpcc.9b05492

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

© 2019 Elsevier B.V. In this work, we propose a new switching model for Vacancy Modulated Conductive Oxide (VMCO) memories which are non-filamentary resistive switching memories. In recent years, attention has been drawn to VMCO memories because the current through them depends on the area of the device. Since the switching mechanism in VMCO memories has not yet been clarified, we carried out first principles calculations to study this phenomenon. Previous studies have shown that a current path is created by the oxygen vacancies (Vo) in TiO2. We discovered that the formation and disappearance of Vo near the TiO2/a-Si interface in TiO2 can be controlled by applying a voltage, and that this could be used to control the current. From this, we proposed a new switching model for VMCO memories.

DOI： 10.1016/j.mee.2019.110997

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

© 2019 IEEE. It is known that threading dislocations degrade the performance of GaN-based electronic devices. Electronic structure of threading dislocations in GaN is not fully understood. Accordingly, we examine the electronic structures of threading dislocations in GaN using first principles calculations based on density functional theory (DFT) and to clarify the origin of the leakage current. We have comprehensively studied the relation between threading core structures and electronic property in GaN thin films. Our calculation models of threading dislocations are the edge dislocations with Burgers vectors of 1/3 [11-20] and the screw dislocations with Burgers vectors of [0001]. We examined various core types of the threading dislocations. We found that both edge dislocations and screw dislocations do not cause the leakage currents in n-type GaN based devices because no defect level appears near the conduction band bottom.

DOI： 10.1109/ICIPRM.2019.8819270

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Using a multi-orbital tight-binding model, we have studied the edge states of
zigzag silicene, germanene, and stanene nanoribbons (ZSiNRs, ZGeNRs and ZSnNRs,
respectively) in the presence of the Coulomb interaction and a vertical
electric field. The resulting edge states have non-linear energy dispersions
due to multi-orbital effects, and the nanoribbons show induced magnetization at
the edges. Owing to this non-linear dispersion, ZSiNRs, ZGeNRs and ZSnNRs may
not provide superior performance in field effect transistors, as has been
proposed from single-orbital tight-binding model calculations. We propose an
effective low-energy model that describes the edge states of ZSiNRs, ZGeNRs,
and ZSnNRs. We demonstrate that the edge states of ZGeNR and ZSnNR show
anti-crossing of bands with opposite spins, even if only out-of-plane edge
magnetization is present. The ability to tune the spin polarizations of the
edge states by applying an electric field points to future opportunities to
fabricate silicene, germanene and stanene nanoribbons as spintronics devices.

DOI： 10.1088/1361-648X/aaf8ce

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

© 2019 IEEE. We clarify the physical origin of excellent performance and reliability in AgW-alloy ionic memory. AgW-alloy ionic memory shows low operation current in sub-μA range, good data retention and low operation voltage, which are desirable characteristics for high-density cross-point applications. Mechanisms of the improvements in AgW alloy devices compared to pure Ag and AgTi alloy devices are discussed based on first-principles calculations. We find that large cohesive energy of W is a key for improving data retention while keeping low operation voltage in AgW-alloy ionic memory.

DOI： 10.1109/IMW.2019.8739678

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

© 2018 American Chemical Society. Large-scale two-dimensional sheets of graphene-like germanium, namely, germanene, have been epitaxially prepared on Ag(111) thin films grown on Ge(111), using a segregation method, differing from molecular beam epitaxy used in previous reports. From the scanning tunneling microscopy (STM) images, the surface is completely covered with an atom-thin layer showing a highly ordered long-range superstructure in wide scale. Two types of protrusions, named hexagon and line, form a (7âš7 × 7âš7)R19.1° supercell with respect to Ag(111), with a very large periodicity of 5.35 nm. Auger electron spectroscopy and high-resolution synchrotron radiation photoemission spectroscopy demonstrate that Ge atoms are segregated on the Ag(111) surface as an overlayer. Low-energy electron diffraction clearly shows incommensurate "(1.35 × 1.35)"R30° spots, corresponding to a lattice constant of 0.39 nm, in perfect accord with close-up STM images, which clearly reveal an internal honeycomb arrangement with corresponding parameter and low buckling within 0.01 nm. As this 0.39 nm value is in good agreement with the theoretical lattice constant of free-standing germanene, conclusively, the segregated Ge atoms with trivalent bonding in honeycomb configuration form a characteristic two-dimensional germanene-like structure.

DOI： 10.1021/acsnano.8b07006

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

© 2018 Author(s). SiO2 formed by the thermal oxidation of SiC has numerous defects, and the stoichiometry of the SiO2 near the SiC/SiO2 interface differs from that of SiO2 near the Si/SiO2 interface. We assume that, during the oxidation of SiC, CO and CO2 molecules are released, and that these molecules interact with the SiO2 and form defects. Considering the Gibbs free energy of these molecules, we found that CO molecules reduce part of the amorphous SiO2 at high temperatures, resulting in the formation of oxygen vacancy defects concomitant with the formation of CO2 molecules. In particular, when the partial pressure of the CO molecules is higher than that of the CO2 molecules, the number of oxygen vacancy defects increases. This means that post-oxidation annealing with CO molecules induces defects and degrades the breakdown field of SiO2. On the other hand, when the partial pressure of the CO2 molecules is larger than that of the CO molecules, reduction by the CO molecules does not occur, and the CO2 molecules can oxidize oxygen vacancy defects in SiO2. This means that post-oxidation annealing with CO2 molecules enables recovery of the oxygen vacancy defects and improves the breakdown field and flatband shift of SiO2 gate dielectrics. Accordingly, it is possible to reduce the formation of oxygen vacancies in amorphous SiO2 by performing post-oxidation annealing in a CO2 gas ambient.

DOI： 10.1063/1.5041794

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics  

© 2018 The Japan Society of Applied Physics. Metal-oxide-nitride-oxide-semiconductor (MONOS) memories are attracting considerable interest for use as next-generation three-dimensional (3D) NAND flash memories; however, these memories have a serious reliability issue, that is, the irreversible threshold voltage shift arising from the generation of interface states at the Si/SiO2 interface due to program/erase (P/E) cycling. The clarification of the origin of this shift is essential in order to enable us to design high-reliability MONOS devices in the future. We clarified from first-principles calculations that defects consisting of an O vacancy and two substituent N atoms, (NO)2VO, are generated in SiO2, and that these turn into positively charged NSi2H2+ defects by trapping protons when a negative gate bias is applied. Furthermore, we found that thermal treatment in H2 atmosphere prevents (NO)2VO defects from turning into NSi2H2+ defects. This work clearly shows that proton trapping by (NO)2VO defects in SiO2 is the cause of interface state generation, leading to irreversible threshold voltage shifts during P/E cycling.

DOI： 10.7567/JJAP.57.081101

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics  

© 2018 The Japan Society of Applied Physics. The growth of a two-dimensional crystal of Ge atoms on an atomically flat Ag(111) surface has been demonstrated by the thermal annealing of a heteroepitaxial Ag/Ge structure in N2 ambient at atmospheric pressure. The surface morphology and chemical bonding features of heteroepitaxial Ag(111) grown on wet-cleaned Ge(111) after annealing at different temperatures and for various times have been systematically investigated to control the surface segregation of Ge atoms and the planarization of the heteroepitaxial Ag(111) surface.

DOI： 10.7567/JJAP.57.06HD08

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics  

© 2018 The Japan Society of Applied Physics. We performed first-principle calculations to investigate the effect of incorporation of N atoms into Al2O3 gate dielectrics. Our calculations show that the defect levels generated by VO in Al2O3 are the origin of the stress-induced gate leakage current and that VOVAl complexes in Al2O3 cause negative fixed charge. We revealed that the incorporation of N atoms into Al2O3 eliminates the VO defect levels, reducing the stress-induced gate leakage current. Moreover, this suppresses the formation of negatively charged VOVAl complexes. Therefore, AlON can reduce both stress-induced gate leakage current and negative fixed charge in wide-bandgap-semiconductor MOSFETs.

DOI： 10.7567/APEX.11.061501

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics  

© 2018 The Japan Society of Applied Physics. The interfacial phase change memory (iPCM) based on a GeTe/Sb2Te 3 superlattice is one of the candidates for future storage class memories. However, the atomic structures of the high and low resistance states (HRS/LRS) remain unclear and the resistive switching mechanism is still under debate. Clarifying the switching mechanism is essential for developing further high-reliability and low-power-consumption iPCM. We propose, on the basis of the results of first-principles molecular dynamics simulations, a mechanism for resistive switching, and describe the atomic structures of the high and low resistance states of iPCM for unipolar switching. Our simulations indicated that switching from HRS to LRS occurs with Joule heating only, while that from LRS to HRS occurs with both hole injection and Joule heating.

DOI： 10.7567/JJAP.57.04FE08

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics  

© 2018 The Japan Society of Applied Physics. We analyzed the decomposition of Ga(CH3)3 (TMG) during the metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) of GaN on the basis of first-principles calculations and thermodynamic analysis. We performed activation energy calculations of TMG decomposition and determined the main reaction processes of TMG during GaN MOVPE. We found that TMG reacts with the H2 carrier gas and that (CH3)2GaH is generated after the desorption of the methyl group. Next, (CH3)2GaH decomposes into (CH3)GaH2 and this decomposes into GaH3. Finally, GaH3 becomes GaH. In the MOVPE growth of GaN, TMG decomposes into GaH by the successive desorption of its methyl groups. The results presented here concur with recent highresolution mass spectroscopy results.

DOI： 10.7567/JJAP.57.04FJ03

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics  

© 2018 The Japan Society of Applied Physics. Two-dimensional (2D) crystals of Si and Ge atoms such as silicene and germanene are currently receiving much attention because of their exceptional electronic properties. We have studied the growth of ultrathin Si and Ge layers by the segregation of Si and Ge atoms on the Ag surface from the substrate by annealing the Ag/Si(111), Ag/Ge(111), and Ag/Si0.5Ge0.5(111) structures. After the epitaxial growth of the Ag(111) layer on the substrate by thermal evaporation, the stability of the Ag surface was also investigated for use as the template of ultrathin Si and Ge crystals. After annealing a ∼90-nm-thick Ag(111)/Ge(111) structure at 450°C in N2 ambience for 2h, the surface segregation of Ge and a flat Ag surface were demonstrated.

DOI： 10.7567/JJAP.57.04FJ05

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics  

© 2018 The Japan Society of Applied Physics. It is expected that the off-state leakage current of MOSFETs can be reduced by employing vertical body channel MOSFETs (V-MOSFETs). However, in fabricating these devices, the structure of the Si pillars sometimes cannot be maintained during oxidation, since Si atoms sometimes disappear from the Si/oxide interface (Si missing). Thus, in this study, we used first-principles calculations based on the density functional theory, and investigated the Si emission behavior at the various interfaces on the basis of the Si emission model including its atomistic structure and dependence on Si crystal orientation. The results show that the order in which Si atoms are more likely to be emitted during thermal oxidation is (111) > (110) > (310) > (100). Moreover, the emission of Si atoms is enhanced as the compressive strain increases. Therefore, the emission of Si atoms occurs more easily in V-MOSFETs than in planar MOSFETs. To reduce Si missing in V-MOSFETs, oxidation processes that induce less strain, such as wet or pyrogenic oxidation, are necessary.

DOI： 10.7567/JJAP.57.04FB06

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

© 2017 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim Metal–oxide–semiconductor field effect transistors (MOSFETs) based on GaN have been studied for high-power performance because of the wide bandgap of GaN. Although Al2O3 is a promising dielectric film for GaN power devices, the interface structure of GaN/Al2O3 has not been revealed microscopically. We prepared two interface models with Ga–O bonds and Ga–Al bonds at the interface. Because the Ga–O bond is stronger than the Ga–Al bond, the Ga–O bonds are preferentially formed at the interface. When the Ga–Al bonds appear at the interface, they introduce defect levels in the bandgap of GaN. On the other hand, when the interface consists of Ga–O bonds, some defect structures can appear depending on the oxygen density. In oxygen-rich conditions, dangling bonds appear at the N atoms and their states appear around the valence band maximum.

DOI： 10.1002/pssb.201700323

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

©The Electrochemical Society. It is very important to fabricate high-quality GaN especially used for power devices. However, threading dislocations degrade the performance of GaN-based electronic devices. It is necessary to examine the electronic behavior at threading dislocations in GaN and to clarify the origin of the leakage current. As for theoretical studies, the electronic structure of threading dislocations in GaN is not fully understood. We investigated whether threading edge dislocations contribute to the leakage current or not. To do this, we used first principles calculations based on density functional theory (DFT) to examine the electronic structure at threading edge dislocations with Burgers vectors of 1/3[11-20]. We examined four core types of atomic structure at threading edge dislocations which contains about 200 atoms. Compared with dislocation line energies of each core configurations, it was found that the 5/7-atoms ring core and 8-atoms ring core are energetically stable. Then, we analyzed the electronic densities of states of each core configurations, and it was found that all types of core configurations at threading edge dislocations do not contribute to leakage current in n-type GaN-based devices.

DOI： 10.1149/08612.0041ecst

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担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics  

© 2017 The Japan Society of Applied Physics. The adsorption structure and electronic state of stanene on an a-Al2O3(0001) 1'1 surface were investigated by first-principles calculations. The variation in the electronic state of the adsorbed stanene from that of the free-standing one increased with the stanene-alumina distance, because the strength of the stanene-alumina interaction increased with the distance. The band splitting induced by the Rashba effect was observed in the electronic band structures. It was observed from the band structures with spin-orbit interactions that the degrees of band-gap opening due to the spin-orbit interactions were much lower than that due to the interaction between stanene and the a-alumina surface. By population analyses for chemical bonds, we revealed that the electronic state of stanene on the a-alumina surface was affected by Sn-O bonds with antibonding nature.

DOI： 10.7567/JJAP.56.095701

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2016.11.066

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2016.12.044

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

© 2017 IEEE. In general, an insulating film of SiC MOSFET is SiO2 formed by thermal oxidation of SiC. This SiO2 film has many defect structures which induce much larger threshold voltage shift. In this paper, we investigated the defect formation of an oxygen vacancy in SiO2 by SiC thermal oxidation, using the first-principles calculations, and we found that the oxygen vacancy defect can be generated in the amorphous SiO2 at high temperature.

DOI： 10.1109/EDTM.2017.7947582

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics  

DOI： 10.7567/JJAP.56.04CR10

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics  

DOI： 10.7567/JJAP.56.04CJ04

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1088/1361-648X/aa57e0

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arXiv

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

DOI： 10.1149/08001.0295ecst

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Web of Science

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1587/transele.E100.C.928

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.7567/JJAP.55.08PE04

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.7567/JJAP.55.08PE04

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.7567/APEX.9.064301

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：公益社団法人 日本磁気学会  

In order to clarify the mechanism behind antiferromagnetic (AFM)-ferromagnetic (FM) phase transition, we investigate the electronic and magnetic structures of FeRh by using first principles calculations with the GGA + <i>U</i> method. By choosing the appropriate values of the on-site Coulomb interaction (<i>U</i>) of Fe_3d and Rh_4d electrons, we succeed in explaining the reported AFM-FM phase transition experiments for the first time by obtaining the total energy difference between the AFM and FM states (Δ<i>E</i>). Other physical quantities such as the density of states (DOS) are also consistent with experimental reports.

DOI： 10.3379/msjmag.1605L011

CiNii Books

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

DOI： 10.1149/07505.0293ecst

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：公益社団法人 日本表面科学会  

炭素より重いIV族元素の二次元結晶（シリセン、ゲルマネン、スタネン）は、バンドギャップ制御、高キャリア移動度やトポロジカル絶縁性の発現などが期待されている究極の薄膜材料である。近年、それらは金属上で合成できるようになってきたが、応用に向けては絶縁膜上の性質を知ることが必要不可欠である。本講演では、アモルファス絶縁膜上のシリセンの電子状態や安定構造や第一原理計算により明らかにする。

DOI： 10.14886/sssj2008.36.0_187

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

© 2015 JSAP. A 50nm topological-switching random-access memory (TRAM) was fabricated for the first time. A high-quality GexTe1-x/Sb2Te3 superlattice film enabled set and reset voltages of TRAM to be less than 40% of those of PRAM. Statistical analysis of 16kb data showed the reset voltage to be less than 1.2 V, the lowest as a TRAM test chip.

DOI： 10.1109/VLSIT.2015.7223707

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

© 2014 IEEE. We clarify the intrinsic problems of SiC/SiO2 interfaces by the first principles calculations. The unique nearly free electron like characteristics of SiC conduction band bottom causes unexpected formation of interface states near the conduction band bottoms by process induced strain. These results indicate that strain free process is necessary for fabricating high quality NMOSFET. Another proposal is developing PMOSFET instead of presently popular NMOSFET. Moreover, we also discuss the Vth instability caused by proton diffusion.

DOI： 10.1109/IEDM.2014.7047095

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

© 2014 IEEE. GexTe1-x/Sb2Te3 superlattice topological-switching random access memory (TRAM) was developed. Set and reset currents of 55 μA, the lowest for an ULSI-grade device, were obtained. TEM analyses of the Ge-Te structures and novel superlattice fabrication enabled us to reveal the retention, endurance, and electrical characteristics of TRAM for the first time.

DOI： 10.1109/IEDM.2014.7047132

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

© 2015 Materials Research Society. We studied GeTe structures in topological switching random access memories (TRAMs) with a [GeTe/Sb2Te3] superlattice by using X-ray diffraction (XRD) analysis. We examined the electrical characteristics of the TRAMs deposited at different temperatures. We found that XRD spectra differed between the films deposited at 200 and 240°C and that the differences corresponded to the differences in the GeTe sequences in the films.

DOI： 10.1557/opl.2015.170

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：公益社団法人 日本表面科学会  

炭素より重いIV族元素の二次元結晶（シリセン、ゲルマネン、スタネン）は、バンドギャップ制御、高キャリア移動度やトポロジカル絶縁性の発現などが期待されている究極の薄膜材料である。理論上の産物であったそれらは最近になって金属上で合成できるようになってきたが、応用に向けては絶縁膜上の性質を知ることが必要不可欠である。本講演では、絶縁膜上のシリセンの電子状態や安定構造や第一原理計算により明らかにする。

DOI： 10.14886/sssj2008.35.0_277

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：公益社団法人 日本表面科学会  

シリセンは、バンドギャップの形成、高キャリア移動度やトポロジカル絶縁性の発現が理論予測されている究極のSi薄膜材料である。国内外でZrB₂やAg上へのシリセン合成に成功しているが、準安定なシリセンが合成し得る明確な理由は明らかでない。本講演では、Ag誘起層交換成長の結果を通し、Ag上Si極薄膜の成長メカニズムを実験・理論的に明らかにし、二次元結晶をより安定に金属上に合成する指針を紹介する。

DOI： 10.14886/sssj2008.35.0_276

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

© 2014 IEEE. A 1T-1R pillar-type 'topological-switching RAM' (TRAM) and the data retention of GeTe/Sb2Te3 super-lattice were investigated. Reset voltage of TRAM, 2 V, was 40 % of that of the conventional PCM with Ge2Sb2Te5. From data retention evaluation, the TRAM was found to endure the retention at 260 °C for 18 hours.

DOI： 10.1109/VLSIT.2014.6894436

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1063/1.4886119

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.7567/APEX.7.045202

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

We describe the switching mechanism of GeTe/Sb2Te3 phase change memory called "topological-switching Random Access Memory" (TRAM). DC sweep and AC transient analysis of the TRAM TEGs provided evidence of enhancement of atomic movement in TRAM by charge injection. A hysteresis loop of resistance that was characteristic to TRAM, fast threshold switching of 4 ns by electron injection, and MLC capabilities by hole generation were revealed for the first time. © 2014 IEEE.

DOI： 10.1109/ICMTS.2014.6841464

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Web of Science

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

We developed a high quality charge-injection GeTe/Sb2Te 3 superlattice phase change memory. A RESET-current of 70 μA and a SET-speed of 10 ns, the fastest ever reported, were obtained. Transmission electron microscopy analysis showed that the superlattice structure was maintained after 1 million (M) endurance. Even 100 M cycle endurance was possible, and these results conclusively proved non-melting resistive switching. © 2013 IEEE.

DOI： 10.1109/IEDM.2013.6724725

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

© 2014 by Taylor & Francis Group, LLC. Electromigration is the directed migration of atoms caused by electric currents, and it is well known as a major failure mechanism in the operation of electronic devices. So far, many researches have been done both experimentally and theoretically [1,2]. Traditionally, the origin of electromigration has been discussed in terms of electrostatic forces and momentum transfers by electrons to atoms in current flow. The latter is often called as “electron wind force,” which is a characteristic force in electromigration. Joule heating around the migrating atoms is also one of the most important factors because it facilitates the atomic diffusions.

DOI： 10.1201/b15523

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

A new charge injection Super-lattice Phase Change Memory was developed with optimized GeTe/Sb2Te3 deposition and state-of-the-art analytical techniques. First principle calculations showed the charge injection enhanced Ge atom movement for the first time. We achieved 0.46 V and 3.3 MA/cm2 reset and MLC programming. The stability of Super-lattice after 1E6 cycles was verified by thermal analysis characteristic to Ge 4-fold to Ge 6-fold transition. © 2013 JSAP.

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1103/PhysRevB.85.121401

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1103/PhysRevB.84.195461

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1063/1.3659484

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1103/PhysRevB.81.235114

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1002/9783527630615.ch5

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1103/PhysRevB.80.045417

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：The Surface Science Society of Japan  

Surface atom evaporation under electron field emission was investigated by scattering-state calculations based on the density-functional theory. We found that surface atom evaporation assisted by electron field emission occurs for a certain electric-field strength that is lower than that of usual field evaporation without electron field emission. The present ab-initio study elucidates the surface atom process under field emission, which has been frequently observed in experiments, for the first time. © 2007 The Surface Science Society of Japan.

DOI： 10.1380/ejssnt.2007.106

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：The Surface Science Society of Japan  

We perform time-dependent (TD) and scattering-state (SS) ab-inito calculations for simulating the field emission (FE) of Na surfaces to explore the applicability of the two schemes. The amplitude of emission current is evaluated more reliably by SS than TD methods, because the former treats the steady-state electron tunneling faithfully but the latter utilizes transient electron dynamics. In contrast with the evaluation of current amplitude, the TD method is more suitable than the SS one for revealing the electronic-state origin of FE, because the TD method can directly determine the time evolution of all wave functions caused by an electric field. Thus, the TD and SS methods are found to play a complementary role in the FE study. © 2005 The Surface Science Society of Japan.

DOI： 10.1380/ejssnt.2005.457

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1103/PhysRevB.70.245410

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arXiv

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.apsusc.2004.07.029

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.tsf.2004.06.048

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1143/JJAP.42.6502

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CiNii Books

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1143/JJAP.42.L666

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CiNii Books

記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

DOI： 10.1109/IVMC.2003.1222940

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開催年月日： 2023年9月

会議種別：口頭発表（招待・特別）  

開催年月日： 2023年9月

会議種別：口頭発表（一般）  

開催年月日： 2023年9月

会議種別：ポスター発表  

開催年月日： 2023年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：上智大学四谷キャンパス   国名：日本国  

開催年月日： 2023年2月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東レ総合研修センター（静岡県三島市）   国名：日本国  

開催年月日： 2023年2月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東レ総合研修センター（静岡県三島市）   国名：日本国  

開催年月日： 2022年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Chiba   国名：日本国  

開催年月日： 2022年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Chiba   国名：日本国  

開催年月日： 2022年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東北大学川内北キャンパス+オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2022年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東北大学川内北キャンパス+オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2022年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Nagoya   国名：日本国  

開催年月日： 2022年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：青山学院大学相模原キャンパス+オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2022年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：青山学院大学相模原キャンパス+オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2022年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：青山学院大学相模原キャンパス+オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2022年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：青山学院大学相模原キャンパス+オンライン   国名：日本国  

開催年月日： 2022年1月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン  

開催年月日： 2022年1月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン  

開催年月日： 2022年1月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

開催地：Nagoya Congress Center + Online   国名：日本国  

開催年月日： 2022年1月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Nagoya Congress Center + Online   国名：日本国  

開催年月日： 2021年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：online  

開催年月日： 2021年11月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

開催地：online  

開催年月日： 2021年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：online  

開催年月日： 2021年9月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：オンライン  

開催年月日： 2021年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

開催地：オンライン  

開催年月日： 2021年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：オンライン  

開催年月日： 2021年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

開催地：オンライン  

開催年月日： 2021年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：online  

開催年月日： 2021年3月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催年月日： 2021年1月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催年月日： 2021年1月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催年月日： 2021年1月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催年月日： 2021年1月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

開催年月日： 2020年12月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

開催年月日： 2020年11月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催年月日： 2020年10月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催年月日： 2020年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催年月日： 2020年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催年月日： 2020年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催年月日： 2020年7月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催年月日： 2019年6月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2019年6月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2018年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2018年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2018年9月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

開催年月日： 2018年6月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2018年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2018年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2017年11月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

開催年月日： 2017年6月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2017年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2016年11月 - 2016年12月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2016年11月 - 2016年12月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

シリセン、ゲルマネン、スタネンは、バンドギャップの形成、高キャリア移動度やトポロジカル絶縁性の発現が理論予測されている究極のIV族薄膜材料である。本講演では、層状IV族化合物（CaSi₂、CaGe₂等）を前駆体に用い、IV族ナノシートの合成を試みた結果について報告する。

開催年月日： 2016年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2016年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2016年3月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：フランス共和国  

開催年月日： 2016年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2016年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東北学院大学 泉キャンパス   国名：日本国  

開催年月日： 2016年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東工大 大岡山キャンパス   国名：日本国  

開催年月日： 2016年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東工大 大岡山キャンパス   国名：日本国  

開催年月日： 2016年3月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：東工大 大岡山キャンパス   国名：日本国  

開催年月日： 2016年3月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：東北学院大学 泉キャンパス   国名：日本国  

開催年月日： 2016年3月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

開催年月日： 2016年3月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

開催年月日： 2016年1月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東レ研修センター（静岡県三島市）   国名：日本国  

開催年月日： 2016年1月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：東レ研修センター（静岡県三島市）   国名：日本国  

開催年月日： 2016年1月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東レ研修センター（静岡県三島市）   国名：日本国  

開催年月日： 2015年12月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

開催年月日： 2015年12月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

開催年月日： 2015年12月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：アメリカ合衆国  

開催年月日： 2015年12月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：つくば国際会議場   国名：日本国  

開催年月日： 2015年12月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：つくば国際会議場   国名：日本国  

開催年月日： 2015年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2015年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2015年10月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：アメリカ合衆国  

開催年月日： 2015年10月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：アメリカ合衆国  

開催年月日： 2015年10月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：アメリカ合衆国  

開催年月日： 2015年10月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：イタリア共和国  

開催年月日： 2015年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：イタリア共和国  

開催年月日： 2015年9月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

開催年月日： 2015年6月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：名古屋大学   国名：日本国  

開催年月日： 2015年3月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：早稲田大学   国名：日本国  

開催年月日： 2015年3月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：東海大学   国名：日本国  

開催年月日： 2015年3月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：東海大学   国名：日本国  

開催年月日： 2015年1月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東レ研修センター   国名：日本国  

開催年月日： 2015年1月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：東レ研修センター   国名：日本国  

開催年月日： 2014年12月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：東京大学   国名：日本国  

開催年月日： 2014年11月 - 2014年12月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：アメリカ合衆国  

開催年月日： 2014年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2014年5月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：名古屋大学   国名：日本国  

開催年月日： 2014年3月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

開催年月日： 2014年3月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：イタリア共和国  

開催年月日： 2013年12月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：アメリカ合衆国  

開催年月日： 2013年12月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2013年9月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

開催年月日： 2013年9月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

開催年月日： 2013年6月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2013年3月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

開催年月日： 2012年9月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

開催年月日： 2010年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2009年3月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

開催年月日： 2008年9月

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

国名：日本国  

開催年月日： 2007年

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2006年

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2006年

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2005年

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2004年

会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

近年ナノスケールにおける様々な物性が調べられているが、その中で光学的な応答も興味ある性質の一つである。特にナノスケールでの光学応答は物質の構造やサイズに敏感であり、多くの研究がなされている。本研究では擬ポテンシャルを用いた時間依存密度汎関数法により、平面構造を持った有機分子の光学応答の第一原理計算を行い、分子サイズと光吸収スペクトルとの相関を明らかにする。

開催年月日： 2004年

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2004年

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2003年

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

開催年月日： 2002年12月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

電界放出機構を電子源の原子構造と電子状態を第一原理計算によって詳細に調べることで明らかにする.炭素原子からなる炭素同質異形体(カーボンアロトロープ:原子、クラスター、グラファイト、ダイヤモンド)を系に選び、時間依存密度汎関数法(TD-DFT)を用いて放出電流、電流のエネルギー分布、仕事関数を決定する。放出電流は仕事関数にのみ影響されるのではなく、電子構造、特に炭素系ナノ構造が電子源の場合は共有結合の特長(σとπ状態)が本質的な役割を果たすことが明らかになった.

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東工大 大岡山キャンパス  

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

開催地：San Jose Convention Center  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：つくば国際会議場  

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：名古屋大学  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

電界放出機構を電子源の原子構造と電子状態を第一原理計算によって詳細に調べることで明らかにする.炭素原子からなる炭素同質異形体(カーボンアロトロープ:原子、クラスター、グラファイト、ダイヤモンド)を系に選び、時間依存密度汎関数法(TD-DFT)を用いて放出電流、電流のエネルギー分布、仕事関数を決定する。放出電流は仕事関数にのみ影響されるのではなく、電子構造、特に炭素系ナノ構造が電子源の場合は共有結合の特長(σとπ状態)が本質的な役割を果たすことが明らかになった.

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東北学院大学 泉キャンパス  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

近年ナノスケールにおける様々な物性が調べられているが、その中で光学的な応答も興味ある性質の一つである。特にナノスケールでの光学応答は物質の構造やサイズに敏感であり、多くの研究がなされている。本研究では擬ポテンシャルを用いた時間依存密度汎関数法により、平面構造を持った有機分子の光学応答の第一原理計算を行い、分子サイズと光吸収スペクトルとの相関を明らかにする。

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

シリセン、ゲルマネン、スタネンは、バンドギャップの形成、高キャリア移動度やトポロジカル絶縁性の発現が理論予測されている究極のIV族薄膜材料である。本講演では、層状IV族化合物（CaSi₂、CaGe₂等）を前駆体に用い、IV族ナノシートの合成を試みた結果について報告する。

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：名古屋大学  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Atahotel Nexos Beach, Giardini Naxos  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

開催地：IMéRA, Marseille  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：ES Hall, Nagoya University  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東工大 大岡山キャンパス  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東レ研修センター  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東レ研修センター（静岡県三島市）  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：東レ研修センター（静岡県三島市）  

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

開催地：Hilton Niseko Village  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

開催地：Hapuna Beach Prince Hotel, Kohala Coast, Hawaii  

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

開催地：San Jose Convention Center  

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：東海大学  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東レ研修センター（静岡県三島市）  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：東工大 大岡山キャンパス  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

開催地：Hilton Niseko Village  

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

開催地：Sapporo Convention Center  

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

開催地：San Jose Convention Center  

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

開催地：Key Bridge Marriott, Arlington, VA  

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

開催地：Atahotel Nexos Beach, Giardini Naxos  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Miraikan, National Museum of Emerging Science and Innovation, Tokyo  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

開催地：Nagoya University  

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：東京大学  

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：東海大学  

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：早稲田大学  

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：つくば国際会議場  

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：東北学院大学 泉キャンパス  

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

開催地：東レ研修センター  

会議種別：メディア報道等  

後期課程３年春学期

後期課程２年春学期

後期課程１年春学期

前期課程１年秋学期

前期課程１年秋学期

前期課程２年秋学期

前期課程１年秋学期

G30学部2年生の演習(理学部と共同開講)
理学部の名称：物理学演習1a

後期課程２年秋学期

前期課程１年春学期

前期課程２年春学期

学部2年生の演習
旧名称：応用物理学演習第１

後期課程３年春学期

後期課程２年春学期

後期課程１年春学期

前期課程１年春学期

前期課程１年春学期

後期課程１年秋学期

前期課程１年秋学期

前期課程１年秋学期

前期課程２年秋学期

前期課程１年秋学期

G30学部3年生の演習(理学部と共同開講)
理学部の名称：物理学演習3a/3b
(旧名称：物理学演習３)

後期課程２年秋学期

学部2年生の演習
旧名称：応用物理学演習第１

G30学部3年生の演習(理学部と共同開講)
理学部の名称：物理学演習３ａ/３ｂ
(旧名称：物理学演習３)

2年・秋学期

2年・秋学期

2年・春学期

1年・秋学期

1年・春学期

学部2年生の演習
旧名称：応用物理学演習第１

G30学部3年生の演習(理学部と共同開講)
理学部の名称：物理学演習３ａ/３ｂ
(旧名称：物理学演習３)

G30学部3年生の演習(量子力学)

学部2年生の演習(電磁気学)

学部2年生の演習(電磁気学)

G30学部3年生の演習(量子力学)

G30学部3年生の演習(量子力学)

学部2年生の演習(電磁気学)

学部2年生の演習(電磁気学)

G30学部3年生の演習(量子力学)

学部2年生の演習(電磁気学)

G30学部3年生の演習(量子力学)

学部2年生の演習(熱力学)

種別：学会・研究会等