研究者詳細 - 中塚理

論文 - 中塚理

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Effect of N bonding structure in AlON deposited by plasma-assisted atomic layer deposition on electrical properties of 4H-SiC MOS capacitor 査読有り

Takeuchi, W; Yamamoto, K; Sakashita, M; Nakatsuka, O; Zaima, S

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 57 巻 ( 1 ) 2018年1月

Improved thermoelectric property of B-doped Si/Ge multilayered quantum dot films prepared by RF magnetron sputtering 査読有り

Peng, Y; Miao, L; Li, C; Huang, R; Urushihara, D; Asaka, T; Nakatsuka, O; Tanemura, S

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 57 巻 ( 1 ) 2018年1月

Selective growth of Ge1-xSnx epitaxial layer on patterned SiO2/Si substrate by metal-organic chemical vapor deposition 査読有り

Takeuchi, W; Washizu, T; Ike, S; Nakatsuka, O; Zaima, S

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 57 巻 ( 1 ) 2018年1月

The morphological study of porous silicon formed by electrochemical anodization method

Suryana R., Sandi D. K., Nakatsuka O.

INTERNATIONAL CONFERENCE ON ADVANCED MATERIALS FOR BETTER FUTURE 2017 333 巻 2018年

A New Application of Ge1-xSnx: Thermoelectric Materials 査読有り

Kurosawa, M; Imai, Y; Iwahashi, T; Takahashi, K; Sakashita, M; Nakatsuka, O; Zaima, S

SIGE, GE, AND RELATED COMPOUNDS: MATERIALS, PROCESSING, AND DEVICES 8 86 巻 ( 7 ) 頁： 321 - 328 2018年

In situ phosphorus-doped Ge1-xSnx layers grown using low-temperature metal-organic chemical vapor deposition 査読有り

Ike, S; Takeuchi, W; Nakatsuka, O; Zaima, S

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY 32 巻 ( 12 ) 2017年12月

Self-organized lattice-matched epitaxy of Si1-xSnx alloys on (001)-oriented Si, Ge, and InP substrates 査読有り

Kurosawa, M; Kato, M; Takahashi, K; Nakatsuka, O; Zaima, S

APPLIED PHYSICS LETTERS 111 巻 ( 19 ) 2017年11月

Si1-xGex Bulk Single Crystals for Substrates of Electronic Devices 査読有り

K. Kinoshita, Y. Arai, T. Maeda, and O. Nakatsuka

Mater. Sci. Semicond. Proc. 70 巻 ( 1 ) 頁： 12-16 2017年11月

Modulation of Fermi level pining position at metal/n-Ge interface by semimetal Ge1-xSnx and Sn interlayers 査読有り

A. Suzuki, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Mater. Sci. Semicond. Proc. 70 巻 ( 1 ) 頁： 162-166 2017年11月

Formation and characterization of Ge1-x-ySixSny/ Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny double heterostructures with strain-controlled Ge1-x-ySixSny layers 査読有り

M. Fukuda, T. Yamaha, T. Asano, S. Fujinami, Y. Shimura, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Mater. Sci. Semicond. Proc. 70 巻 ( 1 ) 頁： 156-161 2017年11月

Low-temperature crystallization of Ge-rich GeSn layers on Si3N4 substrate 査読有り

I. Yoshikawa, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Mater. Sci. Semicond. Proc. 70 巻 ( 1 ) 頁： 151-155 2017年11月

EXAFS study of local structure contributing to Sn stability in SiyGe1-y-zSnz 査読有り

Y. Shimura, T. Asano, T. Yamaha, M. Fukuda, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Mater. Sci. Semicond. Proc. 70 巻 ( 1 ) 頁： 133-138 2017年11月

Electrical and optical properties improvement of GeSn layers formed at high temperature under well-controlled Sn migration 査読有り

Taoka, N; Capellini, G; Schlykow, V; Montanari, M; Zaumseil, P; Nakatsuka, O; Zaima, S; Schroeder, T

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING 70 巻頁： 139 - 144 2017年11月

Sii1-xGex bulk single crystals for substrates of electronic devices 査読有り

Kinoshita, K; Arai, Y; Maeda, T; Nakatsuka, O

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING 70 巻頁： 12 - 16 2017年11月

Formation and characterization of Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/ Ge1-x-ySixSny double heterostructures with strain-controlled Ge1-x-ySixSny layers 査読有り

Fukuda, M; Yamaha, T; Asano, T; Fujinami, S; Shimura, Y; Kurosawa, M; Nakatsuka, O; Zaima, S

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING 70 巻頁： 156 - 161 2017年11月

Growth and Applications of Si1-xSnx Thin Films 招待有り査読有り

M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

ECS Trans. 8 巻 ( 4 ) 頁： 253-258 2017年10月

Control of Ge1-x-ySixSny layer lattice constant for energy band alignment in Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny heterostructures 査読有り

Fukuda, M; Watanabe, K; Sakashita, M; Kurosawa, M; Nakatsuka, O; Zaima, S

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY 32 巻 ( 10 ) 2017年10月

Selective epitaxial growth of Ge1-xSnx on Si by using metal-organic chemical vapor deposition 査読有り

T. Washizu, S. Ike, Y. Inuzuka, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

J. Crystal Growth 468 巻頁： 614-619 2017年7月

Evaluation of energy band offset of Si1-xSnx semiconductors by numerical calculation using density functional theory 査読有り

Nagae, Y; Kurosawa, M; Araidai, M; Nakatsuka, O; Shiraishi, K; Zaima, S

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56 巻 ( 4 ) 2017年4月

4H-SiC MOSキャパシタのAlON絶縁膜のリーク電流特性に窒素結合状態が与える効果

竹内和歌奈, 山本建策, 三村智博, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第22回）頁： 127-130 2017年1月

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