論文 - 中塚 理
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Effect of Sn atoms on incorporation of vacancies in epitaxial Ge1-xSnx film grown at low temperature 査読有り
E. Kamiyama, S. Nakagawa, K Sueoka, T. Ohmura, T. Asano, O. Nakatsuka, N. Taoka, S. Zaima, K. Izunome, and K. Kashima
Appl. Phys. Express 7 巻 ( 2 ) 頁: 021302 (3 pages) 2014年1月
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Al2O3/SiC MOS構造における伝導帯端近傍の電気特性
田岡紀之, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」(第18回研究会) 頁: 205-208 2014年1月
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Al2O3/Ge構造に対する熱酸化機構の解明
柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」(第18回研究会) 頁: 39-42 2014年1月
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テトラエトキシゲルマニウムを用いた極薄Ge酸化膜の形成
吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」(第18回研究会) 頁: 151-154 2014年1月
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Pr 酸化膜/Ge構造におけるゲート金属が界面反応に与える影響
加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」(第18回研究会) 頁: 155-158 2014年1月
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Reduction of Interface States Density Due to Post Oxidation with Formation of AlGeO Layer at Al2O3/Ge Interface 査読有り
S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
ECS Trans. 58 巻 ( 9 ) 頁: 301-308 2013年10月
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Heteroepitaxial Growth of Sn-Related Group-IV Materials on Si Platform for Microelectronic and Optoelectronic Applications: Challenges and Opportunities 招待有り 査読有り
O. Nakatsuka, N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, M. Kurosawa, M. Sakashita, and S. Zaima
ECS Trans. 58 巻 ( 9 ) 頁: 149-155 2013年10月
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Characterization of Local Strain Structures in Heteroepitaxial Ge1-xSnx/Ge Microstructures by Using Microdiffraction Method 査読有り
S. Ike, Y. Moriyama, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, Y. Imai, S. Kimura, T. Tezuka, and S. Zaima,
ECS Trans. 58 巻 ( 9 ) 頁: 185-192 2013年10月
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Liquid-Sn-driven lateral growth of poly-GeSn on insulator assisted by surface oxide layer 査読有り
M. Kurosawa, N. Taoka, M. Sakashita, O. Nakatsuka, M. Miyao, and S. Zaima
Appl. Phys. Lett. 103 巻 頁: 101904 (4 pages) 2013年9月
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Understanding of interface structures and reaction mechanisms induced by Ge or GeO diffusion in Al2O3/Ge structure 査読有り
S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Appl. Phys. Lett. 103 巻 頁: 082114 (4 pages) 2013年8月
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Broad defect depth distribution in germanium substrates induced by CF4 plasma 査読有り
Kusumandari, N. Taoka, W. Takeuchi, M. Fukudome, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Appl. Phys. Lett. 103 巻 頁: 033511 (4 pages) 2013年7月
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Development of epitaxial growth technology for Ge1-xSnx alloy and study of its properties for Ge nanoelectronics 招待有り 査読有り
O. Nakatsuka, Y. Shimura, W. Takeuchi, N. Taoka, and S. Zaima
Solid-State Electron. 83 巻 頁: 82-86 2013年5月
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Epitaxial growth and anisotropic strain relaxation of Ge1-xSnx layers on Ge(1 1 0) substrates
T. Asano, Y. Shimura, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Solid-State Electron. 83 巻 頁: 71-75 2013年5月
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Effect of gate metal on chemical bonding state in metal/Pr-oxide/Ge gate stack structure 査読有り
K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Solid-State Electron. 83 巻 頁: 56-60 2013年5月
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Interfacial Reaction Mechanism in Al2O3/Ge Structure by Oxygen Radical
K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 52 巻 頁: 04CA08 (7 pages) 2013年4月
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Influence of Sn Incorporation and Growth Temperature on Crystallinity of Ge1-xSnx Layers Heteroepitaxially Grown on Ge(110) Substrates 査読有り
T. Asano, Y. Shimura, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Thin Solid Films 531 巻 頁: 504-508 2013年3月
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Suppressive Effect of Interface Reaction and Water Absorption by Al Incorporation into Pr-oxide Film 査読有り
W. Takeuchi, K. Furuta, K .Kato, M. Sakashita, H. Kondo, O. Nakatsuka, and S. Zaima
J. Phys.: Conf. Ser. 417 巻 頁: 012017 (6 pages) 2013年3月
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Effect of Interfacial Reactions in Radical Process on Electrical Properties of Al2O3/Ge Gate Stack Structure 査読有り
K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
J. Phys.: Conf. Ser. 417 巻 頁: 012001 2013年3月
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Effects of Light Exposure during Plasma Processing on Electrical Properties of GeO2/Ge Structures 査読有り
Kusumandari, W. Takeuchi, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 52 巻 頁: 01AC04 2013年1月
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Al2O3/Ge構造に対する熱酸化機構の解明
柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」(第18回研究会) 頁: 39-42 2013年1月