財団法人 高輝度光科学研究センター 外来研究員（兼職）

2006年1月

名古屋大学エコトピア科学研究機構（2005年4月よりエコトピア科学研究所）助手

2004年4月 - 2007年4月

名古屋大学理工科学総合研究センター助手

2001年6月 - 2004年3月

京都大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー非常勤研究員

2000年4月 - 2001年5月

Advanced Metallization Conference 2020 Asian Session, Special Symposium Committee   ADMETA Plus 2020 委員会  

2020年2月 - 2021年12月   

(公社) 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会   常任幹事  

2019年4月 - 2021年3月   

（公社） 応用物理学会   第58,59期代議員  

2019年2月 - 2021年3月   

(公社) 応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会   幹事（多層配線システム研究会）  

2018年4月 - 現在   

Japanese Journal of Applied Physics   Editorial board member of Japanese Journal of Applied Physics  

2012年4月 - 現在   

電子デバイス界面テクノロジー研究会   実行プログラム委員  

2012年4月 - 現在   

(公社) 応用物理学会東海支部   支部幹事  

2011年4月 - 現在   

ISTDM 2008 Best Poster Award

2008年5月   The fourth International SiGe Technology and Device Meeting  

第3回 P&I パテントコンテスト：パテント・オブ・ザ・イヤープロセス・テクノロジー部門

2006年11月  

Emergence of ferroelectricity in ZrO2 thin films on TiN/Si featuring high temperature sputtering method 査読有り

Nagano, J; Ikeguchi, S; Doi, T; Sakashita, M; Nakatsuka, O; Shibayama, S

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING   163 巻   2023年8月

Self-organized Ge1-xSnx quantum dots formed on insulators and their room temperature photoluminescence 査読有り

Hashimoto, K; Shibayama, S; Asaka, K; Sakashita, M; Kurosawa, M; Nakatsuka, O

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   62 巻 ( 7 )   2023年7月

Heteroepitaxial growth of CaGe2 films on high-resistivity Si(111) substrates and its application for germanane synthesizing 査読有り

Okada, K; Shibayama, S; Sakashita, M; Nakatsuka, O; Kurosawa, M

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING   161 巻   2023年7月

Lattice-matched growth of high-Sn-content (x∼0.1) Si1-xSnx layers on Si1-yGey buffers using molecular beam epitaxy 査読有り

Fujimoto, K; Kurosawa, M; Shibayama, S; Sakashita, M; Nakatsuka, O

APPLIED PHYSICS EXPRESS   16 巻 ( 4 )   2023年4月

Crystalline and optoelectronic properties of Ge1-xSnx/high-Si-content-SiyGe1-x-ySnx double-quantum wells grown with low-temperature molecular beam epitaxy 査読有り

Zhang, SY; Shibayama, S; Nakatsuka, O

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY   38 巻 ( 1 )   2023年1月

Sn-incorporation effect on thermoelectric properties of Sb-doped Ge-rich Ge_{1-<i>x</i>-<i>y</i>}Si_<i>x</i>Sn_<i>y</i> epitaxial layers grown on GaAs(001) 査読有り

Kurosawa, M; Nakata, M; Zhan, TZ; Tomita, M; Watanabe, T; Nakatsuka, O

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   61 巻 ( 8 )   2022年8月

Crystal structure change in multilayer GeH flakes by hydrogen desorption under ultrahigh vacuum environments 査読有り

Itoh, M; Araidai, M; Ohta, A; Nakatsuka, O; Kurosawa, M

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   61 巻 ( SC )   2022年5月

Enhancement of channel mobility in 4H-SiC trench MOSFET by inducing stress at SiO₂/SiC gate interface 査読有り

Kagoshima, E; Takeuchi, W; Kutsuki, K; Sakashita, M; Fujiwara, H; Nakatsuka, O

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   61 巻 ( SC )   2022年5月

High-pressure polycrystalline thin-film synthesis and semiconducting property of platinum pernitride 査読有り

Niwa, K; Iizuka, T; Kurosawa, M; Nakamura, Y; Valencia, HO; Kishida, H; Nakatsuka, O; Sasaki, T; Gaida, NA; Hasegawa, M

AIP ADVANCES   12 巻 ( 5 )   2022年5月

Visualization of local strain in 4H-SiC trench metal-oxide-semiconductor field-effect transistor using synchrotron nanobeam X-ray diffraction 査読有り

Takeuchi, W; Kagoshima, E; Sumitani, K; Imai, Y; Shibayama, S; Sakashita, M; Kimura, S; Tomita, H; Nishiwaki, T; Fujiwara, H; Nakatsuka, O

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   61 巻 ( SC )   2022年5月

Solid-phase crystallization of ultra-thin amorphous Ge layers on insulators 査読有り

Oishi, R; Asaka, K; Bolotov, L; Uchida, N; Kurosawa, M; Nakatsuka, O

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   61 巻 ( SC )   2022年5月

Impact of oxide/4H-SiC interface state density on field-effect mobility of counter-doped n-channel 4H-SiC MOSFETs 査読有り

Doi, T; Shibayama, S; Sakashital, M; Taokal, N; Shimizu, M; Nakatsuka, O

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   61 巻 ( 2 )   2022年2月

Low-temperature formation of Mg/n-type 4H-SiC ohmic contacts with atomically flat interface by lowering of Schottky barrier height 査読有り

Doi, T; Shibayama, S; Sakashita, M; Kojima, K; Shimizu, M; Nakatsuka, O

APPLIED PHYSICS EXPRESS   15 巻 ( 1 )   2022年1月

Photoluminescence properties of heavily Sb doped Ge_1-<i>x</i>Sn<i> _x </i> and heterostructure design favorable for n<SUP>+</SUP>-Ge_1-<i>x</i>Sn<i> _x </i> active layer 査読有り

Zhang, SY; Fukuda, M; Jeon, J; Sakashita, M; Shibayama, S; Nakatsuka, O

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   61 巻 ( SA )   2022年1月

Constructed Ge Quantum Dots and Sn Precipitate SiGeSn Hybrid Film with High Thermoelectric Performance at Low Temperature Region 査読有り

Peng, Y; Miao, L; Liu, CY; Song, HL; Kurosawa, M; Nakatsuka, O; Back, SY; Rhyee, JS; Murata, M; Tanemura, S; Baba, T; Baba, T; Ishizaki, T; Mori, T

ADVANCED ENERGY MATERIALS   12 巻 ( 2 )   2022年1月

Interface Structures and Electrical Properties of Micro-Fabricated Epitaxial Hf-Digermanide/<i>n</i>-Ge(001) Contacts 査読有り

Kasahara, K; Senga, K; Sakashita, M; Shibayama, S; Nakatsuka, O

IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY   10 巻   頁： 744 - 750   2022年

Reinforcement of power factor in N-type multiphase thin film of Si_1-x-yGe_xSn_y by mitigating the opposing behavior of Seebeck coefficient and electrical conductivity 査読有り

Lai, HJ; Peng, Y; Gao, J; Song, HL; Kurosawa, M; Nakatsuka, O; Takeuchi, T; Miao, L

APPLIED PHYSICS LETTERS   119 巻 ( 11 )   2021年9月

Lowering of the Schottky barrier height of metal/n-type 4H-SiC contacts using low-work-function metals with thin insulator insertion 査読有り

Doi, T; Shibayama, S; Sakashita, M; Shimizu, M; Nakatsuka, O

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   60 巻 ( 7 )   2021年7月

No external load measurement strategy for micro thermoelectric generator based on high-performance Si_1-x-yGe_xSn_y film 査読有り

Peng, Y; Zhu, SJ; Lai, HJ; Gao, J; Kurosawa, M; Nakatsuka, O; Tanemura, S; Peng, BL; Miao, L

JOURNAL OF MATERIOMICS   7 巻 ( 4 ) 頁： 665 - 671   2021年7月

Impact of Wet Annealing on Ferroelectric Phase Formation and Phase Transition of HfO₂-ZrO₂ System 査読有り

Shibayama, S; Nagano, J; Asaka, K; Sakashita, M; Nakatsuka, O

ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS   3 巻 ( 5 ) 頁： 2203 - 2211   2021年5月

Silicon-based low-dimensional materials for thermal conductivity suppression: recent advances and new strategies to high thermoelectric efficiency 査読有り

Lai, HJ; Peng, Y; Gao, J; Kurosawa, M; Nakatsuka, O; Takeuchi, T; Miao, L

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   60 巻 ( SA )   2021年1月

Improved interface uniformity of epitaxial HfGe₂/Ge(001) contact by microfabrication and its electron conduction property 査読有り

Kasahara, K; Senga, K; Sakashita, M; Shibayama, S; Nakatsuka, O

TWENTIETH INTERNATIONAL WORKSHOP ON JUNCTION TECHNOLOGY (IWJT 2021)     頁： 58 - 60   2021年

Formation of ultra-thin Ge_1-_<i>x</i>Sn_<i>x</i>/Ge_1-_<i>x</i>_-_<i>y</i>Si_<i>x</i>Sn_<i>y</i> quantum heterostructures and their electrical properties for realizing resonant tunneling diode 査読有り

Suwito, GR; Fukuda, M; Suprayoga, E; Ohtsuka, M; Hasdeo, EH; Nugraha, ART; Sakashita, M; Shibayama, S; Nakatsuka, O

APPLIED PHYSICS LETTERS   117 巻 ( 23 )   2020年12月

Crystal Growth of Epitaxial 3C-SiC Thin Film on Si Substrate by Chemical Vapor Deposition using Single Precursor of Vinylsilane 招待有り 査読有り

T. Doi, K. Hashimoto, W. Takeuchi, and O. Nakatsuka

ECS Trans.   98 巻   頁： 169 - 176   2020年10月

(Invited) Heteroepitaxy and Strain Engineering of Germanium-Silicon-Tin Ternary Alloy Semiconductor Thin Films for Energy Band Design 招待有り 査読有り

O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Kurosawa, and M. Sakashita

ECS Trans.   98 巻   頁： 149 - 156   2020年10月

Realizing high thermoelectric performance in p-type Si_1-x-yGe_xSn_y thin films at ambient temperature by Sn modulation doping 査読有り

Peng, Y; Lai, HJ; Liu, CY; Gao, J; Kurosawa, M; Nakatsuka, O; Takeuchi, T; Zaima, S; Tanemura, S; Miao, L

APPLIED PHYSICS LETTERS   117 巻 ( 5 )   2020年8月

Ferroelectric phase formation for undoped ZrO2 thin films by wet O-2 annealing 査読有り

Shibayama Shigehisa, Nagano Jotaro, Sakashita Mitsuo, Nakatsuka Osamu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻   2020年7月

Saturation of electrically activated Sb concentration in heavily Sb-doped <i>n</i><SUP>+</SUP>-Ge_1-<i>x</i>Sn<i>_x</i> epitaxial layers 査読有り

Jeon, J; Shibayama, S; Nakatsuka, O

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻   2020年7月

Impact of byproducts formed on a 4H-SiC surface on interface state density of Al₂O₃/4H-SiC(0001) gate stacks 査読有り

Doi, T; Shibayama, S; Takeuchi, W; Sakashita, M; Taoka, N; Shimizu, M; Nakatsuka, O

APPLIED PHYSICS LETTERS   116 巻 ( 22 )   2020年6月

Fermi-level pinning at metal/4H-SiC contact induced by SiC<i>_x</i>O<i>_y</i> interlayer 査読有り

Hashimoto, K; Doi, T; Shibayama, S; Nakatsuka, O

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻   2020年4月

Mobility enhancement by mechanical uniaxial stress on 4H-SiC (0001) lateral metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor 査読有り

Takeuchi, W; Kutsuki, K; Kagoshima, E; Onishi, T; Iwasaki, S; Sakashita, M; Fujiwara, H; Nakatsuka, O

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 巻   2020年4月

Realizing High Thermoelectric Performance at Ambient Temperature by Ternary Alloying in Polycrystalline Si_1-x-yGe_xSn_y Thin Films with Boron Ion Implantation 査読有り

Peng, Y; Miao, L; Gao, J; Liu, CY; Kurosawa, M; Nakatsuka, O; Zaima, S

SCIENTIFIC REPORTS   9 巻   2019年10月

Development of Germanium-Tin-Related Semiconductor Heterostructures for Energy Band Design in Electronic and Optoelectronic Applications 招待有り 査読有り

O. Nakatsuka, M. Fukuda, M. Sakashita, M. Kurosawa, S. Shibayama, and S. Zaima

ECS Trans.   92 巻 ( 4 ) 頁： 41-46   2019年10月

Formation and optoelectronic property of strain-relaxed Ge_{1-<i>x</i>-<i>y</i>}Si<i>_x</i>Sn<i>_y</i>/Ge_1-<i>x</i>Sn<i>_x</i>/Ge_{1-<i>x</i>-<i>y</i>}Si<i>_x</i>Sn<i>_y</i> double heterostructures on a boron-ion-implanted Ge(001) substrate 査読有り

Fukuda, M; Rainko, D; Sakashita, M; Kurosawa, M; Buca, D; Nakatsuka, O; Zaima, S

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年8月

Ultra-low resistance contact for n-type Ge1-xSnx with by in-situ Sb heavily doping and nickel stanogermanide formation

J. Jeon, A. Suzuki, S. Shibayama, S. Zaima, and O. Nakatsuka

  119 巻 ( 96 ) 頁： 5-9   2019年6月

イオン注入法によるⅣ族半導体混晶薄膜の歪緩和促進機構について

祖父江秀隆, 福田雅大, 柴山茂久, 財満鎭明, 中塚理

信学技報   119 巻 ( 96 ) 頁： 17-20   2019年6月

Operation of thin-film thermoelectric generator of Ge-rich poly-Ge_1-<i>x</i>Sn<i>_x</i> on SiO₂ fabricated by a low thermal budget process 査読有り

Takahashi, K; Ikenoue, H; Sakashita, M; Nakatsuka, O; Zaima, S; Kurosawa, M

APPLIED PHYSICS EXPRESS   12 巻 ( 5 )   2019年5月

Effect of carbon in Si oxide interlayers of the Al2O3/4H-SiC structure on interfacial reaction by oxygen radical treatment 査読有り

Doi Takuma, Takeuchi Wakana, Shibayama Shigehisa, Sakashita Mitsuo, Taoka Noriyuki, Nakatsuka Osamu, Zaima Shigeaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年4月

Effect of carbon in Si oxide interlayers of the Al₂O₃/4H-SiC structure on interfacial reaction by oxygen radical treatment (vol 58, SBBD05, 2019) 査読有り

Doi, T; Takeuchi, W; Shibayama, S; Sakashita, M; Taoka, N; Nakatsuka, O; Zaima, S

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻   2019年4月

Influence of Sn precursors on Ge_1-<i>x</i>Sn<i>_x</i> growth using metal-organic chemical vapor deposition 査読有り

Miki, Y; Takeuchi, W; Nakatsuka, O; Zaima, S

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻 ( SA )   2019年2月

Synthesis of heavily Ga-doped Si_1-<i>x</i>Sn<i>_x</i>/Si heterostructures and their valence-band-offset determination 査読有り

Kurosawa, M; Inaishi, Y; Tange, R; Sakashita, M; Nakatsuka, O; Zaima, S

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 巻 ( SA )   2019年2月

Further reduction of Schottky barrier height of Hf-germanide/<i>n</i>-Ge(001) contacts by forming epitaxial HfGe₂ 査読有り

Senga, K; Shibayama, S; Sakashita, M; Zaima, S; Nakatsuka, O

2019 NINETEENTH INTERNATIONAL WORKSHOP ON JUNCTION TECHNOLOGY (IWJT)     頁： .   2019年

Fabrication of Porous Silicon using Photolithography and Reactive Ion Etching (RIE) 査読有り

Pratiwi, ND; Handayani, M; Suryana, R; Nakatsuka, O

MATERIALS TODAY-PROCEEDINGS   13 巻   頁： 92 - 96   2019年

Patterned Porous Silicon Prepared by Reactive Ion Etching Technique 査読有り

Suryana R., Pratiwi N. D., Handayani M., Santika M., Nakatsuka O.

INTERNATIONAL CONFERENCE ON ADVANCED MATERIALS FOR BETTER FUTURE 2018   578 巻   2019年

Crystalline and Electrical Properties of Ge_1-xSn_x/Ge_1-x-ySi_xSn_y Quantum Well Structures 査読有り

Suwito, GR; Fukuda, M; Shibayama, S; Sakashita, M; Nakatsuka, O; Zaima, S

2019 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW)     2019年

Impact of crystalline structures on the thermal stability and Schottky barrier height of NiGe/Ge contact 査読有り

Deng, YS; He, DS; Qiu, Y; Gu, R; He, JQ; Nakatsuka, O

APPLIED PHYSICS LETTERS   113 巻 ( 25 )   2018年12月

Formation of ultra-low resistance contact with nickel stanogermanide/heavily doped <i>n</i><SUP>+</SUP>-Ge_1-<i>x</i>Sn<i>_x</i> structure 査読有り

Jeon, J; Suzuki, A; Nakatsuka, O; Zaima, S

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY   33 巻 ( 12 )   2018年12月

Ultra-thin germanium-tin on insulator structure through direct bonding technique 査読有り

Maeda, T; Chang, WH; Irisawa, T; Ishii, H; Oka, H; Kurosawa, M; Imai, Y; Nakatsuka, O; Uchida, N

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY   33 巻 ( 12 )   2018年12月

Optoelectronic properties of high-Si-content-Ge_{l-<i>x</i>-<i>y</i>}Si<i>_x</i>Sn<i>_y</i>/Ge_1-<i>x</i>Sn<i>_x</i>/Ge_{1-<i>x</i>-<i>y</i>}Si<i>_x</i>Sn<i>_y</i> double heterostructure 査読有り

Fukuda, M; Rainko, D; Sakashita, M; Kurosawa, M; Buca, D; Nakatsuka, O; Zaima, S

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY   33 巻 ( 12 )   2018年12月

Growth and electrical properties of in situ Sb-doped Ge_1-<i>_x</i>Sn<i>_x</i> epitaxial layers for source/drain stressor of strained-Ge transistors 査読有り

Jeon, J; Suzuki, A; Takahashi, K; Nakatsuka, O; Zaima, S

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 12 )   2018年12月

Defect evaluation in strain-relaxed Ge_0.947Sn_0.053 grown on (001) Si 査読有り

Gupta, S; Shimura, Y; Richard, O; Douhard, B; Simoen, E; Bender, H; Nakatsuka, O; Zaima, S; Loo, R; Heyns, M

APPLIED PHYSICS LETTERS   113 巻 ( 19 )   2018年11月

Formation of epitaxial Hf digermanide/Ge(001) contact and its crystalline properties 査読有り

Nakatsuka, O; Suzuki, A; McVittie, J; Nishi, Y; Zaima, S

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 7 )   2018年7月

Energy band structure and electrical properties of Ga-oxide/GaN interface formed by remote oxygen plasma 査読有り

Yamamoto, T; Taoka, N; Ohta, A; Truyen, NX; Yamada, H; Takahashi, T; Ikeda, M; Makihara, K; Nakatsuka, O; Shimizu, M; Miyazaki, S

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 6 )   2018年6月

Alleviation of Fermi level pinning at metal/n-Ge interface with lattice-matched Si<i>_x</i>Ge_{1-<i>x</i>-<i>y</i>}Sn<i>_y</i> ternary alloy interlayer on Ge 査読有り

Suzuki, A; Nakatsuka, O; Sakashita, M; Zaima, S

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 6 )   2018年6月

Dopant behavior in heavily doped polycrystalline Ge_1-<i>x</i>Sn<i>_x</i> layers prepared with pulsed laser annealing in water 査読有り

Takahashi, K; Kurosawa, M; Ikenoue, H; Sakashita, M; Nakatsuka, O; Zaima, S

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 4 )   2018年4月

High n-type Sb dopant activation in Ge-rich poly-Ge_1-xSn_x layers on SiO₂ using pulsed laser annealing in flowing water 査読有り

Takahashi, K; Kurosawa, M; Ikenoue, H; Sakashita, M; Nakatsuka, O; Zaima, S

APPLIED PHYSICS LETTERS   112 巻 ( 6 )   2018年2月

Epitaxial growth of heavily doped <i>n</i><SUP>+</SUP>-Ge layers using metal-organic chemical vapor deposition with <i>in situ</i> phosphorus doping 査読有り

Ike, S; Takeuchi, W; Nakatsuka, O; Zaima, S

THIN SOLID FILMS   645 巻   頁： 57 - 63   2018年1月

Formation of SiC thin films by chemical vapor deposition with vinylsilane precursor 査読有り

Doi, T; Takeuchi, W; Jin, Y; Kokubun, H; Yasuhara, S; Nakatsuka, O; Zaima, S

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 1 )   2018年1月

Effect of N bonding structure in AlON deposited by plasma-assisted atomic layer deposition on electrical properties of 4H-SiC MOS capacitor 査読有り

Takeuchi, W; Yamamoto, K; Sakashita, M; Nakatsuka, O; Zaima, S

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 1 )   2018年1月

Improved thermoelectric property of B-doped Si/Ge multilayered quantum dot films prepared by RF magnetron sputtering 査読有り

Peng, Y; Miao, L; Li, C; Huang, R; Urushihara, D; Asaka, T; Nakatsuka, O; Tanemura, S

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 1 )   2018年1月

Selective growth of Ge_1-<i>x</i>Sn<i>_x</i> epitaxial layer on patterned SiO₂/Si substrate by metal-organic chemical vapor deposition 査読有り

Takeuchi, W; Washizu, T; Ike, S; Nakatsuka, O; Zaima, S

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 1 )   2018年1月

The morphological study of porous silicon formed by electrochemical anodization method

Suryana R., Sandi D. K., Nakatsuka O.

INTERNATIONAL CONFERENCE ON ADVANCED MATERIALS FOR BETTER FUTURE 2017   333 巻   2018年

A New Application of Ge_1-<i>x</i>Sn<i>_x</i>: Thermoelectric Materials 査読有り

Kurosawa, M; Imai, Y; Iwahashi, T; Takahashi, K; Sakashita, M; Nakatsuka, O; Zaima, S

SIGE, GE, AND RELATED COMPOUNDS: MATERIALS, PROCESSING, AND DEVICES 8   86 巻 ( 7 ) 頁： 321 - 328   2018年

<i>In situ</i> phosphorus-doped Ge_1-<i>x</i>Sn<i>_x</i> layers grown using low-temperature metal-organic chemical vapor deposition 査読有り

Ike, S; Takeuchi, W; Nakatsuka, O; Zaima, S

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY   32 巻 ( 12 )   2017年12月

Self-organized lattice-matched epitaxy of Si_1-xSn_x alloys on (001)-oriented Si, Ge, and InP substrates 査読有り

Kurosawa, M; Kato, M; Takahashi, K; Nakatsuka, O; Zaima, S

APPLIED PHYSICS LETTERS   111 巻 ( 19 )   2017年11月

Si1-xGex Bulk Single Crystals for Substrates of Electronic Devices 査読有り

K. Kinoshita, Y. Arai, T. Maeda, and O. Nakatsuka

Mater. Sci. Semicond. Proc.   70 巻 ( 1 ) 頁： 12-16   2017年11月

Modulation of Fermi level pining position at metal/n-Ge interface by semimetal Ge1-xSnx and Sn interlayers 査読有り

A. Suzuki, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Mater. Sci. Semicond. Proc.   70 巻 ( 1 ) 頁： 162-166   2017年11月

Formation and characterization of Ge1-x-ySixSny/ Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny double heterostructures with strain-controlled Ge1-x-ySixSny layers 査読有り

M. Fukuda, T. Yamaha, T. Asano, S. Fujinami, Y. Shimura, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Mater. Sci. Semicond. Proc.   70 巻 ( 1 ) 頁： 156-161   2017年11月

Low-temperature crystallization of Ge-rich GeSn layers on Si3N4 substrate 査読有り

I. Yoshikawa, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Mater. Sci. Semicond. Proc.   70 巻 ( 1 ) 頁： 151-155   2017年11月

EXAFS study of local structure contributing to Sn stability in SiyGe1-y-zSnz 査読有り

Y. Shimura, T. Asano, T. Yamaha, M. Fukuda, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Mater. Sci. Semicond. Proc.   70 巻 ( 1 ) 頁： 133-138   2017年11月

Electrical and optical properties improvement of GeSn layers formed at high temperature under well-controlled Sn migration 査読有り

Taoka, N; Capellini, G; Schlykow, V; Montanari, M; Zaumseil, P; Nakatsuka, O; Zaima, S; Schroeder, T

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING   70 巻   頁： 139 - 144   2017年11月

Sii_1-xGe_x bulk single crystals for substrates of electronic devices 査読有り

Kinoshita, K; Arai, Y; Maeda, T; Nakatsuka, O

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING   70 巻   頁： 12 - 16   2017年11月

Formation and characterization of Ge_1-x-ySi_xSn_y/Ge_1-xSn_x/ Ge_1-x-ySi_xSn_y double heterostructures with strain-controlled Ge_1-x-yS_ixSn_y layers 査読有り

Fukuda, M; Yamaha, T; Asano, T; Fujinami, S; Shimura, Y; Kurosawa, M; Nakatsuka, O; Zaima, S

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING   70 巻   頁： 156 - 161   2017年11月

Growth and Applications of Si1-xSnx Thin Films 招待有り 査読有り

M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

ECS Trans.   8 巻 ( 4 ) 頁： 253-258   2017年10月

Control of Ge_{1-<i>x</i>-<i>y</i>}Si<i>_x</i>Sn<i>_y</i> layer lattice constant for energy band alignment in Ge_1-<i>x</i>Sn<i>_x</i>/Ge_{1-<i>x</i>-<i>y</i>}Si<i>_x</i>Sn<i>_y</i> heterostructures 査読有り

Fukuda, M; Watanabe, K; Sakashita, M; Kurosawa, M; Nakatsuka, O; Zaima, S

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY   32 巻 ( 10 )   2017年10月

Selective epitaxial growth of Ge1-xSnx on Si by using metal-organic chemical vapor deposition 査読有り

T. Washizu, S. Ike, Y. Inuzuka, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

J. Crystal Growth   468 巻   頁： 614-619   2017年7月

Evaluation of energy band offset of Si_1-<i>x</i>Sn<i>_x</i> semiconductors by numerical calculation using density functional theory 査読有り

Nagae, Y; Kurosawa, M; Araidai, M; Nakatsuka, O; Shiraishi, K; Zaima, S

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 4 )   2017年4月

Hydrogen-surfactant-mediated epitaxy of Ge1-xSnx layer and its effect on crystalline and photoluminescence properties 査読有り

O. Nakatsuka, S. Fujinami, T. Asano, T. Koyama, M. Kurosawa, M. Sakashita, H. Kishida, and S. Zaima

Jpn. J. Appl. Phys.   56 巻 ( 1S ) 頁： 01AB05 (6 pages)   2017年1月

Solid phase crystallization of Si1-x-ySnxCy ternary alloy layers and characterization of its crystalline and optical properties 査読有り

S. Yano, T. Yamaha, Y. Shimura, W. Takeuchi, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Jpn. J. Appl. Phys.   56 巻 ( 1S ) 頁： 01AB02 (7 pages)   2017年1月

金属/Ge接合へのSixGe1-x-ySny 界面層導入がショットキー障壁高さに及ぼす効果

鈴木陽洋, 戸田祥太, 中塚理, 坂下満男, 財満鎭明

特別研究会「電子デバイス界面テク ノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」 （第22回）     頁： 63-66   2017年1月

4H-SiC MOSキャパシタのAlON絶縁膜のリーク電流特性に窒素結合状態が与える効果

竹内和歌奈, 山本建策, 三村智博, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

特別研究会「電子デバイス界面テク ノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」 （第22回）     頁： 127-130   2017年1月

水中パルスレーザアニールを用いた多結晶Ge1-xSnx層中Sbの高活性化

高橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

特別研究会「電子デバイス界面テク ノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」 （第22回）     頁： 67-70   2017年1月

Electrical and optical properties improvement of GeSn layers formed at high temperature under well-controlled Sn migration 査読有り

Taoka, N; Capellini, G; Schlykow, V; Montanari, M; Zaumseil, P; Nakatsuka, O; Zaima, S; Schroeder, T

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING   57 巻   頁： 48 - 53   2017年1月

Hydrogen-surfactant-mediated epitaxy of Ge_1-<i>x</i>Sn<i>_x</i> layer and its effects on crystalline quality and photoluminescence property 査読有り

Nakatsuka, O; Fujinami, S; Asano, T; Koyama, T; Kurosawa, M; Sakashita, M; Kishida, H; Zaima, S

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 1 )   2017年1月

Solid-phase crystallization of Si_1<i>-x-y</i>Sn<i>_x</i>C<i>_y</i> ternary alloy layers and characterization of their crystalline and optical properties 査読有り

Yano, S; Yamaha, T; Shimura, Y; Takeuchi, W; Sakashita, M; Kurosawa, M; Nakatsuka, O; Zaima, S

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 巻 ( 1 )   2017年1月

Electrical and Optical Properties Improvement of GeSn Layers Formed at High Temperature under Well-controlled Sn Migration 査読有り

N. Taoka, G. Capellini, V. Schlykow, M. Montanari, P. Zaumseil, O. Nakatsuka, S. Zaima, and T. Schroeder

Mater. Sci. Semicond. Proc.   57 巻   頁： 48-53   2017年

Development of <i>in</i>-<i>situ</i> Sb-Doped Ge_1-<i>x</i>Sn<i>_x</i> Epitaxial Layers for Source/Drain Stressor of Strained Ge Transistors 査読有り

Jeon, J; Suzuki, A; Takahashi, K; Nakatsuka, O; Zaima, S

2017 IEEE ELECTRON DEVICES TECHNOLOGY AND MANUFACTURING CONFERENCE (EDTM)     頁： 249 - 251   2017年

Analysis of Microscopic Strain and Crystalline Structure in Ge/Ge1-xSnx Fine Structures by Using Synchrotron X-ray Microdiffraction 査読有り

S. Ike, O. Nakatsuka, Y. Inuzuka, T. Washizu, W. Takeuchi, Y. Imai, S. Kimura, and S. Zaima

ECS Trans.   75 巻 ( 8 ) 頁： 769-775   2016年10月

Influence of GeO2 deposition temperature by in atomic layer deposition on electrical properties of Ge gate stack+K12 査読有り

M. Kanematsu, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Jpn. J. Appl. Phys.   55 巻 ( 8S2 ) 頁： 08PC05 (5 pages)   2016年8月

Density functional study for crystalline structures and electronic properties of Si1-xSnx binary alloys 査読有り

Y. Nagae, M. Kurosawa, S. Shibayama, M. Araidai, M. Sakashita, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, and S. Zaima

Jpn. J. Appl. Phys.   55 巻 ( 8S2 ) 頁： 08PE04 (4 pages)   2016年8月

Ge基板上エピタキシャルGeSn膜の電気的活性な欠陥の評価

金田裕一, 兼松正行, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

信学技報   116 巻 ( 118 ) 頁： 37-41   2016年6月

Crystalline Structure of TiC Ultra Thin Layers Formed on Highly Oriented Pyrolytic Graphite by Chemical Reaction from Ti/Graphite System 査読有り

O. Nakatsuka, K. Hisada, S. Oida, A. Sakai, and S. Zaima

Jpn. J. Appl. Phys.   55 巻 ( 6S3 ) 頁： 06JE02 (4 pages)   2016年6月

Sn系IV族半導体混晶薄膜の成長と物性評価 招待有り

志村洋介, 竹内和歌奈, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

信学技報   116 巻 ( 1 ) 頁： 23-26   2016年4月

Effect of in situ Sb doping on crystalline and electrical characteristics of n-type Ge1-xSnx epitaxial layer 査読有り

J. Jeon, T. Asano, Y. Shimura, W. Takeuchi, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Jpn. J. Appl. Phys.   55 巻 ( 4S ) 頁： 04EB13 (5 pages)   2016年3月

Influence of Precursor Gas on SiGe Epitaxial Material Quality in Terms of Structural and Electrical Defects 査読有り

S. Ike, E. Simoen, Y. Shimura, A. Hikavyy, W. Vandervorst, R. Loo, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Jpn. J. Appl. Phys.   55 巻 ( 4S ) 頁： 04EJ11 (5 pages)   2016年3月

Effect of Nitridation for SiO2/SiC Interface on Defects Properties near Conduction Band Edge 査読有り

W. Takeuchi, K. Yamamoto, N. Taoka, M.Sakashita, T. Kanemura, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Jpn. J. Appl. Phys.   55 巻 ( 4S ) 頁： 04ER13 (5 pages)   2016年3月

Growth of ultra-high Sn content Ge1-xSnx epitaxial layer and its impact on controlling Schottky barrier height at metal/Ge interface 査読有り

A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, and S. Zaima

Jpn. J. Appl. Phys.   55 巻 ( 4S ) 頁： 04EB12 (6 pages)   2016年3月

Experimental observation of type-I energy band alignment in lattice matched Ge1-x-y SixSny/Ge heterostructures 査読有り

T. Yamaha, S. Shibayama, T. Asano, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Appl. Phys. Lett.   108 巻   頁： 061909 (5 pages)   2016年2月

Low thermal budget n-type doping into Ge(001) surface using ultraviolet laser irradiation in phosphoric acid solution 査読有り

K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Appl. Phys. Lett.   108 巻   頁： 052104 (4 pages)   2016年2月

Defect and dislocation structures in low-temperature-grown Ge and Ge1-xSnxepitaxial layers on Si(110) substrates 査読有り

S. Kidowaki, T. Asano, Y. Shimura, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Thin Solid Films   598 巻   頁： 72-81   2016年1月

Characterization of crystallinity of Ge1-xSnx epitaxial layers grown using metal-organic chemical vapor deposition 査読有り

Y. Inuzuka, S. Ike, T. Asano, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Thin Solid Films   602 巻   頁： 7-12   2016年

Characterization of Shallow- and Deep-Level Defects of Undoped Ge1-xSnx Epitaxial Layers by Electrical Measurements 査読有り

W. Takeuchi, T. Asano, Y. Inuzuka, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

ECS J. Solid State Sci. Tech.   5 巻 ( 4 ) 頁： P3082-P3086   2015年12月

Mobility Behavior of Si1-x-yGexSny Polycrystals Grown on Insulators 査読有り

T. Ohmura, T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Trans. MRS-J   40 巻 ( 4 ) 頁： 351-354   2015年12月

Reduction of Schottky barrier height at metal/n-Ge interface by introducing an ultra-high Sn content Ge1-xSnx interlayer 査読有り

A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, and S. Zaima

Appl. Phys. Lett.   107 巻   頁： 212103 (5 pages)   2015年11月

Atom probe tomography study on Ge1-x-ySnxCy hetero-epitaxial film on Ge substrates 査読有り

E. Kamiyama, K. Sueoka, K. Terasawa, T. Yamaha, O. Nakatsuka, S. Zaima, K. Izunome, K. Kashima, and H. Uchida

Thin Solid Films   592 巻 ( A ) 頁： 54-58   2015年10月

Characterization of crystallinity of Ge1-xSnx epitaxial layers grown using metal-organic chemical vapor deposition 査読有り

Y. Inuzuka, S. Ikea, T. Asanoa, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Thin Solid Films     頁： in press   2015年10月

Challenges of Energy Band Engineering with New Sn-Related Group IV Semiconductor Materials for Future Integrated Circuits 招待有り 査読有り

S. Zaima, O. Nakatsuka, T. Yamaha, T. Asano, S. Ike, A. Suzuki, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita

ECS Trans.   69 巻 ( 10 ) 頁： 89-98   2015年10月

Oxygen and germanium migration at low temperature influenced by the thermodynamic nature of the materials used in germanium metal-insulator-semiconductor structures 査読有り

K. Kato, N. Taoka, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Appl. Phys. Lett.   107 巻   頁： 102102 (5 pages)   2015年9月

Effect of Sn on crystallinity and electronic property of low temperature grown polycrystalline-Si1-x-yGexSny layers on SiO2 査読有り

T. Yamaha, M. Kurosawa, T. Ohmura, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Solid State Electronics   110 巻   頁： 54-58   2015年8月

Epitaxial formation of Ni germanide on Ge(001) substrate by reactive deposition 査読有り

Y. Deng, O. Nakatsuka, A. Suzuki, M. Sakashita, and S. Zaima

Solid State Electronics   110 巻   頁： 44-48   2015年8月

Epitaxial growth and crystalline properties of Ge1-x-ySixSny on Ge(001) substrates 査読有り

T. Asano, T. Terashima, T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Solid State Electronics   110 巻   頁： 49-53   2015年8月

Growth of Si1-x-ySnxCy ternary alloy layer on Si(001) substrate and characterization of its crystalline property 査読有り

T. Yamaha, M. Kurosawa, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Jpn. J. Appl. Phys.   54 巻 ( 8S1 ) 頁： 08KA11   2015年7月

High-mobility tin-doped polycrystalline germanium layers formed on insulating substrates by low-temperature solid-phase crystallization 査読有り

W. Takeuchi, N. Taoka, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Appl. Phys. Lett.   107 巻   頁： 022103 (4 pages)   2015年7月

Ge1-xSnxエピタキシャル層中の欠陥へ及ぼす熱処理の効果

浅野孝典, 柴山茂久, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

電子情報通信学会技術研究報告   115 巻 ( 108 ) 頁： 63-68   2015年6月

Epitaxial Ge1-xSnx layers grown by metal-organic chemical vapor deposition using Tertiary-butyl-germane and Tri-butyl-vinyl-tin 査読有り

Y. Inuzuka, S. Ike, T. Asano, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

ECS Solid State Lett.   4 巻 ( 8 ) 頁： P1-P3   2015年6月

SiO2/SiC MOS界面の欠陥特性に酸窒化処理が与える影響 招待有り

竹内和歌奈, 山本建策, 坂下満男, 金村髙司, 中塚理, 財満鎭明

電子情報通信学会技術研究報告   115 巻 ( 108 ) 頁： 27-30   2015年6月

金属/Ge界面への超高Sn組成SnxGe1-x層導入による界面電気伝導特性の制御

鈴木陽洋, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

電子情報通信学会技術研究報告   115 巻 ( 108 ) 頁： 57-61   2015年6月

Characterization of locally strained Ge1-xSnx/Ge fine structures by synchrotron X-ray microdiffraction 査読有り

S. Ike, O. Nakatsuka, Y. Moriyama, M. Kurosawa, N. Taoka, Y. Imai, S. Kimura, T. Tezuka, and S. Zaima

Appl. Phys. Lett.   106 巻   頁： 182104 (5 pages)   2015年5月

高Sn組成SiSnの形成とバンド構造　～ 直接遷移構造化を目指して ～ 招待有り

黒澤昌志, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

電子情報通信学会技術研究報告   115 巻 ( 18 ) 頁： 35-37   2015年4月

Near-infrared light absorption by polycrystalline SiSn alloys grown on insulating layers 査読有り

M. Kurosawa, M. Kato, T. Yamaha, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Appl. Phys. Lett.   106 巻   頁： 171908 (5 pages)   2015年4月

Influence of Interface Structure on Electrical Properties of NiGe/Ge Contacts 査読有り

Y. Deng, O. Nakatsuka, M. Sakashita, and S. Zaima

Jpn. J. Appl. Phys.   54 巻 ( 5S ) 頁： 05EA01 (6 pages)   2015年4月

Impact of Hydrogen Surfactant on Crystallinity of Ge1-xSnx Epitaxial Layers 査読有り

T. Asano, N. Taoka, K. Hozaki, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Jpn. J. Appl. Phys.   54 巻 ( 4S ) 頁： 04DH15 (4 pages)   2015年3月

エピタキシャル金属/ゲルマニウム接合の形成による界面電気伝導特性の制御 招待有り

中塚理, 鄧云生, 鈴木陽洋, 坂下満男, 田岡紀之, 財満鎭明

電子情報通信学会技術研究報告   114 巻 ( 469 ) 頁： 17-22   2015年3月

Formation, crystalline structure, and optical properties of Ge1-x-ySnxCy ternary alloy layers 査読有り

T. Yamaha, K. Terasawa, H. Oda, M. Kurosawa, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Jpn. J. Appl. Phys   54 巻 ( 4S ) 頁： 04DH08 (6 pages)   2015年2月

Formation of chemically stable GeO2 on the Ge surface with pulsed metal-organic chemical vapor deposition 査読有り

S. Shibayama, T. Yoshida, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Appl. Phys. Lett.   106 巻   頁： 062107 (4 pages)   2015年2月

Non-uniform depth distributions of Sn concentration induced by Sn migration and desorption during GeSnSi layer formation 査読有り

N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, T. Terashima, O. Nakatsuka, I. Costina, P. Zaumseil, G. Capellini, S. Zaima, and T. Schroeder

Appl. Phys. Lett.   106 巻   頁： 061107 (5 pages)   2015年2月

GeO2薄膜の正方晶形成による化学的安定性の向上

柴山茂久, 吉田鉄兵, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第20回研究会）     頁： 185-188   2015年1月

Sn/Geコンタクトにおけるフェルミレベルピニングの軽減およびショットキー障壁高さの低減

鈴木陽洋, 鄧云生, 柴山茂久, 黒澤昌志, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第20回研究会）     頁： 59-62   2015年1月

Formation of high-quality oxide/Ge1-xSnx interface with high surface Sn content by controlling Sn migration 査読有り

K. Kato, N. Taoka, T. Asano, T. Yoshida, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Appl. Phys. Lett.   105 巻   頁： 122103 (5 pages)   2014年9月

Robustness of Sn precipitation during thermal oxidation of Ge1-xSnx on Ge(001) 査読有り

K. Kato, T. Asano, N. Taoka, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Jpn. J. Appl. Phys.   53 巻 ( 8S1 ) 頁： 08LD04 (8 pages)   2014年7月

Interface properties of Al2O3/Ge structures with thin Ge oxide interfacial layer formed by pulsed metal organic chemical vapor deposition 査読有り

T. Yoshida, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, N. Taoka, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Jpn. J. Appl. Phys.   53 巻 ( 8S1 ) 頁： 08LD03 (6 pages)   2014年7月

Importance of Ge surface oxidation with high oxidation rate in obtaining low interface state density at oxide/Ge interfaces 査読有り

S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Jpn. J. Appl. Phys.   53 巻 ( 8S1 ) 頁： 08LD02 (6 pages)   2014年7月

多層セル型太陽電池用IV族多元系混晶の結晶成長と界面構造制御 招待有り 査読有り

中塚理, 財満鎭明

日本結晶成長学会誌   41 巻 ( 2 ) 頁： 74-80   2014年7月

［依頼講演］ “絶縁膜上におけるIV族半導体多結晶薄膜の低温形成 ～ 低融点Snの活用 ～ 招待有り

黒澤昌志, 田岡紀之, 池上浩, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

電子情報通信学会技術研究報告   114 巻 ( 88 ) 頁： 91-95   2014年6月

Ge1-xSnxエピタキシャル成長における積層欠陥構造の制御

浅野孝典, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

電子情報通信学会技術研究報告   114 巻 ( 88 ) 頁： 21-25   2014年6月

Sn/Geコンタクトにおけるフェルミレベルピニング現象の軽減

鈴木陽洋, 朝羽俊介, 横井淳, 黒澤昌志, 加藤公彦, 坂下満男, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

電子情報通信学会技術研究報告   114 巻 ( 88 ) 頁： 11-16   2014年6月

n型Ge単結晶中におけるSnと空孔関連欠陥との相互作用

竹内和歌奈, 田岡紀之, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

電子情報通信学会技術研究報告   114 巻 ( 57 ) 頁： 113-118   2014年5月

Band alignment at interfaces of amorphous Al2O3 with Ge1-xSnx- and strained Ge-based channels 査読有り

H.-Y. Chou, V. V. Afanas'ev, M. Houssa, A. Stesmans, B. Vincent, F. Gencarelli, Y. Shimura, C. Merckling, R. Loo, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Appl. Phys. Lett.   104 巻   頁： 202107 (5 pages)   2014年5月

Formation of high-quality Ge1-xSnx layer on Ge(110) substrate with strain-induced confinement of stacking faults at Ge1-xSnx/Ge interfaces 査読有り

T. Asano, N. Taoka, O. Nakatsuka and S. Zaima

Appl. Phys. Express   7 巻 ( 6 ) 頁： 061301 (3 pages)   2014年5月

Interaction of Sn atoms with defects introduced by ion implantation in Ge substrate 査読有り

N. Taoka, M. Fukudome, W. Takeuchi, T. Arahira, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

J. Appl. Phys.   115 巻   頁： 173102 (7 pages).   2014年5月

Impacts of AlGeO formation by post thermal oxidation of Al2O3/Ge structure on interfacial properties 査読有り

S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Thin Solid Films   557 巻   頁： 282–287   2014年4月

Epitaxial formation and electrical properties of Ni germanide/Ge(110) contacts 査読有り

Y. S. Deng, O. Nakatsuka, J. Yokoi, N. Taoka, and S. Zaima

Thin Solid Films   557 巻   頁： 84-89   2014年4月

Characterization of Crystalline Structures of SiGe Substrate Formed by Traveling Liquidus-Zone Method for Devices with Ge/SiGe 査読有り

T. Yamaha, O. Nakatsuka, N. Taoka, K. Kinoshita, S. Yoda, and S. Zaima

Thin Solid Films   557 巻   頁： 129-134   2014年4月

Influence of Ge Substrate Orientation on Crystalline Structures of Ge1-xSnx Epitaxial Layers 査読有り

T. Asano, S. Kidowaki, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Thin Solid Films   557 巻   頁： 159–163   2014年4月

Formation and characterization of locally strained Ge1-xSnx/Ge microstructures 査読有り

S. Ike, Y. Moriyama, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, Y. Imai, S. Kimura, T. Tezuka, and S. Zaima

Thin Solid Films   557 巻   頁： 164–168   2014年4月

Analysis for positions of Sn atoms in epitaxial Ge1-xSnx film in low temperature depositions 査読有り

E. Kamiyama, K. Sueoka, O. Nakatsuka, N. Taoka, and S. Zaima, K. Izunome, K. Kashima

Thin Solid Films   557 巻   頁： 173–176   2014年4月

Importance of Control of Oxidant Partial Pressure on Structural and Electrical Properties of Pr-oxide Films 査読有り

K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Thin Solid Films   557 巻   頁： 276–281   2014年4月

Stabilized formation of tetragonal ZrO2 thin film with high permittivity 査読有り

K. Kato, T. Saito, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Thin Solid Films   557 巻   頁： 192–196   2014年4月

Formation and crystalline structure of Ni silicides on Si(110) substrate 査読有り

O. Nakatsuka, M. Hasegawa, K. Kato, N. Taoka, and S. Zaima

Jpn. J. Appl. Phys.   53 巻 ( 5S2 ) 頁： 05GA12 (5 pages)   2014年4月

Observation of lattice spacing fluctuation and strain undulation around through-Si vias in wafer-on-wafer structures using X-ray microbeam diffraction 査読有り

N. Taoka, O. Nakatsuka, Y. Mizushima, H. Kitada, Y. S. Kim, T. Nakamura, T. Ohba, and S. Zaima

Jpn. J. Appl. Phys.   53 巻 ( 5S2 ) 頁： 05GE03 (6 pages)   2014年4月

Effect of thermal cleaning on formation of epitaxial Ni germanide layer on Ge(110) substrate 査読有り

Y. Deng, O. Nakatsuka, N. Taoka, and S. Zaima

Jpn. J. Appl. Phys.   53 巻 ( 5S2 ) 頁： 05GA06 (6 pages)   2014年4月

Reduction of Schottky barrier height for n-type Ge contact by using Sn electrode 査読有り

A. Suzuki, S. Asaba, J. Yokoi, K. Kato, M. Kurosawa, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Jpn. J. Appl. Phys.   53 巻 ( 4S ) 頁： 04EA06 (6 pages)   2014年3月

Large grain growth of Ge-rich Ge1-x Snx (x~0.02) on insulating surfaces using pulsed laser annealing in flowing water 査読有り

M. Kurosawa, N. Taoka, H. Ikenoue, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Appl. Phys. Lett.   104 巻   頁： 061901 (3 pages)   2014年2月

Defects Induced by Reactive Ion Etching in Ge Substrate 査読有り

Kusumandari, N. Taoka, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, S. Zaima

Advanced Materials Research   896 巻   頁： 241-244   2014年2月

Al2O3/SiC MOS構造における伝導帯端近傍の電気特性

田岡紀之, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第19回研究会）     頁： 205-208   2014年1月

低界面準位密度を有するGe MOS構造を実現するGe表面の酸化条件

柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理,財満鎭明

特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第19回研究会）     頁： 13-16   2014年1月

固溶限を超えるSn組成を有するGe1-xSnx層中におけるSn原子の熱安定性

加藤公彦, 浅野孝典, 田岡紀之, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第19回研究会）     頁： 37-40   2014年1月

MOCVD法により形成した極薄GeO2を用いた Al2O3/GeOx/Ge 構造の電気的特性および構造評価

吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 田岡紀之, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第19回研究会）     頁： 131-134   2014年1月

Effect of Sn atoms on incorporation of vacancies in epitaxial Ge1-xSnx film grown at low temperature 査読有り

E. Kamiyama, S. Nakagawa, K Sueoka, T. Ohmura, T. Asano, O. Nakatsuka, N. Taoka, S. Zaima, K. Izunome, and K. Kashima

Appl. Phys. Express   7 巻 ( 2 ) 頁： 021302 (3 pages)   2014年1月

Al2O3/SiC MOS構造における伝導帯端近傍の電気特性

田岡紀之, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第18回研究会）     頁： 205-208   2014年1月

Al2O3/Ge構造に対する熱酸化機構の解明

柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第18回研究会）     頁： 39-42   2014年1月

テトラエトキシゲルマニウムを用いた極薄Ge酸化膜の形成

吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第18回研究会）     頁： 151-154   2014年1月

Pr 酸化膜/Ge構造におけるゲート金属が界面反応に与える影響

加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第18回研究会）     頁： 155-158   2014年1月

Heteroepitaxial Growth of Sn-Related Group-IV Materials on Si Platform for Microelectronic and Optoelectronic Applications: Challenges and Opportunities 招待有り 査読有り

O. Nakatsuka, N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, M. Kurosawa, M. Sakashita, and S. Zaima

ECS Trans.   58 巻 ( 9 ) 頁： 149-155   2013年10月

Characterization of Local Strain Structures in Heteroepitaxial Ge1-xSnx/Ge Microstructures by Using Microdiffraction Method 査読有り

S. Ike, Y. Moriyama, M. Kurosawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, Y. Imai, S. Kimura, T. Tezuka, and S. Zaima,

ECS Trans.   58 巻 ( 9 ) 頁： 185-192   2013年10月

Reduction of Interface States Density Due to Post Oxidation with Formation of AlGeO Layer at Al2O3/Ge Interface 査読有り

S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

ECS Trans.   58 巻 ( 9 ) 頁： 301-308   2013年10月

Liquid-Sn-driven lateral growth of poly-GeSn on insulator assisted by surface oxide layer 査読有り

M. Kurosawa, N. Taoka, M. Sakashita, O. Nakatsuka, M. Miyao, and S. Zaima

Appl. Phys. Lett.   103 巻   頁： 101904 (4 pages)   2013年9月

Understanding of interface structures and reaction mechanisms induced by Ge or GeO diffusion in Al2O3/Ge structure 査読有り

S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Appl. Phys. Lett.   103 巻   頁： 082114 (4 pages)   2013年8月

Broad defect depth distribution in germanium substrates induced by CF4 plasma 査読有り

Kusumandari, N. Taoka, W. Takeuchi, M. Fukudome, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Appl. Phys. Lett.   103 巻   頁： 033511 (4 pages)   2013年7月

Effect of gate metal on chemical bonding state in metal/Pr-oxide/Ge gate stack structure 査読有り

K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Solid-State Electron.   83 巻   頁： 56-60   2013年5月

Development of epitaxial growth technology for Ge1-xSnx alloy and study of its properties for Ge nanoelectronics 招待有り 査読有り

O. Nakatsuka, Y. Shimura, W. Takeuchi, N. Taoka, and S. Zaima

Solid-State Electron.   83 巻   頁： 82-86   2013年5月

Epitaxial growth and anisotropic strain relaxation of Ge1-xSnx layers on Ge(1 1 0) substrates

T. Asano, Y. Shimura, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Solid-State Electron.   83 巻   頁： 71-75   2013年5月

Interfacial Reaction Mechanism in Al2O3/Ge Structure by Oxygen Radical

K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Jpn. J. Appl. Phys.   52 巻   頁： 04CA08 (7 pages)   2013年4月

Influence of Sn Incorporation and Growth Temperature on Crystallinity of Ge1-xSnx Layers Heteroepitaxially Grown on Ge(110) Substrates 査読有り

T. Asano, Y. Shimura, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Thin Solid Films   531 巻   頁： 504-508   2013年3月

Suppressive Effect of Interface Reaction and Water Absorption by Al Incorporation into Pr-oxide Film 査読有り

W. Takeuchi, K. Furuta, K .Kato, M. Sakashita, H. Kondo, O. Nakatsuka, and S. Zaima

J. Phys.: Conf. Ser.   417 巻   頁： 012017 (6 pages)   2013年3月

Effect of Interfacial Reactions in Radical Process on Electrical Properties of Al2O3/Ge Gate Stack Structure 査読有り

K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

J. Phys.: Conf. Ser.   417 巻   頁： 012001   2013年3月

Effects of Light Exposure during Plasma Processing on Electrical Properties of GeO2/Ge Structures 査読有り

Kusumandari, W. Takeuchi, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Jpn. J. Appl. Phys.   52 巻   頁： 01AC04   2013年1月

Al2O3/Ge構造に対する熱酸化機構の解明

柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第18回研究会）     頁： 39-42   2013年1月

Pr 酸化膜/Ge構造におけるゲート金属が界面反応に与える影響

加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第18回研究会）     頁： 155-158   2013年1月

テ トラエトキシゲルマニウムを用いた極薄Ge酸化膜の形成

吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」（第18回研究会）     頁： 151-154   2013年1月

Effect of atomic deuterium irradiation on initial growth of Sn and Ge1-xSnx on Ge(0 0 1) substrates 査読有り

T. Shinoda, O. Nakatsuka, Y. Shimura, S. Takeuchi, and S. Zaima

Appl. Surf. Sci.   259 巻 ( 15 ) 頁： 754-757   2012年10月

Growth and Optical Properties of Ge1-xSnx Alloy Thin Films with a High Sn Content 招待有り 査読有り

S. Zaima, O. Nakatsuka, M. Nakamura, W. Takeuchi, Y. Shimura, and N. Taoka

ECS Trans.   50 巻 ( 9 ) 頁： 897-902   2012年10月

Growth and Characterization of Heteroepitaxial Layers of Ge1-x-ySixSny Ternary Alloy 査読有り

T. Yamaha, O. Nakatsuka, S. Takeuchi, W. Takeuchi, N. Taoka, K. Araki, K. Izunome, and S. Zaima

ECS Trans.   50 巻 ( ９ ) 頁： 907-913   2012年10月

Growth of Ge1-xSnx heteroepitaxial layers with very high Sn contents on InP(001) substrates 査読有り

M. Nakamura, Y. Shimura, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Thin Solid Films   520 巻 ( 8 ) 頁： 3201–3205   2012年2月

Homogeneous Si0.5Ge0.5 bulk crystal growth as substrates for strained Ge thin films by the traveling liquidus-zone method 査読有り

K. Kinoshita, O. Nakatsuka, S. Yoda, and S. Zaima

Thin Solid Films   520 巻 ( 8 ) 頁： 3279–3282   2012年2月

Improvement of Al2O3/Ge interfacial properties by O2-annealing 査読有り

S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Thin Solid Films   520 巻 ( 8 ) 頁： 3397–3401   2012年2月

Low temperature formation of Si1-x-yGexSny-on-insulator structures by using solid-phase mixing of Ge1-zSnz/Si-on-insulator substrates 査読有り

O. Nakatsuka, M. Mochizuki, Y. Shimura, T. Yamaha, and S. Zaima

Thin Solid Films   520 巻 ( 8 ) 頁： 3288–3292   2012年2月

Homogeneous Si0.5Ge0.5 bulk crystal growth as substrates for strained Ge thin films by the traveling liquidus-zone method 査読有り

K. Kinoshita, O. Nakatsuka, S. Yoda, and S. Zaima

Thin Solid Films   520 巻 ( 8 ) 頁： 3279–3282   2012年2月

In-situ Ga doping of fully strained Ge1-xSnx heteroepitaxial layers grown on Ge(001) substrates 査読有り

Y. Shimura, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, B. Vincent, F. Gencarelli, T. Clarysse, W. Vandervorst, M. Caymax, R. Loo, A. Jensen, D.H. Petersen, and S. Zaima

Thin Solid Films   520 巻 ( 8 ) 頁： 3206–3210   2012年2月

Crystallinity Improvement of Epitaxial Ge Grown on a Ge(110) Substrate by Incorporation of Sn 査読有り

Y. Shimura, T. Asano, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Appl. Phys. Express   5 巻   頁： 015501   2012年1月

Characterization of Damage of Al2O3/Ge Gate Stack Structure Induced with Light Radiation during Plasma Nitridation 査読有り

Kusumandari, W.Takeuchi, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Jpn. J. Appl. Phys.   51 巻   頁： 01AJ01   2012年1月

Control of Interfacial Properties of Al2O3/Ge Gate Stack Structure using Radical Nitridation Technique 査読有り

K. Kato, S. Kyogoku, M. Sakashita, W. Takeuchi, H. Kondo, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Jpn. J. Appl. Phys.   50 巻 ( 10 ) 頁： 10PE02 (7 pages)   2011年10月

Structural Analysis of Si-Based Nanodot Arrays Self-Organized by Selective Etching of SiGe/Si Films 査読有り

M. Takahashi, Y. Nakamura, J. Kikkawa, O. Nakatsuka, S. Zaima, and Akira Sakai

Jpn. J. Appl. Phys.   50 巻 ( 8 ) 頁： 08LB11 (4 pages)   2011年8月

Formation of Ni(Ge1-xSnx) Layers with Solid-Phase Reaction in Ni/Ge1-xSnx/Ge Systems 査読有り

T. Nishimura, Y. Shimura, S. Takeuchi, B. Vincent, A. Vantomme, J. Dekoster, M. Caymax, R. Loo, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Solid-State Electronics   60 巻 ( 1 ) 頁： 46-52   2011年6月

Control of Strain Relaxation Behavior of Ge1-xSnx Layers 査読有り

Y. Shimura, S. Takeuchi, N. Tsutsui, O. Nakatsuka, A. Sakai, and S. Zaima

Solid-State Electronics   60 巻 ( 1 ) 頁： 84-88   2011年6月

Control of Interfacial Properties of Pr-oxide/Ge Gate Stack Structure by Introduction of Nitrogen 査読有り

K. Kato, H. Kondo, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Solid-State Electronics   60 巻 ( 1 ) 頁： 70-74   2011年6月

Ge1-xSnx stressors for strained-Ge CMOS 招待有り 査読有り

S. Takeuchi, Y. Shimura, T. Nishimura, B. Vincent, G. Eneman, T. Clarysse, A. Vantomme, J. Dekoster, M. Caymax, R. Loo, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Solid-State Electronics   60 巻 ( 1 ) 頁： 53-57   2011年6月

Crystalline orientation dependence of electrical properties of Mn Germanide/Ge(1 1 1) and (0 0 1) Schottky contacts 査読有り

T. Nishimura, O. Nakatsuka, S. Akimoto, W. Takeuchi, and S. Zaima

Microelectron. Eng.   88 巻 ( 5 ) 頁： 605-609   2011年5月

Characterization of Local Strain around Through-Silicon Via Interconnects by using X-ray Microdiffraction 査読有り

O. Nakatsuka, H. Kitada, Y. S. Kim, Y. Mizushima, T. Nakamura, T. Ohba, and S. Zaima

pn. J. Appl. Phys.   50 巻   頁： 05ED03   2011年5月

Formation of Palladium Silicide Thin Layers on Si(110) Substrates 査読有り

R. Suryana, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Jpn. J. Appl. Phys.   50 巻   頁： 05EA09   2011年5月

Molecular beam deposition of Al2O3 on p-Ge(001)/Ge0.95Sn0.05 heterostructure and impact of a Ge-cap interfacial layer 査読有り

C. Merckling, X. Sun, Y. Shimura, A. Franquet, B. Vincent, S. Takeuchi, W. Vandervorst, O. Nakatsuka, S. Zaima, R. Loo, and M. Caymax

Appl. Phys. Lett.   98 巻   頁： 192110   2011年5月

Characterization of GeSn materials for future Ge pMOSFETs source/drain stressors 査読有り

B. Vincent, Y. Shimura, S. Takeuchi, T. Nishimura, G. Eneman, A. Firrincieli, J. Demeulemeester, A. Vantomme, T. Clarysse, O. Nakatsuka, S. Zaima, J. Dekoster, M. Caymax, and R. Loo

,Microelectron. Eng.   88 巻 ( 4 ) 頁： 342-346   2011年4月

Analysis of Local Leakage Current of Pr Oxide Thin Films with Conductive Atomic Force Microscopy 査読有り

M. Adachi, M. Sakashita, H. Kondo, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Jpn. J. Appl. Phys.   50 巻   頁： 04DA08   2011年4月

Effect of Pr Valence State on Interfacial Structure and Electrical Properties of Pr-oxide/PrON/Ge Gate Stack Structure 査読有り

K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, H. Kondo, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Jpn. J. Appl. Phys.   50 巻   頁： 04DA17   2011年4月

Pr酸化膜/Si構造へのAl導入による界面反応抑制効果

古田和也, 竹内和歌奈, 加藤公彦, 坂下満男, 近藤博基, 中塚理, 財満鎭明

特別研究会研究報告“ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-”（第16回研究会     頁： 51-54   2011年1月

電流検出型原子間力顕微鏡を 用いた欠陥に起因するPr酸化膜のリーク電流機構の解明

足立正樹, 加藤雄三, 坂下満男, 竹内和歌奈, 近藤博基, 中塚理, 財満鎭明

特別研究会研究報告“ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-”（第16回研究会     頁： 123-126   2011年1月

Pr酸化膜/PrON/Ge構造におけるPrの化学結合状態が電気的特性に及ぼす影響

加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 近藤博基, 中塚理, 財満鎭明

特別研究会研究報告“ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-”（第16回研究会     頁： 99-102   2011年1月

Al2O3界 面層およびラジカル窒化法によるHigh-k/Ge界面構造および電気的特性の制御

加藤公彦, 京極真也, 坂下満男, 竹内和歌奈, 近藤博基, 中塚理, 財満鎭明

特別研究会研究報告“ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-”（第16回研究会     頁： 55-58   2011年1月

GeSn Technology: Impact of Sn on Ge CMOS Applications 招待有り 査読有り

S. Zaima, O. Nakatsuka, Y. Shimura, S. Takeuchi, B. Vincent, F. Gencarelli, T. Clarysse, J. Demeulemeester, K. Temst, A. Vantomme, M. Caymax, and R. Loo

ECS Trans.   41 巻 ( 7 ) 頁： 231-238   2011年

Low temperature growth of Ge1-xSnx buffer layers for tensile-strained Ge layers 査読有り

Y. Shimura, N. Tsutsui, O. Nakatsuka, A. Sakai, S. Zaima

Thin Solid Films   518 巻 ( 6 ) 頁： S2-S5   2010年

Formation of Palladium Silicide on Heavily Doped Si(001) Substrates Using Ti Intermediate Layer 査読有り

R. Suruyana, O. Nakatsuka, S. Zaima

Jpn. J. Appl. Phys.   49 巻   頁： 05FA09 (5 pages)   2010年

Mobility Behavior of Ge1-xSnx Layers Grown on Silicon-on-Insulator Substrates 査読有り

O. Nakatsuka, N. Tsutsui, Y. Shimura, S. Takeuchi, A. Sakai, S. Zaima

Jpn. J. Appl. Phys.   49 巻   頁： 04DA10 (4 pages)   2010年

Structural change of direct silicon bonding substrates by interfacial oxide out-diffusion annealing 査読有り

T. Kato, Y. Nakamura, J. Kikkawa, A. Sakai, E. Toyoda, K. Izunome, O. Nakatsuka, S. Zaima, Y. Imai, S. Kimura, O. Sakata

Thin Solid Films   518 巻 ( 6 ) 頁： S147-W150   2010年

Novel Method to Introduce Uniaxial Tensile Strain in Ge by Microfabrication of Ge/Si1-xGex Structures on Si(001) Substrates 査読有り

T. Mizutani, O. Nakatsuka, A. Sakai, H. Kondo, M. Ogawa, and S. Zaima

Solid-State Electronics   53 巻 ( 11 ) 頁： 1198-1201   2009年11月

Microstructures in directly bonded Si substrates 査読有り

Y. Ohara, T. Ueda, A. Sakai, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima, E. Toyoda, H. Isogai, T. Senda, K. Izunome, H. Tajiri, O. Sakata, S. Kimura, T. Sakata, H. Mori

Solid-State Electronics   53 巻 ( 8 ) 頁： 837-840   2009年8月

Control of Sn Precipitation and Strain Relaxation in Compositionally Step-Graded Ge1-xSnx Buffer Layers for Tensile-Strained Ge Layers 査読有り

Y. Shimura, N. Tsutsui, O. Nakatsuka, A. Sakai, and S. Zaima

Jpn. J. Appl. Phys. 48   48 巻   頁： 04C130   2009年4月

Characterization and Analyses of Interface Structures in Directly Bonded Si(011)/Si(001) Substrates 査読有り

E. Toyoda, A. Sakai, H. Isogai, T. Senda, K. Izunome, K. Omote, O. Nakatsuka, S. Zaima

Jpn. J. Appl. Phys.   48 巻   頁： 021208   2009年2月

Mechanical Properties and Chemical Reactions at the Directly Bonded Si-Si Interface 査読有り

E. Toyoda, A. Sakai, T. Senda, H. Isogai, K. Izunome, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaim

Jpn. J. Appl. Phys.   48 巻   頁： 011202-1-5   2009年1月

Control of Dislocations and Sn Precipitations for Fabrication of Tensile-strained Ge on Ge1-xSnx Buffer Layer 査読有り

Y. Shimura, N. Tsutsui, O. Nakatsuka, A. Sakai, and S. Zaima

Trans. MRS-J   34 巻 ( 2 ) 頁： 301-304   2009年

Plasma surface treatment of polymers with inductivity-coupled RF plasmas driven by low-inductance antenna units 査読有り

Y. Setsuhara, K. Cho, K. Takenaka, A. Ebe, M. Shiratani, M. Sekine, M. Hori, E. Ikenaga, H. Kondo, O. Nakatsuka, S. Zaima

Thin Solid Films   518 巻 ( 3 ) 頁： 1006-1011   2009年

Ferromagnetism and Electronic structures of Nonstoichiometric Heusler-Alloy Fe3-xMnxSi Epilayers Grown on Ge(111) 査読有り

K. Hamaya, H. Itoh, O. Nakatsuka, K. Ueda, K. Yamamoto, M. Itakura, T. Taniyama, T. Ono, M. Miyao

Phys. Rev. Lett.   102 巻   頁： 137204 (4 pages)   2009年

Formation of Uniaxial Tensile-strained Ge by Using Micro-patterning of Ge/Si1-xGe x/Si Structures 査読有り

T. Mizutani, O. Nakatsuka, A. Sakai, H. Kondo, and S. Zaima

Trans. MRS-J   34 巻 ( 2 ) 頁： 305-308   2009年

*Silicide and germanide technology for contacts and gates in MOSFET applications 招待有り 査読有り

S. Zaima, O. Nakatsuka, H. Kondo, M. Sakashita, A. Sakai, and M. Ogawa

Thin Solid Films   517 巻 ( 1 ) 頁： 80-83   2008年8月

Characterization of bonding structures of directly bonded hybrid crystal orientation substrates 査読有り

E. Toyoda, A. Sakai, O. Nakatsuka, H. Isogai, T. Senda, K. Izunome, M. Ogawa, and S. Zaima

Thin Solid Films   517 巻 ( 1 ) 頁： 323-326   2008年8月

Tensile strained Ge layers on strain-relaxed Ge1-xSnx/virtual Ge substrates 査読有り

S. Takeuchi, A. Sakai, O. Nakatsuka, M. Ogawa, and S. Zaima

Thin Solid Films   517 巻 ( 1 ) 頁： 159-162   2008年8月

Growth of highly strain-relaxed Ge1-xSnx/virtual Ge by a Sn precipitation controlled compositionally step-graded method 査読有り

S. Takeuchi, Y. Shimura, O. Nakatsuka, S. Zaima, M. Ogawa, and A. Sakai

Appl. Phys. Lett.   92 巻   頁： 231916   2008年6月

Epitaxial Ag Layers on Si Substrates as a Buffer Layer for Carbon Nanotube Growth 査読有り

S. Oida, A. Sakai, O. Nakatsuka, M. Ogawa, and S. Zaima

Appl. Surf. Sci.   47 巻   頁： 3742-3747   2008年5月

Dependence of Electrical Characteristics on Interfacial Structures of Epitaxial NiSi2/Si Schottky Contacts Formed from Ni/Ti/Si System 査読有り

O. Nakatsuka, A. Suzuki, S. Akimoto, A. Sakai, M. Ogawa and S. Zaima

Jpn. J. Appl. Phys.   47 巻 ( 4 ) 頁： 2402-2406   2008年4月

Scanning Tunneling Microscopy Observation of Initial Growth of Sn and Ge1-xSnx Layers on Ge(001) Substrates 査読有り

M. Yamazaki, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima

Appl. Surf. Sci.   254 巻 ( 19 ) 頁： 6048-60651   2008年3月

Effect of alcohol sources on synthesis of single-walled carbon nanotubes 査読有り

S. Oida, A. Sakai, O. Nakatsuka, M. Ogawa and S. Zaima

Appl. Surf. Sci.   254 巻 ( 23 ) 頁： 7697-7702   2008年2月

Ge基板上に作製したPr酸化膜の評価 査読有り

坂下満男, 鬼頭伸幸, 加藤亮祐, 近藤博基, 中塚理, 酒井朗, 小川正毅, 財満鎭明

特別研究会研究報告“ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-”（第13回研究会）     頁： 237-242   2008年2月

Contact properties of epitaxial NiSi2/heavily doped Si structures formed from Ni/Ti/Si systems 査読有り

S. Akimoto, O. Nakatsuka, A. Suzuki, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima

Advanced Metallization Conference (AMC)     頁： 101-105   2008年

Interface and defect control for group IV channel engineering

A. Sakai, Y. Ohara, T. Ueda, E. Toyoda, K. Izunome, S. Takeuchi, Y. Shimura, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima, S. Kimura

ECS Transactions   16 巻 ( 10 ) 頁： 687-698   2008年

パルスレーザー蒸着法によるGe基板上へのPr酸化膜の作製とその構造及び電気的特性評価

鬼頭伸幸, 坂下満男, 酒井朗, 中塚理, 近藤博基, 小川正毅, 財満鎭明

特別研究会研究報告“ゲートスタック研究会 –材料・プロセス・評価の物理-”（第12回研究会）     頁： 251-256   2007年2月

Strain relaxation of patterned Ge and SiGe layers on Si(001) substrates

S. Mochizuki, A. Sakai, O. Nakatsuka, H. Kondo, K. Yukawa, K. Izunome, T. Senda, E. Toyoda, M. Ogawa, and S. Zaima

Semicond. Sci. Tech.   22 巻 ( 1 ) 頁： S132-S136   2007年1月

Ge(001)表面の酸素エッチングおよび初期酸化過程の原子スケール評価

山崎理弘, 若園恭伸, 酒井朗, 中塚理, 竹内正太郎, 小川正毅, 財満鎭明

特別研究会研究報告“ゲートスタック研究会 –材料・プロセス・評価の物理-”（第12回研究会）     頁： 197-202   2007年1月

Growth and structure evaluation of strain-relaxed Ge1-xSnx buffer layers grown on various types of substrates 査読有り

S. Takeuchi, A. Sakai, K. Yamamoto, O. Nakatsuka, M. Ogawa, and S. Zaima

Semicond. Sci. Tech.   22 巻 ( 1 ) 頁： S231-S235   2007年1月

Silicide and germanide technology for contacts and metal gates in MOSFET applications

S. Zaima, O. Nakatsuka, H. Kondo, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa

ECS Transactions   11 巻 ( 6 ) 頁： 197-205   2007年

Impact of Pt incorporation on thermal stability of NiGe layers on Ge(001) substrates

O. Nakatsuka, A. Suzuki, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima

Extended Abstracts of the 7th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2007     頁： 87-88   2007年

Electrical properties of epitaxial NiSi2/Si contacts with extremely flat interface formed in Ni/Ti/Si(0 0 1) system 査読有り

O. Nakatsuka, A. Suzuki, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima

Microelectron. Eng.   83 巻 ( 11-12 ) 頁： 2272-2276   2006年11月

Ni-Silicide/Si and SiGe(C) Contact Technology for ULSI Applications 招待有り

O. Nakastuka, S. Zaima, A. Sakai, and M. Ogawa

Proceedings of the 14th annual IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors     頁： 31-37   2006年10月

Control of misfit dislocations in strain-relaxed SiGe buffer layers on SOI substrates 査読有り

N. Taoka, A. Sakai, S. Mochizuki, O. Nakatsuka, M. Ogawa and S. Zaima

Thin Solid Films   508 巻 ( 1-2 ) 頁： 147-151   2006年6月

*Local strain in SiGe/Si heterostructures analyzed by X-ray microdiffraction 査読有り

S. Mochizuki, A. Sakai, N. Taoka, O. Nakatsuka, S. Takeda, S. Kimura, M. Ogawa, and S. Zaima

Thin Solid Films   508 巻 ( 1-2 ) 頁： 128-131   2006年6月

Initial Growth Process of TiN Films in Ultrahigh-Vacuum Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition 査読有り

Y. Okuda, S. Naito, O. Nakatsuka, H. Kondo, T. Okuhara, A. Sakai, S. Zaima, and Y. Yasuda

Jpn. J. Appl. Phys.   45 巻 ( 1A ) 頁： 49-53   2006年1月

Dislocation morphology and crystalline mosaicity in strain-relaxed SiGe buffer layers on SOI

A. Sakai, N. Taoka, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima

IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems   126 巻 ( 9 ) 頁： 1083-1087   2006年

Ni silicide and germanide technology for contacts and metal gates in MOSFET applications

S. Zaima, O. Nakatsuka, H. Kondo, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa

ICSICT-2006: 2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, Proceedings     頁： 322-325   2006年

Scanning tunneling microscopy study on the reaction of oxygen with clean Ge(001) surfaces

A. Sakai, Y. Wakazono, O. Nakatsuka, S. Zaima, M. Ogawa

ECS Transactions   2 巻 ( 7 ) 頁： 1197-1203   2006年

Thermal stability and electrical properties of Ni-silicide on C-incorporated Si 査読有り

O. Nakatsuka, K. Okubo, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima, J. Murota, and Y. Yasuda

Proc. of Advanced Metallization Conference 2004 (AMC2004)     頁： 293-298   2005年10月

*Low Temperature Formation of Epitaxial NiSi2 Layers with Solid-Phase Reaction in Ni/Ti/Si(001) Systems 査読有り

O. Nakatsuka, K. Okubo, Y. Tsuchiya, A. Sakai, S. Zaima, and Y. Yasuda

Jpn. J. Appl. Phys.   44 巻 ( 5A ) 頁： 2945-2947   2005年

SiGeバッファ層の歪緩和および転位構造制御 査読有り

田岡紀之, 酒井朗, 望月省吾, 中塚理, 小川正毅, 財満鎭明

日本結晶成長学会誌   32 巻   頁： 89-98   2005年

Analysis of microstructures in SiGe buffer layers on silicon-on-insulator substrates 査読有り

N. Taoka, A. Sakai, S. Mochizuki, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima, T. Tezuka, N. Sugiyama, and S. Takagi

Jpn. J. Appl. Phys.   44 巻 ( 10 ) 頁： 7356-7363   2005年

*Improvement in NiSi/Si contact properties with C-implantation 査読有り

O. Nakatsuka, K. Okubo, A. Sakai, M. Ogawa, Y. Yasuda, and S. Zaima

Microelectronic Engineering   82 巻 ( 3-4 ) 頁： 479-484   2005年

Pure-edge dislocation network for strain-relaxed SiGe/Si(001) systems 査読有り

A. Sakai, N. Taoka, O. Nakatsuka, S. Zaima, and Yukio Yasuda

Appl. Phys. Lett.   86 巻   頁： 221916-221918   2005年

Initial growth behaviors of SiGeC in SiGe and C alternate deposition 査読有り

S. Takeuchi, O. Nakatsuka, Y. Wakazono, A. Sakai, S. Zaima, and Y. Yasuda

Materials Science in Semiconductor Processing   8 巻 ( 1-3 ) 頁： 5-9   2005年

Growth and characterization of strain-relaxed SiGe buffer layers on Si(001) substrates with pure-edge misfit dislocations 査読有り

N. Taoka, A. Sakai, T. Egawa, O. Nakatsuka, S. Zaima, and Y. Yasuda

Materials Science in Semiconductor Processing   8 巻 ( 1-3 ) 頁： 131-135   2005年

Influence of structural variation of Ni silicide thin films on electrical property for contact materials 査読有り

K. Okubo, Y. Tsuchiya, O. Nakatsuka, A. Sakai, S. Zaima, and Y. Yasuda

Jpn. J. Appl. Phys.   43 巻 ( 4B ) 頁： 1896-1900   2004年

Si及びSi1-x-yGexCy上のNiシリサイド形成 招待有り

中塚理, 酒井朗, 財満鎭明

電気学会研究会資料 電子材料研究会   EFM-04 巻 ( 41-48 ) 頁： 25-30   2004年

Influence of C incorporation on the initial growth of epitaxial NiSi2 on Si(100) 査読有り

E. Okada, O. Nakatsuka, S. Oida, A. Sakai, S. Zaima, and Y. Yasuda

Appl. Surf. Sci.   237 巻 ( 1-4 ) 頁： 150-155   2004年

Interfacial reaction and electrical properties in Ni/Si and Ni/SiGe(C) contacts 査読有り

S. Zaima, O. Nakatsuka, A. Sakai, J. Murota, and Y. Yasuda

Appl. Surf. Sci.   224 巻 ( 1-4 ) 頁： 215-221   2004年

Influence of Si1-xGex interlayer on the initial growth of SiGeC on Si(100) 査読有り

S. Ariyoshi, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, A. Sakai, S. Zaima, and Y. Yasuda

Appl. Surf. Sci.   224 巻 ( 1-4 ) 頁： 117-121   2004年

Dislocation structures and strain-relaxation in SiGe buffer layers on Si (0 0 1) substrates with an ultra-thin Ge interlayer 査読有り

T. Yamamoto, A. Sakai, T. Egawa, N. Taoka, O. Nakatsuka, S. Zaima, and Y. Yasuda,

Appl. Surf. Sci.   224 巻 ( 1-4 ) 頁： 108-112   2004年

Strain-relaxation mechanisms of SiGe layers formed by two-step growth on Si(0 0 1) substrates 査読有り

T. Egawa, A. Sakai, T. Yamamoto, N. Taoka, O. Nakatsuka, S. Zaima and Y. Yasuda

Appl. Surf. Sci.   224 巻 ( 1-4 ) 頁： 104-107   2004年

High resolution-high energy x-ray photoelectron spectroscopy using third-generation synchrotron radiation source, and its application to Si-high k insulator systems 査読有り

K. Kobayashi, M. Yabashi, Y. Takata, T. Tokushima, S. Shin, K. Tamasaku, D. Miwa, T. Ishikawa, H. Nohira, T. Hattori, Y. Sugita, O. Nakatsuka, A. Sakai, and S. Zaima

Appl. Phys. Lett.   83 巻 ( 5 ) 頁： 1005-1007   2003年

Development of Ni/Al and MUM ohmic contact materials for p-type 4H-SiC 査読有り

R. Konishi, R. Yasukochi, O. Nakatsuka, Y. Koide, M. Moriyama and M. Murakami

Mater. Sci. Eng. B   98 巻 ( 3 ) 頁： 286-293   2003年

Effect of Al interlayers on Two-Step Epitaxial Growth of CoSi2 on Si(100) 査読有り

O. Nakatsuka, H. Onoda , E. Okada, H. Ikeda, A. Sakai, S. Zaima, and Y. Yasuda

Appl. Surf. Sci.   216 巻 ( 1-4 ) 頁： 174-180   2003年

Ultra-high vacuum rapid thermal chemical vapor deposition for formation of TiN as barrier metals 査読有り

S. Naito, M. Okada, O. Nakatsuka, T. Okuhara, A. Sakai, S. Zaima, and Y. Yasuda,

Rapid Thermal Processing for Future Semiconductor Devices     頁： 29-35   2003年

Scanning Tunneling Microscopy of Initial Nitridation Processes on Oxidized Si(100) Surface with Radical Nitrogen 査読有り

R. Takahashi, Y. Kobayashi, H. Ikeda, M. Sakashita, O. Nakatsuka, A. Sakai, S. Zaima, and Y. Yasuda

Jpn. J. Appl. Phys.   42 巻 ( 4B ) 頁： 1966-1970   2003年

Electrical properties and solid-phase reactions in Ni/Si(100) contacts 査読有り

Y. Tsuchiya, A. Tobioka, O. Nakatsuka, H. Ikeda, A. Sakai, S. Zaima, and Y. Yasuda

Jpn. J. Appl. Phys.   41 巻 ( 4B ) 頁： 2450-2454   2002年

Low resistance TiAl ohmic contacts with multi-layered structure for p-type 4H-SiC 査読有り

O. Nakatsuka, T. Takei, Y. Koide, and M. Murakami

Mater. Trans.   43 巻 ( 7 ) 頁： 1684-1688   2002年

CoAl ohmic contact materials with improved surface morphology for p-type 4H-SiC 査読有り

O. Nakatsuka, Y. Koide, and M. Murakami

Proc. of Silicon Carbide and Related Materials 2001 (MATERIALS SCIENCE FORUM)   389 巻 ( 3 ) 頁： 885-888   2002年

Electrical properties of Ni silicide/Si contact 査読有り

Y. Tsuchiya, O. Nakatsuka, H. Ikeda, A. Sakai, S. Zaima, and Y. Yasuda

Proc. of Advanced Metallization Conference 2001 (AMC2001)     頁： 679-684   2001年

Dependence of contact resistivity on impurity concentration in Co/Si systems 査読有り

O. Nakatsuka, T. Ashizawa, K. Nakai, A. Tobioka, A. Sakai, S. Zaima, and Y. Yasuda

Appl. Surf. Sci.   159-160 巻   頁： 149-153   2000年

Interfacial reactions of Ti/ and Zr/Si1-xGex/Si contacts with rapid thermal annealing 招待有り 査読有り

Y. Yasuda, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Thin Solid Films   373 巻   頁： 73-78   2000年

Contact resistivities and electrical properties of Co/Si contacts by rapid thermal annealing 査読有り

O. Nakatsuka, T. Ashizawa, H. Iwano, S. Zaima, and Y. Yasuda

Proc. of Advanced Metallization and Interconnect Systems for ULSI Applications in 1998     頁： 605-611   1999年

Effect of Ge atoms on interfacial reactions of Ti/ and Zr/Si1-xGex/Si contacts 査読有り

H. Iwano, H. Hayashi, M. Yoshinaga, O. Nakatsuka, S. Zaima, and Y. Yasuda

Proc. of Advanced Metallization and Interconnect Systems for ULSI Applications in 1998     頁： 599-604   1999年

Conductance oscillations in hopping conduction systems fabricated by focus ion beam implantation 査読有り

H. Kondo, H. Iwano, O. Nakatsuka, K. Kaga, S. Zaima, and Y Yasuda

Jpn. J. Appl. Phys.   36 巻 ( 6B ) 頁： 4046-4048   1997年

Advanced Nanoscale ULSI Interconnects: Fundamentals and Applications, (edited by Y. Shacham-Diamand, T. Osaka, M. Datta, T.Ohba)

O. Nakatsuka and S. Zaima (編集) Yosi Shacham-Diamand, Tetsuya Osaka, Madhav Datta, Takayuki Ohba（ 担当： 共著 ,  範囲: Chapter 8, Silicide in "Advanced Nanoscale ULSI Interconnects: Fundamentals and Applications"）

Springer  2009年10月 

Epitaxial growth of strain‐relaxed and high-Sn-content n-Ge1-xSnx on Si(111) substrate with Ge buffer layer 招待有り 国際会議

A. Huang, S. Shibayama, and O. Nakatsuka

The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT) 

HfO2-ZrO2系の強誘電相発現におけるウェット熱処理の効果

柴山茂久, 永野丞太郎, 坂下満男, 中塚理

応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第26回）  2021年1月23日 

低仕事関数金属/4H-SiC界面におけるMIGSの影響

土井拓馬, 柴山茂久, 坂下満男, 清水三聡, 中塚理

応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第26回）  2021年1月26日 

低仕事関数金属を用いたn型4H-SiCに対する低ショットキー障壁コンタクトの実現

土井拓馬, 柴山茂久, 坂下満男, 清水三聡, 中塚理

先進パワー半導体分科会第7回講演会  2021年1月22日 

GeSn系Ⅳ族混晶半導体の創製と結晶・電子物性制御 招待有り

中塚理

第5回TIA-EXA広域エレクトロニクス融合セミナー ～革新デバイスに向けた新材料と集積技術～  2020年12月9日 

Heteroepitaxy and Strain Engineering of Germanium-Silicon-Tin Ternary Alloy Semiconductor Thin Films for Energy Band Design 招待有り 国際会議

O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Kurosawa, and M. Sakashita

Pacificrim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science (PRiME2020) 

Crystal Growth of Epitaxial 3C-SiC Thin Film on Si Substrate By Chemical Vapor Deposition using Single Precursor of Vinylsilane 国際会議

T. Doi, K. Hashimoto, W. Takeuchi, and O. Nakatsuka

Pacificrim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science (PRiME2020) 

Understanding wet annealing effect on phase transition and ferroelectric phase formation for Hf1-xZrxO2 film 国際会議

S. Shibayama, J. Nagano, M. Sakashita, and O. Nakatsuka

2020 Inthernational Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020) 

コンタクト抵抗率低減のための金属/IV族半導体界面制御技術 招待有り

中塚理, 柴山茂久, 坂下満男

第84回半導体・集積回路技術シンポジウム 

Ge1-xSnx溶融成長時に生じる偏析現象の理解

中尾天哉, 西島泰樹, 清水智, 角田功, 中塚理, 黒澤昌志

第81回応用物理学会秋季学術講演会 

多層ゲルマナンフレークからの水素脱離

伊藤麻維, 洗平昌晃, 大田晃生, 中塚理, 黒澤昌志

第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月9日 

GaAs(001)基板上におけるGe1−x−ySixSny薄膜のエピタキシャル成長

中田壮哉, 詹天卓, 富田基裕, 渡邉孝信, 中塚理, 黒澤昌志

第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月9日 

絶縁膜上における極薄Ge薄膜の固相成長

大石遼, 黒澤昌志, 中塚理

第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月9日 

GeSn系IV族混晶ヘテロ構造の結晶成長と光電物性制御 招待有り

中塚 理

阪大CSRN 第二回異分野研究交流会 「半導体・ナノカーボン系」  2020年8月28日 

In-situ Sb Doping into Ge1−xSnx Epitaxial Layer toward Enhancement of Photoluminescence Intensity 国際会議

M. Fukuda, J. Jeon, M. Sakashita, S. Shibayama, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka

The 8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VIII) 

Crystal Growth and Characterization of Group-IV Alloy Semiconductor Heterostructures for Future Electronic Devices 招待有り 国際会議

O. Nakatsuka, M. Kurosawa, S. Shibayama, and M. Sakashita, S. Zaima

The 8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VIII) 

Ferroelectric Phase Evolution of Undoped ZrO2 Thin Film by Wet O2 Annealing Process 国際会議

S. Shibayama, J. Nagano, M. Sakashita, O. Nakatsuka

2019 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES - SCIENCE AND TECHNOLOGY - (IWDTF2019) 

Saturation of Activated Sb Atom in Heavily Sb-Doped Ge Epitaxial Thin Films 国際会議

J. Jeon, S. Shibayama, S. Zaima, and O. Nakatsuka

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019) 

Thermoelectric properties of silicon germanium wires with a composition gradient 国際会議

M. Nakata, O. Nakatsuka, M. Tomita, T. Watanabe, and M. Kurosawa

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019) 

Theoretical Investigation of Self-organization Behavior of Si0.5Sn0.5 Nano-particles 国際会議

Y. Nagae, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019) 

Development of in-situ cyclic metal layer oxidation to form abrupt Al2O3/4H-SiC interface 国際会議

T. Doi, S. Shibayama, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, M. Shimizu, and O. Nakatsuka

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019) 

Optoelectronic Property of GeSn and GeSiSn Heterostructure 国際会議

M. Fukuda, M. Sakashita, S. Shibayama, M. Kurosawa, S. Zaima, and O. Nakatsuka

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019) 

Improvement of thermoelectric properties of Si1-x-yGexSny thin films by ion implantation and rapid thermal annealing 国際会議

Y. Peng, L. Miao, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019) 

Model development of MOCVD growth for realizing high-Sn-content Ge1-xSnx epitaxial layer ~ What physical properties are required for precursors? ~ 国際会議

Y. Miki, S. Shibayama, S. Zaima, and O. Nakatsuka

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019) 

Saturation of Sb1+ Concentration in Heavily Sb-doped n+-Ge Epitaxial Layers 国際会議

J. Jeon, S. Shibayama, and O. Nakatsuka

Advanced Metallization Conference 2019: 29th Asian Session (ADMETA Plus 2019) 

Influence of Dopant on Thermoelectric Properties of Si-rich Poly-Si1-xSnx Layers Grown on Insulators 国際会議

K. Sato, O. Nakatsuka, and M. Kurosawa

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2019) 

Impact of Mechanical Uniaxial Stress on Mobility Enhancement of 4H-SiC (0001) MOSFET 国際会議

W. Takeuchi, K. Kutsuki, E. Kagoshima, T. Onishi, S. Iwasaki, M. Sakashita, H. Fujiwara, and O. Nakatsuka

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2019) 

In-situ Cyclic Metal Layer Oxidation for Further Improving Interface Properties of Al2O3/4H-SiC(0001) Gate Stacks 国際会議

T. Doi, S. Shibayama, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, M. Shimizu, and O. Nakatsuka

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2019) 

Strain Relaxation Enhancement of Ge1-x-ySixSny Epitaxial Layer on Ge Substrate Using Ion-Implantation Method 国際会議

H. Sofue, M. Fukuda, S. Shibayama, S. Zaima, and O. Nakatsuka

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2019) 

Fermi Level Pinning at Metal/4H-SiC Contact Induced by SiCxOy Interlayer 国際会議

K. Hashimoto, T. Doi, S. Shibayama, and O. Nakatsuka

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2019) 

GeSn and GeSiSn Heterostructures for Optoelectronic Applications 招待有り 国際会議

O. Nakatsuka, M. Fukuda, M. Kurosawa, S. Shibayama, M. Sakashita, and S. Zaima

2019 IEEE Photonics Society Summer Topicals Meeting Series 

Further reduction of Schottky barrier height of Hf-germanide/n-Ge(001) contacts by forming epitaxial HfGe2 国際会議

K. Senga, S. Shibayama, M. Sakashita, S. Zaima, and O. Nakatsuka

19th International Workshop on Junction Technology 2019 (IWJT2019) 

Development and challenges of group-IV alloy semiconductors for nanoelectronic applications 招待有り 国際会議

S. Zaima, O. Nakatsuka, M. Kurosawa, M. Sakashita, and S. Shibayama

The Eleventh International Conference on High-Performance Ceramics (CICC-11) 

Tin-incorporation effect on thermoelectric properties of p-type polycrystalline Si1-xGex layers grown on SiO2 国際会議

Y. Peng, L. Miao, J. Gao, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

The Eleventh International Conference on High-Performance Ceramics (CICC-11) 

Crystalline and Electrical Properties of Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny QuantumWell Structures 国際会議

G. R. Suwito, M. Fukuda, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Compoud Semiconductor Week 2019 (CSW 2019) 

Formation of Strain-relaxed Ge1-x-ySixSny Epitaxial Layer using Ionimplanted Ge Substrate 国際会議

H. Sofue, M. Fukuda, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and S. Zaima

11th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides Nanomaterials / 12th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma 2019 / IC-PLANTS 2019) 

GeSn-related group-IV semiconductor heterostructures for electronic and optoelectronic applications 招待有り 国際会議

O. Nakatsuka, M. Fukuda, M. Kurosawa, M. Sakashita, and S. Zaima

12th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

Formation of Nickel Stanogermanide/Heavily Doped n+-Ge1-xSnx Structure with Ultra-Low Contact Resistivity 国際会議

J. Jeon, A. Suzuki, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and S. Zaima

12th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

Study of factors to limit increasing Sn content in Ge1-xSnx for MOCVD method 国際会議

Y. Miki, W. Takeuchi, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and S. Zaima

12th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

Formation and Optoelectronic Characterization of Strain-relaxed Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny Double-heterostructure 国際会議

M. Fukuda, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14) in conjunction with 26th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM26) 

Thermoelectric Performance of Polycrystalline Si1-x-yGexSny Ternary Alloy Layer Prepared with Ion Implantation 国際会議

Y. Peng, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, L. Miao, J. Gao, and S. Zaima

14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14) in conjunction with 26th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM26) 

Impact of Crystalline Property of SixGe1-x-ySny Ternary Alloy Interlayer on Schottky Barrier Height Engineering of Metal/Ge Contact 国際会議

O. Nakatsuka, A. Suzuki, M. Sakashita, and S. Zaima

Advanced Metallization Conference 2018: 28th Asian Session (ADMETA Plus 2018) 

Composition and Strain Engineering of New Group-IV Thermoelectric Materials 招待有り 国際会議

M. Kurosawa, Y. Imai, T. Iwahashi, K. Takahashi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

AiMES 2018 Meeting 

Formation of laterally graded SixGe1-x stripes for thermoelectric generator 国際会議

M. Nakata, K. Takahashi, T. Nishijima, S. Shimizu, I. Tsunoda, O. Nakatsuka, S. Zaima, T. Watanabe, and M. Kurosawa

The 3rd International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-3) 

Growth and electronic properties of GeSn-related group-IV alloy semicondcutor thin films 招待有り 国際会議

O. Nakatsuka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, and S. Zaima

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2018) 

Impact of Oxygen Radical Treatment on Improvement of Al2O3/SiC Interface 国際会議

T. Doi, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2018) 

Thin Film Growth and Characterization of Group-IV Alloy Semiconductors for Future Nanoelectronic Applications 招待有り 国際会議

O. Nakatsuka, M. Kurosawa, and S. Zaima

The 9th International Conference on Physics and Its Applications (ICOPIA) 

Engineering optoelectronic properties of high-Sn-content GeSn, GeSiSn, and SiSn thin films 招待有り 国際会議

O. Nakatsuka, M. Kurosawa, M. Fukuda, M. Sakashita, W. Takeuchi, and S. Zaima

IEEE Photonics Society Summer Topical Meeting Series 2018 

Engineering electronic properties of GeSn-related group-IV thin films for nanoelectronic applications 招待有り 国際会議

O. Nakatsuka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, and S. Zaima

European Materials Research Society (2018 E-MRS Spring Meeting) 

GeSn-based thin film thermoelectric generators 招待有り 国際会議

M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials Processing, Fabrication, Properties, Applications (THERMEC'2018) 

Formation of Ultra-Low Resistance Contact with Nickel Stanogermanide/Heavily Doped n+-Ge1-xSnx Structure 国際会議

J. Jihee, A. Suzuki, K. Takahashi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

1st Joint Conference ICSI / ISTDM 2018 

Ultra-thin GeSn on Insulator structure through the direct bonding technique 国際会議

T. Maeda, W. H. Chang, T. Irisawa, H. Ishii, H. Hattori, M. Kurosawa, Y. Imai, O. Nakatsuka, and N. Uchida

1st Joint Conference ICSI / ISTDM 2018 

Optoelectronic Characterization of Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny Double-Heterostructure with High-Si-Content Ge1-x-ySixSny Layer 国際会議

M. Fukuda, D. Rainko, M. Sakashita, M. Kurosawa, D. Buca, O. Nakatsuka, and S. Zaima

1st Joint Conference ICSI / ISTDM 2018 

Domain size effects on thermoelectric properties of p-type Ge0.95Sn0.05 layers grown on GaAs and Si substrates 国際会議

Y. Imai, K. Takahashi, N. Uchida, T. Maeda, O. Nakatsuka, S. Zaima, and M. Kurosawa

The 2nd Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM 2018) 

Low thermal budget fabrication of poly-Ge1-xSnx thin film thermoelectric generator 国際会議

K. Takahashi, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, S. Zaima, and M. Kurosawa

The 2nd Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM 2018) 

Heavily p-type Doping to Si1-xSnx Layers Grown on SOI Substrates 国際会議

Y. Inaishi, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

10th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides Nanomaterials / 11th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma 2018 / IC-PLANTS 2018) 

Growth of Ge1-xSnx Layer by Metal-organic Chemical Vapor Deposition Method using Tetrakis Dimethylamino Tin 国際会議

Y. Miki, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

10th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides Nanomaterials / 11th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma 2018 / IC-PLANTS 2018) 

Heterostructure Engineering of GeSn and SiGeSn Group-IV Alloy Semiconductor Layers 招待有り 国際会議

O. Nakatsuka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, and S. Zaima

11th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

Low-Temperature Chemical Vapor Deposition of SiC Thin Film Using Vinylsilane for Metal Surface Coating 国際会議

T. Doi, W. Takeuchi, Y. Jin, H. Kokubun, S. Yasuhara, O. Nakatsuka, and S. Zaima

11th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 

Crystal growth of GeSn-based materials and its application for thin-film thermoelectric generators 招待有り 国際会議

M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

The 2017 Global Research Efforts on Energy and Nanomaterials (GREEN 2017) 

Energy Band Structure of Ga-oxide/GaN Interface Formed by Remote O2 Plasma 国際会議

T. Yamamoto, N. Taoka, A. Ohta, T. X. Nguyen, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, K. Makihara, O. Nakatsuka, M. Shimizu, and S. Miyazaki

2017 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES: SCIENCE AND TECHNOLOGY (2017 IWDTF) 

Characterization of Defects in Ge1-xSnx Gate Stack Structure 国際会議

Y. Kaneda, S. Ike, M. Kanematsu, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

2017 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES: SCIENCE AND TECHNOLOGY (2017 IWDTF) 

Development of GeSn-Related Group-IV Semiconductor Thin Films for Future Si Nanoelectronic Applications 招待有り 国際会議

S. Zaima, O. Nakatsuka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, and M. Sakashita

the 4th International Symposium on Hybrid Materials and Processing (HyMaP 2017) 

GeSn and related group-IV alloy thin films for future Si nanoelectronics 招待有り 国際会議

O. Nakatsuka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita and S. Zaima

The Tenth International Conference on High-Performance Ceramics (CICC-10) 

Crystalline and electrical properties of epitaxial HfGe2/Ge contact for lowering Schottky barrier height 国際会議

O. Nakatsuka, A. Suzuki, J. McVittie, Y. Nishi, and S. Zaima

Advanced Metallization Conference 2017: 27th Asian Session (ADMETA Plus 2017) 

Growth and Applications of Si1-xSnx Thin Films 招待有り 国際会議

M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

The 232th Electrochemical Society Meeting (232nd ECS MEETING) 

Numerical calculation of energy band offset of Si1-xSnx by density functional calculation 国際会議

Y. Nagae, M. Kurosawa, M. Araidai, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, and S. Zaima

The 2nd International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-2) 

Heavy n- and p-type doping for polycrystalline Ge1-xSnx layers using pulsed laser annealing in water 国際会議

K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

The 2nd International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-2) 

Control of Electrical Property at Metal/Ge Interface with Group-IV Alloy Interlayer 国際会議

A. Suzuki, O. Nakatsuka, M. Sakashita, and S. Zaima

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS 2017) 

Characterization of Crystallinity and Energy Band Alignment of Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny Heterostructure 国際会議

M. Fukuda, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS 2017) 

Strain measurement of simulated finFET structures of Ge and GeSn prepared by MOCVD 国際会議

K. Saitoh, S. Ou, S. Ike, O. Nakatsuka and, S. Zaima

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS 2017) 

Thermal Stability Study of in-situ Sb-Doped n- Ge1-xSnx Epitaxial Layers for Source/Drain Stressor of Strained Ge Transistors 国際会議

J. Jeon, A. Suzuki, O. Nakatsuka and, S. Zaima

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS 2017) 

Fabrication and Thermoelectric Mechanism Study of Flexible Si1-xGex Superlattice Films 国際会議

Y. Peng, L. Miao, C. Li, R. Huang, D. Urushihara, T. Asaka, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS 2017) 

Sb-doping effect on thermal and electrical properties of Ge-rich Ge1-xSnx layers 国際会議

T. Iwahashi, M. Kurosawa, N. Uchida, Y. Ohishi, T. Maeda, O. Nakatsuka, and S. Zaima

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2017) 

Dopants behavior in polycrystallization of heavily doped Ge1-xSnx layer using pulsed laser annealing in water 国際会議

K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2017) 

Synthesis of p- and n-type Ge1-xSnx Thin Films toward New Group-IV Thermoelectric Materials 国際会議

M. Kurosawa, Y. Imai, T. Iwahashi, A. Ohta, N. Uchida, Y. Ohishi, T. Maeda, O. Nakatsuka, and S. Zaima

36th Annual International Conference on Thermoelectrics (2017 ICT) 

Characterization of energy band structure of Si1-x-ySnxCy ternary alloy layers prepared with solid-phase crystallization 国際会議

S. Yano, O. Nakatsuka, C. Lim, M. Sakashita, M. Kurosawa, and S. Zaima

29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS 2017) 

Research and development of GeSn-related thin-film semiconductors for nanoelectronic and optoelectronic applications 招待有り 国際会議

O. Nakatsuka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, and S. Zaima

Frontiers in Materials Processing Applications, Research and Technology (FiMPART 2017) 

Formation of Epitaxial Hf Germanide/Ge Contacts for Schottky Barrier Height Engineering 国際会議

O. Nakatsuka, A. Suzuki, J. McVittie, Y. Nishi, and S. Zaima

17th International Workshop on Junction Technology 2017 (IWJT 2017) 

Development of GeSn and related semiconductor thin films for next generation optoelectronic applications 招待有り 国際会議

O. Nakatsuka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, and S. Zaima

2017 Global Conference on Polymer and Composite Materials (PCM 2017) 

Alleviation of Fermi level pinning at metal/Ge interface using lattice-matching group-IV ternary alloy interlayer 国際会議

A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Toda, M. Sakashita, and S. Zaima

The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-10) 

Epitaxial growth of n+-Ge1-xSnxlayerswith in situ phosphorus doping using low-temperature metal-organic chemical vapor deposition method 国際会議

S. Ike, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-10) 

Control of lattice constant of Ge1-x-ySixSny layer for energy band engineering in Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny heterostructure 国際会議

M. Fukuda, K. Watanabe, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima

The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-10) 

Formation of heavily Sb and Ga doped poly-Ge1-xSnx layers on insulator using pulsed laser annealing in water 国際会議

K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-10) 

Solid phase epitaxy of Si1-xSnx layers on various substrates 国際会議

M. Kurosawa, M. Kato, K. Takahashi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-10) 

Formation of SiC and SiCN Films by Chemical Vapor Deposition using Vinylsilane 国際会議

T. Doi, W. Takeuchi, Y. Jin, H. Kokubun, S. Yasuhara, O. Nakatsuka and S. Zaima

9th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides Nanomaterials / 10th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma 2017 / IC-PLANTS 2017) 

Electrical Properties of AlON/4H-SiC MOS Capacitor Prepared by Plasma-Assisted Atomic Layer Deposition 国際会議

W. Takeuchi, K. Yamamoto, T. Mimura, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and , S. Zaima

9th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides Nanomaterials / 10th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma 2017 / IC-PLANTS 2017) 

Selective Growth of Ge1-xSnx Epitaxial Layer on Patterned Si Substrate using Metal-organic Chemical Vapor Deposition Method 国際会議

T. Washizu, S. Ike, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, S. Zaima

9th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides Nanomaterials / 10th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma 2017 / IC-PLANTS 2017) 

Development of in-situ Sb-Doped Ge1-xSnx Epitaxial Layers for Source/Drain Stressor of Strained GeTransistors 国際会議

J. Jeon, A. Suzuki, K. Takahashi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM 2017)