論文 - 中塚 理

Pr 酸化膜/Ge構造におけるゲート金属が界面反応に与える影響

加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第18回研究会）     頁： 155-158   2013年1月

　詳細を見る

記述言語：日本語  

テ トラエトキシゲルマニウムを用いた極薄Ge酸化膜の形成

吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第18回研究会）     頁： 151-154   2013年1月

　詳細を見る

記述言語：日本語  

Effect of atomic deuterium irradiation on initial growth of Sn and Ge1-xSnx on Ge(0 0 1) substrates 査読有り

T. Shinoda, O. Nakatsuka, Y. Shimura, S. Takeuchi, and S. Zaima

Appl. Surf. Sci.   259 巻 ( 15 ) 頁： 754-757   2012年10月

　詳細を見る

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.apsusc.2012.07.116

Growth and Characterization of Heteroepitaxial Layers of Ge1-x-ySixSny Ternary Alloy 査読有り

T. Yamaha, O. Nakatsuka, S. Takeuchi, W. Takeuchi, N. Taoka, K. Araki, K. Izunome, and S. Zaima

ECS Trans.   50 巻 ( ９ ) 頁： 907-913   2012年10月

　詳細を見る

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Growth and Optical Properties of Ge1-xSnx Alloy Thin Films with a High Sn Content 招待有り 査読有り

S. Zaima, O. Nakatsuka, M. Nakamura, W. Takeuchi, Y. Shimura, and N. Taoka

ECS Trans.   50 巻 ( 9 ) 頁： 897-902   2012年10月

　詳細を見る

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1149/05009.0897ecst

Growth of Ge1-xSnx heteroepitaxial layers with very high Sn contents on InP(001) substrates 査読有り

M. Nakamura, Y. Shimura, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Thin Solid Films   520 巻 ( 8 ) 頁： 3201–3205   2012年2月

　詳細を見る

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.tsf.2011.10.153

Homogeneous Si0.5Ge0.5 bulk crystal growth as substrates for strained Ge thin films by the traveling liquidus-zone method 査読有り

K. Kinoshita, O. Nakatsuka, S. Yoda, and S. Zaima

Thin Solid Films   520 巻 ( 8 ) 頁： 3279–3282   2012年2月

　詳細を見る

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.tsf.2011.08.047

Improvement of Al2O3/Ge interfacial properties by O2-annealing 査読有り

S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Thin Solid Films   520 巻 ( 8 ) 頁： 3397–3401   2012年2月

　詳細を見る

担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.tsf.2011.10.103

Low temperature formation of Si1-x-yGexSny-on-insulator structures by using solid-phase mixing of Ge1-zSnz/Si-on-insulator substrates 査読有り

O. Nakatsuka, M. Mochizuki, Y. Shimura, T. Yamaha, and S. Zaima

Thin Solid Films   520 巻 ( 8 ) 頁： 3288–3292   2012年2月

　詳細を見る

担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.tsf.2011.10.120

Homogeneous Si0.5Ge0.5 bulk crystal growth as substrates for strained Ge thin films by the traveling liquidus-zone method 査読有り

K. Kinoshita, O. Nakatsuka, S. Yoda, and S. Zaima

Thin Solid Films   520 巻 ( 8 ) 頁： 3279–3282   2012年2月

　詳細を見る

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.tsf.2011.08.047

In-situ Ga doping of fully strained Ge1-xSnx heteroepitaxial layers grown on Ge(001) substrates 査読有り

Y. Shimura, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, B. Vincent, F. Gencarelli, T. Clarysse, W. Vandervorst, M. Caymax, R. Loo, A. Jensen, D.H. Petersen, and S. Zaima

Thin Solid Films   520 巻 ( 8 ) 頁： 3206–3210   2012年2月

　詳細を見る

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.tsf.2011.10.084

Crystallinity Improvement of Epitaxial Ge Grown on a Ge(110) Substrate by Incorporation of Sn 査読有り

Y. Shimura, T. Asano, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Appl. Phys. Express   5 巻   頁： 015501   2012年1月

　詳細を見る

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1143/APEX.5.015501

Characterization of Damage of Al2O3/Ge Gate Stack Structure Induced with Light Radiation during Plasma Nitridation 査読有り

Kusumandari, W.Takeuchi, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Jpn. J. Appl. Phys.   51 巻   頁： 01AJ01   2012年1月

　詳細を見る

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1143/JJAP.51.01AJ01

Control of Interfacial Properties of Al2O3/Ge Gate Stack Structure using Radical Nitridation Technique 査読有り

K. Kato, S. Kyogoku, M. Sakashita, W. Takeuchi, H. Kondo, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Jpn. J. Appl. Phys.   50 巻 ( 10 ) 頁： 10PE02 (7 pages)   2011年10月

　詳細を見る

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1143/JJAP.50.10PE02

Structural Analysis of Si-Based Nanodot Arrays Self-Organized by Selective Etching of SiGe/Si Films 査読有り

M. Takahashi, Y. Nakamura, J. Kikkawa, O. Nakatsuka, S. Zaima, and Akira Sakai

Jpn. J. Appl. Phys.   50 巻 ( 8 ) 頁： 08LB11 (4 pages)   2011年8月

　詳細を見る

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1143/JJAP.50.08LB11

Formation of Ni(Ge1-xSnx) Layers with Solid-Phase Reaction in Ni/Ge1-xSnx/Ge Systems 査読有り

T. Nishimura, Y. Shimura, S. Takeuchi, B. Vincent, A. Vantomme, J. Dekoster, M. Caymax, R. Loo, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Solid-State Electronics   60 巻 ( 1 ) 頁： 46-52   2011年6月

　詳細を見る

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.sse.2011.01.025

Control of Strain Relaxation Behavior of Ge1-xSnx Layers 査読有り

Y. Shimura, S. Takeuchi, N. Tsutsui, O. Nakatsuka, A. Sakai, and S. Zaima

Solid-State Electronics   60 巻 ( 1 ) 頁： 84-88   2011年6月

　詳細を見る

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.sse.2011.01.023

Control of Interfacial Properties of Pr-oxide/Ge Gate Stack Structure by Introduction of Nitrogen 査読有り

K. Kato, H. Kondo, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Solid-State Electronics   60 巻 ( 1 ) 頁： 70-74   2011年6月

　詳細を見る

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.sse.2011.01.029

Ge1-xSnx stressors for strained-Ge CMOS 招待有り 査読有り

S. Takeuchi, Y. Shimura, T. Nishimura, B. Vincent, G. Eneman, T. Clarysse, A. Vantomme, J. Dekoster, M. Caymax, R. Loo, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Solid-State Electronics   60 巻 ( 1 ) 頁： 53-57   2011年6月

　詳細を見る

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.sse.2011.01.022

Crystalline orientation dependence of electrical properties of Mn Germanide/Ge(1 1 1) and (0 0 1) Schottky contacts 査読有り

T. Nishimura, O. Nakatsuka, S. Akimoto, W. Takeuchi, and S. Zaima

Microelectron. Eng.   88 巻 ( 5 ) 頁： 605-609   2011年5月

　詳細を見る

記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.mee.2010.08.014