論文 - 中塚 理
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水中パルスレーザアニールを用いた多結晶Ge1-xSnx層中Sbの高活性化
高橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
特別研究会「電子デバイス界面テク ノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」 （第22回） 頁： 67-70 2017年1月
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金属/Ge接合へのSixGe1-x-ySny 界面層導入がショットキー障壁高さに及ぼす効果
鈴木陽洋, 戸田祥太, 中塚理, 坂下満男, 財満鎭明
特別研究会「電子デバイス界面テク ノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」 （第22回） 頁： 63-66 2017年1月
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Hydrogen-surfactant-mediated epitaxy of Ge1-xSnx layer and its effect on crystalline and photoluminescence properties 査読有り
O. Nakatsuka, S. Fujinami, T. Asano, T. Koyama, M. Kurosawa, M. Sakashita, H. Kishida, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 56 巻 ( 1S ) 頁： 01AB05 (6 pages) 2017年1月
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Solid phase crystallization of Si1-x-ySnxCy ternary alloy layers and characterization of its crystalline and optical properties 査読有り
S. Yano, T. Yamaha, Y. Shimura, W. Takeuchi, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 56 巻 ( 1S ) 頁： 01AB02 (7 pages) 2017年1月
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Taoka, N; Capellini, G; Schlykow, V; Montanari, M; Zaumseil, P; Nakatsuka, O; Zaima, S; Schroeder, T
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING 57 巻 頁： 48 - 53 2017年1月
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Nakatsuka, O; Fujinami, S; Asano, T; Koyama, T; Kurosawa, M; Sakashita, M; Kishida, H; Zaima, S
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56 巻 ( 1 ) 2017年1月
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Yano, S; Yamaha, T; Shimura, Y; Takeuchi, W; Sakashita, M; Kurosawa, M; Nakatsuka, O; Zaima, S
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56 巻 ( 1 ) 2017年1月
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Electrical and Optical Properties Improvement of GeSn Layers Formed at High Temperature under Well-controlled Sn Migration 査読有り
N. Taoka, G. Capellini, V. Schlykow, M. Montanari, P. Zaumseil, O. Nakatsuka, S. Zaima, and T. Schroeder
Mater. Sci. Semicond. Proc. 57 巻 頁： 48-53 2017年
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Jeon, J; Suzuki, A; Takahashi, K; Nakatsuka, O; Zaima, S
2017 IEEE ELECTRON DEVICES TECHNOLOGY AND MANUFACTURING CONFERENCE (EDTM) 頁： 249 - 251 2017年
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Analysis of Microscopic Strain and Crystalline Structure in Ge/Ge1-xSnx Fine Structures by Using Synchrotron X-ray Microdiffraction 査読有り
S. Ike, O. Nakatsuka, Y. Inuzuka, T. Washizu, W. Takeuchi, Y. Imai, S. Kimura, and S. Zaima
ECS Trans. 75 巻 ( 8 ) 頁： 769-775 2016年10月
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Influence of GeO2 deposition temperature by in atomic layer deposition on electrical properties of Ge gate stack+K12 査読有り
M. Kanematsu, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 55 巻 ( 8S2 ) 頁： 08PC05 (5 pages) 2016年8月
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Density functional study for crystalline structures and electronic properties of Si1-xSnx binary alloys 査読有り
Y. Nagae, M. Kurosawa, S. Shibayama, M. Araidai, M. Sakashita, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 55 巻 ( 8S2 ) 頁： 08PE04 (4 pages) 2016年8月
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Ge基板上エピタキシャルGeSn膜の電気的活性な欠陥の評価
金田裕一, 兼松正行, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
信学技報 116 巻 ( 118 ) 頁： 37-41 2016年6月
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Crystalline Structure of TiC Ultra Thin Layers Formed on Highly Oriented Pyrolytic Graphite by Chemical Reaction from Ti/Graphite System 査読有り
O. Nakatsuka, K. Hisada, S. Oida, A. Sakai, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 55 巻 ( 6S3 ) 頁： 06JE02 (4 pages) 2016年6月
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Sn系IV族半導体混晶薄膜の成長と物性評価 招待有り
志村洋介, 竹内和歌奈, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
信学技報 116 巻 ( 1 ) 頁： 23-26 2016年4月
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Effect of in situ Sb doping on crystalline and electrical characteristics of n-type Ge1-xSnx epitaxial layer 査読有り
J. Jeon, T. Asano, Y. Shimura, W. Takeuchi, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 55 巻 ( 4S ) 頁： 04EB13 (5 pages) 2016年3月
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Influence of Precursor Gas on SiGe Epitaxial Material Quality in Terms of Structural and Electrical Defects 査読有り
S. Ike, E. Simoen, Y. Shimura, A. Hikavyy, W. Vandervorst, R. Loo, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 55 巻 ( 4S ) 頁： 04EJ11 (5 pages) 2016年3月
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Effect of Nitridation for SiO2/SiC Interface on Defects Properties near Conduction Band Edge 査読有り
W. Takeuchi, K. Yamamoto, N. Taoka, M.Sakashita, T. Kanemura, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 55 巻 ( 4S ) 頁： 04ER13 (5 pages) 2016年3月
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Growth of ultra-high Sn content Ge1-xSnx epitaxial layer and its impact on controlling Schottky barrier height at metal/Ge interface 査読有り
A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 55 巻 ( 4S ) 頁： 04EB12 (6 pages) 2016年3月
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Experimental observation of type-I energy band alignment in lattice matched Ge1-x-y SixSny/Ge heterostructures 査読有り
T. Yamaha, S. Shibayama, T. Asano, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Appl. Phys. Lett. 108 巻 頁： 061909 (5 pages) 2016年2月