論文 - 天野 浩
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Crystallographic polarity and crystallinity characterization of polar and nonpolar GaN epitaxial films by X-ray diffraction analyses. 査読有り
Inaba Katsuhiko, Amano Hiroshi.
Physica Status Solidi B 244 巻 ( 0 ) 頁： 1775-1779 2007年
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Optical observation of discrete well width fluctuations in wide band gap III-nitride quantum well 査読有り
Haratizadeh H., Monemar B., Paskov Plamen P., Holtz Per Olof, Valcheva E., Persson P., Iwaya M., Kamiyama S., Amano H., Akasaki I.
Physica Status Solidi B 244 巻 ( 0 ) 頁： 1727-1734 2007年
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One-step lateral growth for reduction in defect density of a-plane GaN on r-sapphire substrate and its application in light emitters 査読有り
Iida D., Miura A., Okadome Y., Tsuchiya Y., Kawashima T., Nagai T., Iwaya M., Kamiyama S., Amano H., Akasaki I.
Physica Status Solidi A 204 巻 ( 0 ) 頁： 2005-2009 2007年
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High-efficiency AlGaN based UV emitters grown on high-crystalline-quality AlGaN using grooved AlN layer on sapphire substrate 査読有り
Iida K., Watanabe H., Takeda K., Nagai T., Sumii T., Nagamatsu K., Kawashima T., Balakrishnan K., Iwaya M., Kamiyama S., Amano H., Akasaki I., Bandoh A.
Physica Status Solidi A 204 巻 ( 0 ) 頁： 2000-2004 2007年
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Influence of well-width fluctuations on the electronic structure of GaN/AlxGa1-xN multiquantum wells with graded interfaces. 査読有り
Valcheva E., Dimitrov S., Monemar B., Haratizadeh H., Persson P. O. A., Amano H., Akasaki I.
Acta Physica Polonica, A 112 巻 ( 0 ) 頁： 395-400 2007年
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Origin of localized excitons in In-containing three-dimensional bulk (Al,In,Ga)N alloy films probed by time-resolved photoluminescence and monoenergetic positron annihilation techniques 査読有り
Chichibu S. F., Uedono A., Onuma T., Haskell B. A., Chakraborty A., Koyama T., Fini P. T., Keller S., Denbaars S. P., Speck J. S., Mishra U. K., Nakamura S., Yamaguchi S., Kamiyama S., Amano H., Akasaki I., Han J., Sota T.
Philosophical Magazine 87 巻 ( 0 ) 頁： 2019-2039 2007年
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Entirely crack-free ultraviolet GaN/AlGaN laser diodes grown on 2-in. Sapphire substrate. 査読有り
Yoshida Harumasa, Takagi Yasufumi, Kuwabara Masakazu, Amano Hiroshi, Kan Hirofumi.
Jpn. J. Appl. Phys. 46 巻 ( 0 ) 頁： 5782-5784 2007年
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Influence of high temperature in the growth of low dislocation content AlN bridge layers on patterned 6H-SiC substrates by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り
Balakrishnan Krishnan, Bandoh Akria, Iwaya Motoaki, Kamiyama Satoshi, Amano Hiroshi, Akasaki Isamu.
Jpn. J. Appl. Phys. 46 巻 ( 0 ) 頁： L307-L310 2007年
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Dislocations in AlN epilayers grown on sapphire substrate by high-temperature metal-organic vapor phase epitaxy 査読有り
Imura Masataka, Nakano Kiyotaka, Fujimoto Naoki, Okada Narihito, Balakrishnan Krishnan, Iwaya Motoaki, Kamiyama Satoshi, Amano Hiroshi, Akasaki Isamu, Noro Tadashi, Takagi Takashi, Bandoh Akira.
Jpn. J. Appl. Phys. 46 巻 ( 0 ) 頁： 1458-1462 2007年
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Control of threshold voltage of enhancement-mode AlxGa1-xN/GaN junction heterostructure field-effect transistors using p-GaN gate contact 査読有り
Fujii Takahiro, Tsuyukuchi Norio, Hirose Yoshikazu, Iwaya Motoaki, Kamiyama Satoshi, Amano Hiroshi, Akasaki Isamu.
Jpn. J. Appl. Phys. 46 巻 ( 0 ) 頁： 115-118 2007年
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Critical aspects of high temperature MOCVD growth of AlN epilayers on 6H-SiC substrates 査読有り
Balakrishnan K., Fujimoto N., Kitano T., Bandoh A., Imura M., Nakano K., Iwaya M., Kamiyama S., Amano H., Akasaki I., Takagi T., Noro T., Shimono K., Riemann T., Christen J.
Physica Status Solidi C 3 巻 ( 0 ) 頁： 1392-1395 2006年
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A hydrogen-related shallow donor in GaN? 査読有り
Monemar B., Paskov P. P., Bergman J. P., Iwaya M., Kamiyama S., Amano H., Akasaki I.
Physica B 376-377 巻 ( 0 ) 頁： 460-463 2006年
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Dominant shallow acceptor enhanced by oxygen doping in GaN 査読有り
Monemar B., Paskov P. P., Tuomisto F., Saarinen K., Iwaya M., Kamiyama S., Amano H., Akasaki I., Kimura S.
Physica B 376-377 巻 ( 0 ) 頁： 440-443 2006年
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Microstructure of nitrides grown on inclined c-plane sapphire and SiC substrate 査読有り
Imura M., Honshio A., Miyake Y., Nakano K., Tsuchiya N., Tsuda M., Okadome Y., Balakrishnan K., Iwaya M., Kamiyama S., Amano H., Akasaki I.
Physica B 376-377 巻 ( 0 ) 頁： 491-495 2006年
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Dominant shallow acceptor enhanced by oxygen doping in GaN 査読有り
Monemar B, Paskov P P, Tuomisto F, Saarinen K, Iwaya M, Kamiyama S, Amano H, Akasaki I, Kimura S
Physica B 376-377 巻 ( 0 ) 頁： 440-443 2006年
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6H-SiC homoepitaxial growth and optical property of boron- and nitrogen-doped donor-acceptor pair (DAP) emission on 1° -off substrate by closed-space sublimation method 査読有り
Kawai Y., Maeda T., Nakamura Y., Sakurai Y., Iwaya M., Kamiyama S., Amano H., Akasaki I., Yoshimoto M., Furusho T., Kinoshita H., Shiomi H.
Materials Science Forum 527 巻 ( 0 ) 頁： 263-266 2006年
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Improvement in light extraction efficiency in group III nitride-based light-emitting diodes using moth-eye structure 査読有り
Iwaya M., Kasugai H., Kawashima T., Iida K., Honshio A., Miyake Y., Kamiyama S., Amano H., Akasaki I.
Thin Solid Films 515 巻 ( 0 ) 頁： 768-770 2006年
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X-ray diffraction reciprocal lattice space mapping of a-plane AlGaN on GaN 査読有り
Tsuda Michinobu, Furukawa Hiroko, Honshio Akira, Iwaya Motoaki, Kamiyama Satoshi, Amano Hiroshi, Akasaki Isamu.
Physica Status Solidi B 243 巻 ( 0 ) 頁： 1524-1528 2006年
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Epitaxial lateral overgrowth of AlN layers on patterned sapphire substrates 査読有り
Nakano K., Imura M., Narita G., Kitano T., Hirose Y., Fujimoto N., Okada N., Kawashima T., Iida K., Balakrishnan K., Tsuda M., Iwaya M., Kamiyama S., Amano H., Akasaki I.
Physica Status Solidi A 203 巻 ( 0 ) 頁： 1632-1635 2006年
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Microstructure of thick AlN grown on sapphire by high-temperature MOVPE 査読有り
Imura M., Nakano K., Kitano T., Fujimoto N., Okada N., Balakrishnan K., Iwaya M., Kamiyama S., Amano H., Akasaki I., Shimono K., Noro T., Takagi T., Bandoh A.
Physica Status Solidi A 203 巻 ( 0 ) 頁： 1626-1631 2006年