講演・口頭発表等 - 白石 賢二
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ハイブリッド密度汎関数法による4H-SiC/SiO2界面におけるバンド配列の面方位依存性の理論解析
松田隼, 秋山亨, 畠山哲夫, 白石賢二, 中山隆史
第８４回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月21日
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GaN/SiO2界面のGaOx中間層におけるMgGa-Voの理論計算
服部柊人, 押山淳, 白石賢二
第８４回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月22日
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CVD 環境下におけるSiC表面ステップへの N原子取り込み機構の理論研究
山内颯一郎, 水島一郎, 依田孝, 押山淳, 白石賢二
第８４回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月20日
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InN MOVPE成長におけるTMI分解・反応経路の理論的解析
長嶋佑哉, 渡邉浩崇, 新田州吾, 草場彰, 寒川義裕, 白石賢二
第８４回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月19日
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GaN結晶中のMg凝集がMgアクセプタの電子状態に与える影響の第一原理計算を用いた評価
狩野絵美, 長川健太, 小林功季, 大築立旺, 白石賢二, 押山淳, 五十嵐信行
第８４回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月22日
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カリウムイオンエレクトレット帯電劣化メカニズムの第一原理計算による研究
大畑慶記, 洗平昌晃, 石黒巧真, 三屋裕幸, 年吉洋, 芝田 泰, 橋口原, 白石賢二
第８４回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月23日
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物質内包空間に存在するfloating電子状態とそのメモリー機能発現の第一原理計算による解明：フラッシュメモリーSiNの場合
七瀧風五, 白石賢二, 押山淳
日本物理学会 第７８回年次大会 2023年9月19日
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第一原理計算によるゲルマニウム極薄膜結晶の磁性に関する研究
石原大樹, 洗平昌晃, 山影相, 白石賢二
日本物理学会 第７８回年次大会 2023年9月16日
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First Principles Studies on the Defect States in the Gate Dielectrics in GaN MOSFET 招待有り 国際会議
Kenji Shiraishi
The 32nd ICDS 2023年9月14日
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First Principles Studies on Mg Impurity Incorporation into GaN during MOVPE Growth 国際会議
Takashi Kuroda, Lisa Mizuno, Shuto Hattori, Kenji Shiraishi
ssdm 2023 2023年9月7日
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Theoretical Study of the Gas-Phase Reaction of Hexachlorodisilane by Thermodynamic Analysis and Kinetics Calculation 国際会議
Tomoya Nagahashi, Hajime Karasawa, Ryota Horiike, Kenji Shiraishi
ssdm 2023 2023年9月8日
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Atomic and Electronic Structures of Basal Plane Dislocations (BPDs) in 4H-SiC -Atomistic Origin of Bipolar Degradation of SiC Devices 国際会議
Masaki Sano, Jun Kojima, Shoichi Onda, Takashi Yoda, Takayuki Ohba, Kenji Shiraishi
ssdm 2023 2023年9月6日
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Theoretical Study of Nitrogen Incorporation at the Steps on SiC(0001) Surface during CVD Growth 国際会議
Souichiro Yamauchi, Ichiro Mizushima, Takashi Yoda, Atushi Oshiyama, Kenji Shiraishi
ssdm 2023 2023年9月6日
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First Principles Studies on the Defect States in the Gate Dielectrics in GaN MOSFET 国際会議
Kenji Shiraishi
WCAM2023 2023年5月9日
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カリウムイオンエレクトレット内への炭素混入の影響
桐越大貴,大畑慶記,洗平昌晃,石黒巧真,三屋裕幸,年吉洋,芝田泰,橋口原,白石賢二
第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月16日
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GaNにおけるMgアクセプターの拡散機構の理論的検討
制野かおり押山淳,櫻井亮介,白石賢二
第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月17日
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STT-MRAMにおけるMgO薄膜中の粒界によるデータ保持性能への影響の第一原理計算による解析
森下佳祐,原嶋庸介,洗平昌晃,遠藤哲郎,白石賢二
第28回電子デバイス界面テクノロジー研究会 2023年2月3日
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アモルファスSi3N4中のトラップ欠陥の第一原理計算による研究
七瀧風五,押山淳,岩田潤一,松下雄一郎,白石賢二
第28回電子デバイス界面テクノロジー研究会 2023年2月4日
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帯電材料カリウムイオンエレクトレットの水素のよる劣化の第一原理計算による研究
大畑慶記,洗平昌晃,石黒巧真,三屋裕幸,年吉洋,柴田泰,橋口原,白石賢二
第28回電子デバイス界面テクノロジー研究会 2023年2月4日
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CVD成長環境におけるSiCステップ端でのN原子取り込み機構の理論研究
山内颯一郎,水島一郎,依田孝,押山淳,白石賢二
第22回日本表面真空学会中部支部学術講演会 2022年12月17日