講演・口頭発表等 - 白石 賢二
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ハイブリッド密度汎関数法による4H-SiC/SiO2界面におけるバンド配列の面方位依存性の理論解析
松田隼, 秋山亨, 畠山哲夫, 白石賢二, 中山隆史
第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月21日
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GaN/SiO2界面のGaOx中間層におけるMgGa-Voの理論計算
服部柊人, 押山淳, 白石賢二
第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月22日
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CVD 環境下におけるSiC表面ステップへの N原子取り込み機構の理論研究
山内颯一郎, 水島一郎, 依田孝, 押山淳, 白石賢二
第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月20日
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InN MOVPE成長におけるTMI分解・反応経路の理論的解析
長嶋佑哉, 渡邉浩崇, 新田州吾, 草場彰, 寒川義裕, 白石賢二
第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月19日
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GaN結晶中のMg凝集がMgアクセプタの電子状態に与える影響の第一原理計算を用いた評価
狩野絵美, 長川健太, 小林功季, 大築立旺, 白石賢二, 押山淳, 五十嵐信行
第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月22日
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カリウムイオンエレクトレット帯電劣化メカニズムの第一原理計算による研究
大畑慶記, 洗平昌晃, 石黒巧真, 三屋裕幸, 年吉洋, 芝田 泰, 橋口原, 白石賢二
第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月23日
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物質内包空間に存在するfloating電子状態とそのメモリー機能発現の第一原理計算による解明:フラッシュメモリーSiNの場合
七瀧風五, 白石賢二, 押山淳
日本物理学会 第78回年次大会 2023年9月19日
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第一原理計算によるゲルマニウム極薄膜結晶の磁性に関する研究
石原大樹, 洗平昌晃, 山影相, 白石賢二
日本物理学会 第78回年次大会 2023年9月16日
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First Principles Studies on the Defect States in the Gate Dielectrics in GaN MOSFET 招待有り 国際会議
Kenji Shiraishi
The 32nd ICDS 2023年9月14日
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First Principles Studies on Mg Impurity Incorporation into GaN during MOVPE Growth 国際会議
Takashi Kuroda, Lisa Mizuno, Shuto Hattori, Kenji Shiraishi
ssdm 2023 2023年9月7日
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Theoretical Study of the Gas-Phase Reaction of Hexachlorodisilane by Thermodynamic Analysis and Kinetics Calculation 国際会議
Tomoya Nagahashi, Hajime Karasawa, Ryota Horiike, Kenji Shiraishi
ssdm 2023 2023年9月8日
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Atomic and Electronic Structures of Basal Plane Dislocations (BPDs) in 4H-SiC -Atomistic Origin of Bipolar Degradation of SiC Devices 国際会議
Masaki Sano, Jun Kojima, Shoichi Onda, Takashi Yoda, Takayuki Ohba, Kenji Shiraishi
ssdm 2023 2023年9月6日
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Theoretical Study of Nitrogen Incorporation at the Steps on SiC(0001) Surface during CVD Growth 国際会議
Souichiro Yamauchi, Ichiro Mizushima, Takashi Yoda, Atushi Oshiyama, Kenji Shiraishi
ssdm 2023 2023年9月6日
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First Principles Studies on the Defect States in the Gate Dielectrics in GaN MOSFET 国際会議
Kenji Shiraishi
WCAM2023 2023年5月9日
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カリウムイオンエレクトレット内への炭素混入の影響
桐越大貴,大畑慶記,洗平昌晃,石黒巧真,三屋裕幸,年吉洋,芝田泰,橋口原,白石賢二
第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月16日
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GaNにおけるMgアクセプターの拡散機構の理論的検討
制野かおり押山淳,櫻井亮介,白石賢二
第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月17日
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STT-MRAMにおけるMgO薄膜中の粒界によるデータ保持性能への影響の第一原理計算による解析
森下佳祐,原嶋庸介,洗平昌晃,遠藤哲郎,白石賢二
第28回電子デバイス界面テクノロジー研究会 2023年2月3日
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アモルファスSi3N4中のトラップ欠陥の第一原理計算による研究
七瀧風五,押山淳,岩田潤一,松下雄一郎,白石賢二
第28回電子デバイス界面テクノロジー研究会 2023年2月4日
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帯電材料カリウムイオンエレクトレットの水素のよる劣化の第一原理計算による研究
大畑慶記,洗平昌晃,石黒巧真,三屋裕幸,年吉洋,柴田泰,橋口原,白石賢二
第28回電子デバイス界面テクノロジー研究会 2023年2月4日
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CVD成長環境におけるSiCステップ端でのN原子取り込み機構の理論研究
山内颯一郎,水島一郎,依田孝,押山淳,白石賢二
第22回日本表面真空学会中部支部学術講演会 2022年12月17日
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Charge Traps in H Incorporated SiN in 3D NAND Memories 国際会議
F. Nanataki, A. Oshiyama, K. Shiraishi
53rd IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference 2022年12月8日
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Physics in Very Shallow Trap Formation at SiC/SiO2 Interfaces 国際会議
K. Shiraishi, K. Chokawa
53rd IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference 2022年12月8日
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AlN・InN MOVPE成長におけるTMA・TMI分解経路の理論的解析
長嶋佑哉,赤石大地,新田州吾,草場彰,寒川義裕,白石賢二
第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会 2022年11月24日
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MOVPE成長過程におけるTMAとTMI分解に関する第一原計算
長嶋佑哉,赤石大地,新田州吾,草場彰,寒川義裕,白石賢二
第41回電子材料シンポジウム 2022年10月21日
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レート方程式による GaN MOVPE の成長シミュレーション
佐野雅季,長嶋佑哉,草場彰,寒川義裕,白石賢二
第41回電子材料シンポジウム 2022年10月21日
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Microscopic Physical Origin of Charge Traps in 3D NAND Flash Memories 国際会議
F. Nanataki, J. Iwata, K. Chokawa, M. Araidai, A. Oshiyama, K. Shiraishi
International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM2022) 2022年9月28日
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Impact of Grain Boundaries in MgO Layer on Data Retention Performance of STT-MRAM 国際会議
K. Morishita, Y. Harashima, M. Araidai, T. Endoh, K. Shiraishi
International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM2022) 2022年9月29日
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Theoretical Study of the Influence of GaOx Layer on the SiO2/GaN Interface 国際会議
S. Hattori, A. Oshiyama, S. Miyazaki, H. Watanabe, K. Ueno, R. Tanaka, T. Kondo, S. Takashima, M. Edo, K. Shiraishi
International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM2022) 2022年9月28日
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カリウムイオンエレクトレット内での水素原子の拡散経路
大畑慶記,洗平昌晃,石黒巧真,三屋裕幸,年吉洋,柴田泰,橋口原,白石賢二
第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月21日
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磁気トンネル接合内のFe/MgO/Fe構造内の水素不純物が界面垂直磁気異方性に与える影響
名和卓哉,森下佳祐,洗平昌晃,遠藤哲郎,白石賢二
第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月21日
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第一原理計算によるSiO2/GaN界面の中間層の研究
服部柊人,押山淳,白石賢二,宮崎誠一,渡部平司,上野勝典,田中亮,近藤剣,高島信也,江戸雅晴
第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月22日
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First-principles study of the effect of hydrogen on potassium-ion electrets 国際会議
Y. Ohata, M. Araidai, T. Ishiguro, H. Mitsuya, H. Toshiyoshi, Y. Shibata, G. Hashiguchi, K. Shiraishi
9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces 2022年9月6日
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First Principles Studies on the Effect of Grain Boundaries in MgO on Interfacial Perpendicular Magnetic Anisotropy Energy at Fe/MgO Interface in STT-MRAM
2022年3月24日
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カリウムイオンエレクトレットの高性能化の指針と水素の影響の理論検討
大畑慶記,中西徹,長川健太,洗平昌晃,石黒巧真,三屋裕幸,年吉洋,芝田泰,橋口原,白石賢二
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月26日
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熱力学的解析によるp型GaNのHVPE法におけるキャリアガスの特定
長嶋佑哉,木村友哉,洗平昌晃,長川健太,草場彰,寒川義裕,白石賢二
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月25日
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強誘電HfO2薄膜の安定性と誘電特性:第一原理計算による検討
牧芳和,新井千慧,洗平昌晃,白石賢二,中山隆史
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月24日
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4H-SiC/SiO2界面での窒素酸化物およびアンモニアの反応機構の理論的検討
秋山亨,清水紀志,伊藤智徳,影島博之,白石賢二
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月24日
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GaN/SiO2界面のホールトラップの原因の理論的究明とその対策
服部柊人,長川健太,押山淳,白石賢二
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月24日
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MgO中の粒界がSTT-MRAMのFe/MgOの界面垂直磁気異方性に与える影響の理論的研究
森下佳祐,原嶋庸介,洗平昌晃,遠藤哲郎,白石賢二
第27回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 2022年1月28日
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CVD 成長環境下における SiC 微斜面への水素被覆の理論研究
木村友哉,長川健太,押山淳,白石賢二
第27回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 2022年1月29日
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GaN複合空孔の電子構造の第一原理計算による研究
櫻井亮介,長川健太,押山淳,白石賢二
第27回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 2022年1月29日
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AlN MOVPEにおけるトリメチルアルミニウム分解反応の理論的考察
赤石大地,洗平昌晃,白石賢二
第27回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 2022年1月29日
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Ab initio-based approach for reaction process at 4H-SiC/SiO2 interfaces 国際会議
T. Akiyama, T. Shimizu, T. Ito, H. Kageshima, K. Shiraishi
The 3rd International Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity/The 2nd International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation (IWSingularity 2022/ISWGPDs 2022) 2022年1月11日
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First-principles study of two-dimensional materials of group IV elements 国際会議
M. Araidai, M. Itoh, M. Kurosawa, A. Ohta, K. Shiraishi
The 3rd International Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity/The 2nd International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation (IWSingularity 2022/ISWGPDs 2022) 2022年1月12日
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Density Functional Theory study of Step Flow Growth of Gallium Nitride 国際会議
K. M. Bui, K. Shiraishi, A. Oshiyama
The 3rd International Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity/The 2nd International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation (IWSingularity 2022/ISWGPDs 2022) 2022年1月12日
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First principles studies of the effects of carbon atoms on the potassium-ion electret used in vibration-powered generators 国際会議
Y. Ohata, M. Araidai, Y. Shibata, G. Hashiguchi, K. Shiraishi
The 3rd International Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity/The 2nd International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation (IWSingularity 2022/ISWGPDs 2022) 2022年1月12日
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First-Principles Investigation of Hydrogen Adsorption on Stepped SiC Surface during CVD Growth 国際会議
T. Kimura, K. Chokawa, A. Oshiyama, K. Shiraishi
The 3rd International Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity/The 2nd International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation (IWSingularity 2022/ISWGPDs 2022) 2022年1月12日
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第一原理計算による4H-SiC(0001)表面近傍での炭素空孔の取り込みやすさに関する研究
中島響,醍醐佳明,長川健太,白石賢二
第 21 回 日本表面真空学会中部支部 学術講演会 2021年12月18日
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Effects of carbon atoms on the reliability of the potassium-ion electret used in vibration-powered generators 国際会議
Y. Ohata, M. Araidai, Y. Shibata, G. Hashiguchi, K. Shiraishi
International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES – SCIENCE AND TECHNOLOGY – (2021 IWDTF)
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Development of Physically Informed Neural Network Potential 国際会議
S. Ito, M. Araidai, K. Shiraishi
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021 (ICMaSS2021)
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First Principles Studies on Atomic and Electronic Structures of VGa-VN divacancies 国際会議
R. Sakurai, K. Chokawa, A. Oshiyama, K. Shiraishi
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021 (ICMaSS2021)
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First-principles studies on the effects of O atoms in the substrate on the oxidation of a vertical Si nanopillar 国際会議
F. Nanataki, M. Araidai, H. Kageshima, K. Shiraishi
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021 (ICMaSS2021)
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First-principles Calculations between Screw Dislocation with Mg, H Impurities on GaN 国際会議
N. Inoue, Y. Harashima, K. Chokawa, K. Shiraishi, A. Oshiyama
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021 (ICMaSS2021)
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本当のパワーデバイス材料をデータサイエンスで作るには?
白石賢二
複相機能開拓拠点ワークショップ 2021年11月2日
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ニューラルネットワークを用いた新規ペアポテンシャルの開発
伊藤匠哉,洗平昌晃,白石賢二
日本物理学会 2021年秋季大会 2021年9月21日
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CVD 成長における SiC 微斜面への水素被覆の理論研究
木村友哉,長川健太,押山淳,白石賢二
第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月10日
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Fe/MgO界面への窒素不純物が磁気異方性とTMRに与える影響について 招待有り
小川湧太郎,洗平昌晃,遠藤哲郎,白石賢二
第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月12日
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Kイオンエレクトレットの負電荷蓄積機構及び作製指針の理論的検討 招待有り
中西徹,長川健太,洗平昌晃,年吉洋,杉山達彦,橋口原,白石賢二
第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月12日
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Theoretical Study of H Adsorption on Stepped SiC Surface during CVD Growth 国際会議
T. Kimura, K. Chokawa, A. Oshiyama and K. Shiraishi
2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021)
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First Principles Studies of Impurity Dislocation Complexes in GaN 国際会議
Kenji Shiraishi
THERMEC'2021 INTERNATIONAL CONFERENCE ON PROCESSING &MANUFACTURING OF ADVANCED MATERIALS
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Effect of Electric Field in Multi-Electron Wave Packet Dynamics in Channel of Nanoscale devices 国際会議
G.Fujita, T.shiokawa, Y.Takeda, S.Konabe, M.Muraguchi, T.Yamamoto, T.Endo, Y.Hatsugai, K.Shiraishi
ISANN 2013
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SiC酸化により引き起こされるSi欠陥への第一原理計算からの考察
長川健太、神谷克政、洗平昌晃、白石賢二
先進パワー半導体研究会
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Multi-Electron Wave Packets Dynamics under MOSFET-like Potentials 国際会議
T.Shiokawa, G.Fujita, Y.Takeda, S.Konabe, M.Muraguchi, T.Yamamoto, T.Endo, Y.Hatsugai, K.Shiraishi
ISANN 2013
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Theoretical Design of Desirable Stack Structure for Resistive Random Access Memories 国際会議
K. Kamiya, M. Y. Yang, B. Magyari-Köpe, M. Niwa, Y. Nishi and K. Shiraishi
224th Meeting of Electrochemical Society
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4H-Sicの熱酸化速度の理論的研究-Si面とC面の酸化速度の相違-
丸山翔太郎、遠藤賢太郎、長川健太、神谷克政、白石賢二
応用物理学会秋季学術講演会
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Intrinsic SiC Oxidation Problems Obtained by First Principle Calculations 国際会議
K. Shiraishi, K. Chokawa and K. Kamiya
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM2013)
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Physics in Charge Injection Induced On-Off Switching Mechanism of Oxide-Based Resistive Random Access Memory (ReRAM) and Superlattice GeTe/Sb2Te3 Phase Change Memory (PCM) 国際会議
K. Shiraishi, M.Y. Yang, S.Kato, M. Araidai, K. Kamiya, T. Yamamoto, T. Ohyanagi, N. Takaura, M. Niwa, B. Magyari-Kope, and Y. Nishi
2013 International Conference on Solid State Devices and Materials
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超格子材料を用いた低電力動作相変化デバイス
森川貴博、大柳孝純、木下勝治、田井光春、秋田憲一、高浦則克、加藤重徳、洗平昌晃、神谷克政、山本貴博、白石賢二
応用物理学会秋季学術講演会
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4H-Sic表面のNO初期酸化過程の理論的検討
遠藤賢太郎、丸山翔太郎、加藤重徳、神谷克政、白石賢二
応用物理学会秋季学術講演会
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First principles material design toward nano-scale memory functional devices triggered by carrier injection 国際会議
Kenji Shiraishi
BIT's 2nd Annual World Congress of Advanced Materials-2013
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First Principles Studies on the Atomistic Processes of GaN Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) 国際会議
Kenji Shiraishi
V-ASET2021 5th Edition of Applied Science, Engineering and Technology Virtual 2021年12月13日
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First Principles Guiding Principles for the Switching Process in Oxide ReRAM 国際会議
3. Kenji Shiraishi, Moon Young Yang, Katsumasa Kamiya, Blanka Magyari-Köpe, Masaaki Niwa, Yoshio Nishi,
2012 IEEE 11th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology
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On-Off Switching Mechanism of Oxide Based ReRAM by Ab Initio Electronic Structure Calculations 国際会議
Kenji Shiraishi, Moon Young Yang, Katsumasa Kamiya, Hiroyoshi Momida, Blanka Magyari-Köpe, Takahisa Ohno, Masaaki Niwa, Yoshio Nishi
2nd International Workshop on Resistive RAM,
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Computational Study toward Micro Electronics Engineering 国際会議
5. Kenji Shiraishi, Keita Yamaguchi, Moon Young Yang, Seong-Geon Park, Katsumasa Kamiya, Yasuteru Shigeta, Blanka Magyari-Köpe, Masaaki Niwa, Yoshio Nishi
2012 28th International Conference on Microelectronics,
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Computational Science Studies toward Future Nano-Devices 国際会議
K. Shiraishi
WIMNACT Workshop and IEEE EDS Mini-colloquium on Nanometer CMOS Technology
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Guiding Principle of Highly Scalable MONOS-Type Memory 国際会議
1. K. Shiraishi, K. Yamaguchi, K. Kamiya, A. Otake, Y. Shigeta,
220th Electrochemical Society Meeting,