論文 - 中塚 理
-
高Sn組成SiSnの形成とバンド構造 ～ 直接遷移構造化を目指して ～ 招待有り
黒澤昌志, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
電子情報通信学会技術研究報告 115 巻 ( 18 ) 頁： 35-37 2015年4月
-
Near-infrared light absorption by polycrystalline SiSn alloys grown on insulating layers 査読有り
M. Kurosawa, M. Kato, T. Yamaha, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Appl. Phys. Lett. 106 巻 頁： 171908 (5 pages) 2015年4月
-
Influence of Interface Structure on Electrical Properties of NiGe/Ge Contacts 査読有り
Y. Deng, O. Nakatsuka, M. Sakashita, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 54 巻 ( 5S ) 頁： 05EA01 (6 pages) 2015年4月
-
Impact of Hydrogen Surfactant on Crystallinity of Ge1-xSnx Epitaxial Layers 査読有り
T. Asano, N. Taoka, K. Hozaki, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 54 巻 ( 4S ) 頁： 04DH15 (4 pages) 2015年3月
-
エピタキシャル金属/ゲルマニウム接合の形成による界面電気伝導特性の制御 招待有り
中塚理, 鄧云生, 鈴木陽洋, 坂下満男, 田岡紀之, 財満鎭明
電子情報通信学会技術研究報告 114 巻 ( 469 ) 頁： 17-22 2015年3月
-
Formation, crystalline structure, and optical properties of Ge1-x-ySnxCy ternary alloy layers 査読有り
T. Yamaha, K. Terasawa, H. Oda, M. Kurosawa, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys 54 巻 ( 4S ) 頁： 04DH08 (6 pages) 2015年2月
-
Formation of chemically stable GeO2 on the Ge surface with pulsed metal-organic chemical vapor deposition 査読有り
S. Shibayama, T. Yoshida, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Appl. Phys. Lett. 106 巻 頁： 062107 (4 pages) 2015年2月
-
Non-uniform depth distributions of Sn concentration induced by Sn migration and desorption during GeSnSi layer formation 査読有り
N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, T. Terashima, O. Nakatsuka, I. Costina, P. Zaumseil, G. Capellini, S. Zaima, and T. Schroeder
Appl. Phys. Lett. 106 巻 頁： 061107 (5 pages) 2015年2月
-
GeO2薄膜の正方晶形成による化学的安定性の向上
柴山茂久, 吉田鉄兵, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第20回研究会） 頁： 185-188 2015年1月
-
Sn/Geコンタクトにおけるフェルミレベルピニングの軽減およびショットキー障壁高さの低減
鈴木陽洋, 鄧云生, 柴山茂久, 黒澤昌志, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第20回研究会） 頁： 59-62 2015年1月
-
Formation of high-quality oxide/Ge1-xSnx interface with high surface Sn content by controlling Sn migration 査読有り
K. Kato, N. Taoka, T. Asano, T. Yoshida, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Appl. Phys. Lett. 105 巻 頁： 122103 (5 pages) 2014年9月
-
Robustness of Sn precipitation during thermal oxidation of Ge1-xSnx on Ge(001) 査読有り
K. Kato, T. Asano, N. Taoka, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 53 巻 ( 8S1 ) 頁： 08LD04 (8 pages) 2014年7月
-
Interface properties of Al2O3/Ge structures with thin Ge oxide interfacial layer formed by pulsed metal organic chemical vapor deposition 査読有り
T. Yoshida, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, N. Taoka, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 53 巻 ( 8S1 ) 頁： 08LD03 (6 pages) 2014年7月
-
Importance of Ge surface oxidation with high oxidation rate in obtaining low interface state density at oxide/Ge interfaces 査読有り
S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 53 巻 ( 8S1 ) 頁： 08LD02 (6 pages) 2014年7月
-
多層セル型太陽電池用IV族多元系混晶の結晶成長と界面構造制御 招待有り 査読有り
中塚理, 財満鎭明
日本結晶成長学会誌 41 巻 ( 2 ) 頁： 74-80 2014年7月
-
［依頼講演］ “絶縁膜上におけるIV族半導体多結晶薄膜の低温形成 ～ 低融点Snの活用 ～ 招待有り
黒澤昌志, 田岡紀之, 池上浩, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
電子情報通信学会技術研究報告 114 巻 ( 88 ) 頁： 91-95 2014年6月
-
Sn/Geコンタクトにおけるフェルミレベルピニング現象の軽減
鈴木陽洋, 朝羽俊介, 横井淳, 黒澤昌志, 加藤公彦, 坂下満男, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
電子情報通信学会技術研究報告 114 巻 ( 88 ) 頁： 11-16 2014年6月
-
Ge1-xSnxエピタキシャル成長における積層欠陥構造の制御
浅野孝典, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
電子情報通信学会技術研究報告 114 巻 ( 88 ) 頁： 21-25 2014年6月
-
n型Ge単結晶中におけるSnと空孔関連欠陥との相互作用
竹内和歌奈, 田岡紀之, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
電子情報通信学会技術研究報告 114 巻 ( 57 ) 頁： 113-118 2014年5月
-
Band alignment at interfaces of amorphous Al2O3 with Ge1-xSnx- and strained Ge-based channels 査読有り
H.-Y. Chou, V. V. Afanas'ev, M. Houssa, A. Stesmans, B. Vincent, F. Gencarelli, Y. Shimura, C. Merckling, R. Loo, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Appl. Phys. Lett. 104 巻 頁： 202107 (5 pages) 2014年5月