講演・口頭発表等 - 本田　善央

Photocurrent and Photoluminescence measurements for InGaN Based LED 招待有り 国際会議

Shigeyoshi Usami, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano

LEDIA'17 

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開催年月日： 2017年4月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

開催地：Pacifico Yokohama   国名：日本国  

In-situ monitoring of Laser absorption and scattering method during InGaN growth by MOVPE 招待有り 国際会議

Yoshio Honda, Tetsuya Yamamoto, Akira Tamura, Shigeyoshi Usami, Kentaro Nagamatsu, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Hiroshi Amano

The 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silocon Material 

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開催年月日： 2016年11月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：アメリカ合衆国  

In-situ monitoring of InGaN growth by Laser absorption and scattering method 招待有り 国際会議

Yoshio Honda , Tetsuya Yamamoto, Akira Tamura, Shigeyoshi Usami, Kentaro Nagamatsu, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Hiroshi Amano

SPIE 

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開催年月日： 2016年2月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：アメリカ合衆国  

世界を照らす青色LED

本田善央

第20回東海地区分析研究会講演会 

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開催年月日： 2015年10月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

発光ダイオード

本田善央

応用物理学会 赤﨑・天野記念LEDスクール 

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開催年月日： 2015年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

InGaN growth mechanism evaluation by In-situ monitoring based on LAS 国際会議

Yoshio Honda,Akira Tamura,Tetsuya Yamamoto, Maki Kushimoto,Hiroshi Amano

2015 German-Japanese-Spanish Joint Workshop 

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開催年月日： 2015年7月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

InGaN 系光デバイスの成長と特性評価

本田善央，田村彰，山本哲也， 李　昇我, 久志本真希，天野浩

STR 結晶成長 結晶成長 とデバイス 解析 

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開催年月日： 2015年6月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

世界を照らす青色発光ダイオード

本田善央

第58回名大カフェ 

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開催年月日： 2015年6月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

InGaN成長中の光散乱を用いたin situ観察と成長機構

本田善央，田村彰，山本哲也， 久志本真希，天野浩

第23回シンポジウム「窒化物半導体の成長技術とメカニズム理解 

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開催年月日： 2015年5月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

MOVPE法によるInGaN加圧成長とLAS法によるその場観察

本田善央，田村彰，山本哲也， 久志本真希，天野浩

日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 2015年春季講演会 

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開催年月日： 2015年5月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

Semi-polar GaN growth on patterned (001)Si substrate by MOVPE 国際会議

Y. Honda, M. Kushimoto, and H. Amano

2015 MRS Spring Meeting & Exhibit 

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開催年月日： 2015年4月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：アメリカ合衆国  

Si基板上半極性面GaN上光デバイスとInGaN結晶成長のその場観察 国際会議

本田善央，田村彰，宇佐美茂佳， 久志本真希，光成正，山口雅史，天野浩

第5回フォトニックデバイス・応用技術研究会 

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開催年月日： 2015年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

In-situ monitoring of InGaN MOVPE-growth by Laser Absorption and Scattering method 国際会議

Yoshio Honda, Tetsuya Yamamoto, AkiraTamura, Tadashi Mitsunari and Hiroshi Amano

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開催年月日： 2015年2月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

GaN基板上GaN系パワーデバイス開発

○本田　善央，出来　真斗，天野浩

JST懇話会 

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開催年月日： 2014年12月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

Ⅲ族窒化物半導体の結晶成長技術とデバイス応用

本田善央，久志本真希，光成正， 山下康平，山口雅史，天野浩

第18回VBLシンポジウム 

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開催年月日： 2014年11月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

Pressurized MOVPE of high-In-content InGaN 国際会議

A.Tamura, K. Yamashita, T. Mitsunari, Y. Honda and H. Amano

ICMOVPE-17(Tue-Oral-1-1 ) 

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開催年月日： 2014年7月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：スイス連邦  

High pressure InGaN growth on Sapphire substrate by MOVPE 国際会議

Yoshio Honda, Tomohiro Doi, Masahito Yamaguchi and Hiroshi Amano

2013 JSAP-MRS Joint Symposia Symposium J(18p-M6-1) 

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開催年月日： 2013年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

加圧MOVPEによるInGaN結晶成長

坂倉誠也、土井友博、谷川智之、本田善央、山口雅史、天野浩

第59回 応用物理学関係連合講演会 

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開催年月日： 2012年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

加工Si基板上への非極性GaN選択成長

本田善央，谷川智之，村瀬輔，光成正，山下康平，山口雅史

第2回窒化物半導体結晶成長講演会 

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開催年月日： 2010年5月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国  

半極性，非極性GaN/Si基板の開発

本田善央，澤木宣彦

第6回窒化物半導体研究会 

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開催年月日： 2009年10月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

国名：日本国