研究者詳細 - 中塚理

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多層膜構造体およびその形成方法

中塚理、酒井朗、小川正毅、財満鎭明、近藤博基、湯川勝規、水谷卓也

ジャーマナイド薄膜、ジャーマナイド薄膜の作成方法、ジャーマナイド薄膜を備えたゲルマニウム構造体

中塚理、酒井朗、鈴木敦之、小川正毅、財満鎭明

伸張歪ゲルマニウム薄膜の作製方法、伸張歪ゲルマニウム薄膜、及び多層膜構造体

竹内正太郎、酒井朗、中塚理、小川正毅、財満鎭明

歪み緩和ゲルマニウム膜及びその製造方法並びに多層膜構造体

酒井朗、湯川勝則、中塚理、小川正毅、財満鎭明

カーボンナノチューブ形成用基材及びその製造方法並びにカーボンナノチューブ

酒井朗、種田智、中塚理、小川正毅、財満鎭明

エピタキシャル成長用基材及びその製造方法並びに多層膜構造体

シリサイド膜の作製方法、多層膜中間構造体及び多層膜構造体

中塚理，酒井朗，財満鎭明，安田幸夫，大久保和哉，土屋義規

コバルトシリサイド膜の作製方法、コバルトシリサイド膜、及び多層膜中間構造体

財満鎭明，安田幸夫，酒井朗，中塚理

ニッケルシリサイド膜の作製方法、及び多層構造体

財満鎭明，酒井朗，中塚理，安田幸夫

細線構造の作製方法、多層膜構造体、及び多層膜中間構造体

酒井朗，財満鎭明，安田幸夫，中塚理

シリコンゲルマニウム膜の作製方法、エピタキシャル成長用基板、及び多層膜構造体

酒井朗，中塚理，財満鎭明，安田幸夫

ニッケルシリコン系薄膜、ニッケルシリコン系多層膜構造及びニッケルシリコン系薄膜の作製方法

財満鎭明，安田幸夫，酒井朗，中塚理，土屋義規

出願人：名古屋大学長　松尾稔

出願番号：特願2002-198369 出願日：2002年7月

公開番号：特開2004-40013

特許番号/登録番号：特許第3733424号登録日：2006年1月

出願国：国内

・本特許が評価され、『第3回 P&I パテントコンテスト：パテント・オブ・ザ・イヤープロセス・テクノロジー部門』の受賞に結びついた。（学内共同研究者：財満鎭明）

素子電極用のニッケルシリコン系薄膜の作製方法、及び素子電極用の多層膜構造

安田幸夫，財満鎭明，酒井朗，中塚理，土屋義規

p型SiC用電極

中塚理、小西亮平、安河内隆一、小出康夫、村上　正紀、柴田直樹

半導体混晶膜の形成法

安田幸夫，財満鎭明，酒井朗，山中章，中塚理

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