論文 - 天野 浩
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Relaxation of misfit-induced stress in nitride-based heterostructures 査読有り
Terao Shinji, Iwaya Motoaki, Sano Tomoaki, Nakamura Tetsuya, Kamiyama Satoshi, Amano Hiroshi, Akasaki Isamu
J. Crystal Growth 237-239 巻 ( 0 ) 頁: 947-950 2002年
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Characterization of local structures around In atoms in Ga1-xInxN layers by fluorescence EXAFS measurements 査読有り
Tabuchi M, Katou D, Kyouzu H, Takeda Y, Yamaguchi S, Amano H, Akasaki I
J. Crystal Growth 237-239 巻 ( 0 ) 頁: 1139-1142 2002年
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Atomic scale characterization of GaInN/GaN layers grown on sapphire substrates with low-temperature deposited AlN buffer layers 査読有り
Tabuchi M, Kyouzu H, Takeda Y, Yamaguchi S, Amano H, Akasaki I
J. Crystal Growth 237-239 巻 ( 0 ) 頁: 1133-1138 2002年
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Electric fields in polarized GaInN/GaN heterostructures 査読有り
Wetzel C, Takeuchi T, Amano H, Akasaki I
Optoelectronic Properties of Semiconductors and Superlattices 14 巻 ( 0 ) 頁: 219-258 2002年
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Direct observation of Ga-rich microdomains in crack-free AlGaN grown on patterned GaN/sapphire substrates 査読有り
Riemann T, Christen J, Kaschner A, Laades A, Hoffmann A, Thomsen C, Iwaya M, Kamiyama S, Amano H, Akasaki I
Appl. Phys. Lett. 80 巻 ( 0 ) 頁: 3093-3095 2002年
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Effect of n-type modulation doping on the photoluminescence of GaN/Al0 査読有り
Haratizadeh H, Paskov P P, Pozina G, Holtz P O, Monemar B, Kamiyama S, Iwaya M, Amano H, Akasaki I
Appl. Phys. Lett. 80 巻 ( 0 ) 頁: 1373-1375 2002年
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Optical absorption in polarized Ga1-xInxN/GaN quantum wells 査読有り
Wetzel Christian, Kamiyama Satoshi, Amano Hiroshi, Akasaki Isamu
Jpn. J. Appl. Phys. Part : Regular PapersShort Notes & Review Papers 41 巻 ( 0 ) 頁: 11-14 2002年
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Optical transitions in piezoelectrically polarized GaInN/GaN quantum wells 査読有り
Wetzel C, Nelson J, Kamiyama S, Amano H, Akasaki I
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 20 巻 ( 0 ) 頁: 216-218 2002年
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Critical issues in AlxGa1-xN growth 査読有り
Amano Hiroshi, Akasaki Isamu
Optical Materials Amsterdam Netherlands 19 巻 ( 0 ) 頁: 219-222 2002年
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Electrical properties of strained AlN/GaN superlattices on GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り
Yamaguchi Shigeo, Iwamura Yasuo, Watanabe Yasuhiro, Kosaki Masayoshi, Yukawa Yohei, Nitta Shugo, Kamiyama Satoshi, Amano Hiroshi, Akasaki Isamu
Appl. Phys. Lett. 80 巻 ( 0 ) 頁: 802-804 2002年
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Reduction of threading dislocation density in AlxGa1-xN grown on periodically grooved substrates 査読有り
Mochizuki Shingo, Detchprohm Theeradetch, Sano Shigekazu, Nakamura Tetsuya, Amano Hiroshi, Akasaki Isamu
J. Crystal Growth 237-239 巻 ( 0 ) 頁: 1065-1069 2002年
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Low-dislocation-density GaN and AlxGa1-xN (x? 013) grown on grooved substrates 査読有り
Sano Shigekazu, Detchprohm Theeradetch, Mochizuki Shingo, Kamiyama Satoshi, Amano Hiroshi, Akasaki Isamu
J. Crystal Growth 235 巻 ( 0 ) 頁: 129-134 2002年
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Migration of dislocations in strained GaN heteroepitaxial layers 査読有り
Sahonta S-L, Baines M Q, Cherns D, Amano H, Ponce F A
Physica Status Solidi B: Basic Research 234 巻 ( 0 ) 頁: 952-955 2002年
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Mg incorporation in AlGaN layers grown on grooved sapphire substrates 査読有り
Cherns D, Baines M Q, Wang Y Q, Liu R, Ponce F A, Amano H, Akasaki I
Physica Status Solidi B: Basic Research 234 巻 ( 0 ) 頁: 850-854 2002年
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Phonon-assisted photoluminescence in InGaN/GaN multiple quantum wells 査読有り
Paskov P P, Holtz P O, Monemar B, Kamiyama S, Iwaya M, Amano H, Akasaki I
Physica Status Solidi B: Basic Research 234 巻 ( 0 ) 頁: 755-758 2002年
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Mass transport of AlxGa1-xN 査読有り
Nitta S, Yukawa Y, Watanabe Y, Kamiyama S, Amano H, Akasaki I
Physica Status Solidi A: Applied Research 194 巻 ( 0 ) 頁: 485-488 2002年
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High-efficiency UV light-emitting diode 査読有り
Kamiyama S, Iwaya M, Amano H, Akasaki I
Physica Status Solidi A: Applied Research 194 巻 ( 0 ) 頁: 393-398 2002年
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Effect of In-doping on the properties of as-grown p-type GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り
Yamaguchi S, Iwamura Y, Watanabe Y, Kosaki M, Yukawa Y, Nitta S, Kamiyama S, Amano H, Akasaki I
Physica Status Solidi A: Applied Research 192 巻 ( 0 ) 頁: 453-455 2002年
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Annihilation of threading dislocations in GaN/AlGaN 査読有り
Kuwano N, Tsuruda T, Adachi Y, Terao S, Kamiyama S, Amano H, Akasaki I
Physica Status Solidi A: Applied Research 192 巻 ( 0 ) 頁: 366-370 2002年
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UV light-emitting diode fabricated on hetero-ELO-grown Al022Ga078N with low dislocation density 査読有り
Kamiyama S, Iwaya M, Takanami S, Terao S, Miyazaki A, Amano H, Akasaki I
Physica Status Solidi A: Applied Research 192 巻 ( 0 ) 頁: 296-300 2002年