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界面層挿入が低仕事関数金属/n型4H-SiC界面のSBHに与える影響
土井拓馬, 柴山茂久, 坂下満男, 清水三聡, 中塚理
第68回応用物理学会春季学術講演会 2021.3.18
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Si(001)基板上におけるSi1−xSnx薄膜のエピタキシャル成長
黒澤昌志, 丹下龍志, 中塚理
第68回応用物理学会春季学術講演会 2021.3.18
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ウェット熱処理によるZrO2薄膜の強誘電相発現機構
柴山茂久, 永野丞太郎, 安坂幸師, 坂下満男, 中塚理
第68回応用物理学会春季学術講演会 2021.3.17
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高温堆積におけるZrO2薄膜結晶相の下地依存性
永野丞太郎, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理
第68回応用物理学会春季学術講演会 2021.3.16
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Heterostructure design favorable for n+-Ge1−xSnx pseudo-direct transition layer for optoelectronic application Invited International conference
S. Zhang, M. Fukuda, S. Shibayama, and O. Nakatsuka
13th International Symposium on Advanced Plasma Scienceand its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 14th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science, (ISPlasma2021/IC-PLANTS2021)
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Epitaxial growth of strain‐relaxed and high-Sn-content n-Ge1-xSnx on Si(111) substrate with Ge buffer layer Invited International conference
A. Huang, S. Shibayama, and O. Nakatsuka
The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT)
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HfO2-ZrO2系の強誘電相発現におけるウェット熱処理の効果
柴山茂久, 永野丞太郎, 坂下満男, 中塚理
応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第26回） 2021.1.23
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低仕事関数金属/4H-SiC界面におけるMIGSの影響
土井拓馬, 柴山茂久, 坂下満男, 清水三聡, 中塚理
応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第26回） 2021.1.26
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低仕事関数金属を用いたn型4H-SiCに対する低ショットキー障壁コンタクトの実現
土井拓馬, 柴山茂久, 坂下満男, 清水三聡, 中塚理
先進パワー半導体分科会第7回講演会 2021.1.22
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GeSn系Ⅳ族混晶半導体の創製と結晶・電子物性制御 Invited
中塚理
第5回TIA-EXA広域エレクトロニクス融合セミナー ～革新デバイスに向けた新材料と集積技術～ 2020.12.9
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Heteroepitaxy and Strain Engineering of Germanium-Silicon-Tin Ternary Alloy Semiconductor Thin Films for Energy Band Design Invited International conference
O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Kurosawa, and M. Sakashita
Pacificrim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science (PRiME2020)
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Crystal Growth of Epitaxial 3C-SiC Thin Film on Si Substrate By Chemical Vapor Deposition using Single Precursor of Vinylsilane International conference
T. Doi, K. Hashimoto, W. Takeuchi, and O. Nakatsuka
Pacificrim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science (PRiME2020)
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Understanding wet annealing effect on phase transition and ferroelectric phase formation for Hf1-xZrxO2 film International conference
S. Shibayama, J. Nagano, M. Sakashita, and O. Nakatsuka
2020 Inthernational Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020)
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コンタクト抵抗率低減のための金属/IV族半導体界面制御技術 Invited
中塚理, 柴山茂久, 坂下満男
第84回半導体・集積回路技術シンポジウム
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Ge1-xSnx溶融成長時に生じる偏析現象の理解
中尾天哉, 西島泰樹, 清水智, 角田功, 中塚理, 黒澤昌志
第81回応用物理学会秋季学術講演会
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多層ゲルマナンフレークからの水素脱離
伊藤麻維, 洗平昌晃, 大田晃生, 中塚理, 黒澤昌志
第81回応用物理学会秋季学術講演会 2020.9.9
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GaAs(001)基板上におけるGe1−x−ySixSny薄膜のエピタキシャル成長
中田壮哉, 詹天卓, 富田基裕, 渡邉孝信, 中塚理, 黒澤昌志
第81回応用物理学会秋季学術講演会 2020.9.9
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絶縁膜上における極薄Ge薄膜の固相成長
大石遼, 黒澤昌志, 中塚理
第81回応用物理学会秋季学術講演会 2020.9.9
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GeSn系IV族混晶ヘテロ構造の結晶成長と光電物性制御 Invited
中塚 理
阪大CSRN 第二回異分野研究交流会 「半導体・ナノカーボン系」 2020.8.28
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In-situ Sb Doping into Ge1−xSnx Epitaxial Layer toward Enhancement of Photoluminescence Intensity International conference
M. Fukuda, J. Jeon, M. Sakashita, S. Shibayama, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka
The 8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VIII)