Presentations -
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Photocurrent and Photoluminescence measurements for InGaN Based LED Invited International conference
Shigeyoshi Usami, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano
LEDIA'17
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In-situ monitoring of Laser absorption and scattering method during InGaN growth by MOVPE Invited International conference
Yoshio Honda, Tetsuya Yamamoto, Akira Tamura, Shigeyoshi Usami, Kentaro Nagamatsu, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Hiroshi Amano
The 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silocon Material
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In-situ monitoring of InGaN growth by Laser absorption and scattering method Invited International conference
Yoshio Honda , Tetsuya Yamamoto, Akira Tamura, Shigeyoshi Usami, Kentaro Nagamatsu, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Hiroshi Amano
SPIE
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世界を照らす青色LED
本田善央
第20回東海地区分析研究会講演会
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発光ダイオード
本田善央
応用物理学会 赤﨑・天野記念LEDスクール
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InGaN growth mechanism evaluation by In-situ monitoring based on LAS International conference
Yoshio Honda,Akira Tamura,Tetsuya Yamamoto, Maki Kushimoto,Hiroshi Amano
2015 German-Japanese-Spanish Joint Workshop
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InGaN 系光デバイスの成長と特性評価
本田善央，田村彰，山本哲也， 李 昇我, 久志本真希，天野浩
STR 結晶成長 結晶成長 とデバイス 解析
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世界を照らす青色発光ダイオード
本田善央
第58回名大カフェ
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InGaN成長中の光散乱を用いたin situ観察と成長機構
本田善央，田村彰，山本哲也， 久志本真希，天野浩
第23回シンポジウム「窒化物半導体の成長技術とメカニズム理解
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MOVPE法によるInGaN加圧成長とLAS法によるその場観察
本田善央，田村彰，山本哲也， 久志本真希，天野浩
日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 2015年春季講演会
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Semi-polar GaN growth on patterned (001)Si substrate by MOVPE International conference
Y. Honda, M. Kushimoto, and H. Amano
2015 MRS Spring Meeting & Exhibit
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Si基板上半極性面GaN上光デバイスとInGaN結晶成長のその場観察 International conference
本田善央，田村彰，宇佐美茂佳， 久志本真希，光成正，山口雅史，天野浩
第5回フォトニックデバイス・応用技術研究会
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In-situ monitoring of InGaN MOVPE-growth by Laser Absorption and Scattering method International conference
Yoshio Honda, Tetsuya Yamamoto, AkiraTamura, Tadashi Mitsunari and Hiroshi Amano
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GaN基板上GaN系パワーデバイス開発
○本田 善央，出来 真斗，天野浩
JST懇話会
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Ⅲ族窒化物半導体の結晶成長技術とデバイス応用
本田善央，久志本真希，光成正， 山下康平，山口雅史，天野浩
第18回VBLシンポジウム
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Pressurized MOVPE of high-In-content InGaN International conference
A.Tamura, K. Yamashita, T. Mitsunari, Y. Honda and H. Amano
ICMOVPE-17(Tue-Oral-1-1 )
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High pressure InGaN growth on Sapphire substrate by MOVPE International conference
Yoshio Honda, Tomohiro Doi, Masahito Yamaguchi and Hiroshi Amano
2013 JSAP-MRS Joint Symposia Symposium J(18p-M6-1)
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加圧MOVPEによるInGaN結晶成長
坂倉誠也、土井友博、谷川智之、本田善央、山口雅史、天野浩
第59回 応用物理学関係連合講演会
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加工Si基板上への非極性GaN選択成長
本田善央，谷川智之，村瀬輔，光成正，山下康平，山口雅史
第2回窒化物半導体結晶成長講演会
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半極性，非極性GaN/Si基板の開発
本田善央，澤木宣彦
第6回窒化物半導体研究会