論文 - 天野 浩
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Analysis of polar direction of AlN grown on (0001) sapphire and 6H-SiC substrates by high-temperature metal-organic vapor phase epitaxy using coaxial impact collision ion scattering spectroscopy 査読有り
Imura, Masataka; Ohnishi, Tsuyoshi; Sumiya, Masatomo; Liao, Meiyong; Koide, Yasuo; Amano, Hiroshi; Lippmaa, Mikk
Physica Status Solidi C 7 巻 ( 10 ) 頁: 2365-2367 2010年10月
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Atomic layer epitaxy of AlGaN 査読有り
Nagamatsu, Kentaro; Iida, Daisuke; Takeda, Kenichiro; Nagata, Kensuke; Asai, Toshiaki; Iwaya, Motoaki; Kamiyama, Satoshi; Amano, Hiroshi; Akasaki, Isamu
Physica Status Solidi C: 7 巻 ( 10 ) 頁: 2368-2370 2010年10月
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Threshold voltage control using SiNx in normally off AlGaN/GaN HFET with p-GaN gate 査読有り
Sugiyama, T.; Iida, D.; Iwaya, M.; Kamiyama, S.; Amano, H.; Akasaki, I.
Physica Status Solidi C 7 巻 ( 7-8 ) 頁: 1980-1982 2010年7月
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Nitride-based light-emitting solar cell 査読有り
Kuwahara, Y.; Fujiyama Y; Iwaya, M.; Kamiyama, S.; Amano, H.; Akasaki, I
Physica Status Solidi C 7 巻 ( 7-8 ) 頁: 1807-1809 2010年7月
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Study of two-dimensional electron gas in AlGaN channel HEMTs with high crystalline quality 査読有り
Hashimoto, Shin; Akita, Katsushi; Tanabe, Tatsuya; Nakahata, Hideaki; Takeda, Kenichiro; Amano, Hiroshi
Physica Status Solidi C 7 巻 ( 7-8 ) 頁: 1938-1940 2010年7月
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Mg-related acceptors in GaN 査読有り
Monemar, B.; Paskov, P. P.; Pozina, G.; Hemmingsson, C.; Bergman, J. P.; Amano, H.; Akasaki, I.; Figge, S.; Hommel, D.; et al.
Physica Status Solidi C 7 巻 ( 7-8 ) 頁: 1850-1852 2010年7月
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AlGaN/GaN HFETs on Fe-doped GaN substrates 査読有り
Oshimura, Yoshinori; Takeda, Kenichiro; Sugiyama, Takayuki; Iwaya, Motoaki; Kamiyama, Satoshi; Amano, Hiroshi; Akasaki, Isamu; Bandoh, Akira; Udagawa, Takashi
Physica Status Solidi C 7 巻 ( 7-8 ) 頁: 1974-1976 2010年7月
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Growth and characterization of GaN grown on moth-eye patterned sapphire substrates 査読有り
Ishihara, Akihiro; Kawai, Ryousuke; Kitano, Thukasa; Suzuki, Atushi; Kondo, Toshiyuki; Iwaya, Motoaki; Amano, Hiroshi; Kamiyama, Satoshi; Akasaki, Isamu
Physica Status Solidi C 7 巻 ( 7-8 ) 頁: 2056-2058 2010年7月
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Growth of GaInN by raised-pressure metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り
Iida, Daisuke; Nagata, Kensuke; Makino, Takafumi; Iwaya, Motoaki; Kamiyama, Satoshi; Amano, Hiroshi; Akasaki, Isamu; Bandoh, Akira; Udagawa, Takashi
Applied Physics Express 3 巻 ( 7 ) 頁: 075601/1-075601/2 2010年7月
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Growth of low-dislocation-density AlGaN using Mg-doped AlN underlying layer 査読有り
Asai, T.; Nonaka, K.; Ban, K.; Nagata, K.; Nagamatsu, K.; Iwaya, M.; Kamiyama, S.; Amano, H.; Akasaki, I.
Physica Status Solidi C 7 巻 ( 7-8 ) 頁: 2101-2103 2010年7月
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Internal quantum efficiency of GaN/AlGaN-based multi quantum wells on different dislocation densities underlying layers 査読有り
Takeda, Kenichiro; Mori, Fumiaki; Ogiso, Yuji; Ichikawa, Tomoaki; Nonaka, Kentaro; Iwaya, Motoaki; Kamiyama, Satoshi; Amano, Hiroshi; Akasaki, Isamu
Physica Status Solidi C 7 巻 ( 7-8 ) 頁: 1916-1918 2010年7月
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Improved efficiency of 255-280 nm AlGaN-based light-emitting diodes 査読有り
Pernot, Cyril; Kim, Myunghee; Fukahori, Shinya; Inazu, Tetsuhiko; Fujita, Takehiko; Nagasawa, Yosuke; Hirano, Akira; Ippommatsu, Masamichi; Iwaya, Motoaki; Kamiyama, Satoshi,Hiroshi Amano et al
Applied Physics Express 3 巻 ( 6 ) 頁: 061004/1-061004/3 2010年6月
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Compensation effect of Mg-doped a- and c-plane GaN films grown by metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り
Iida, Daisuke; Tamura, Kenta; Iwaya, Motoaki; Kamiyama, Satoshi; Amano, Hiroshi; Akasaki, Isamu
Journal of Crystal Growth 312 巻 ( 21 ) 頁: 3131-3135. 2010年6月
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Misfit strain relaxation in m-plane epitaxy of InGaN on ZnO 査読有り
Wu, Z. H.; Sun, K. W.; Wei, Q. Y.; Fischer, A. M.; Ponce, F. A.; Kawai, Y.; Iwaya, M.; Kamiyama, S.; Amano, H.; Akasaki, I.
Applied Physics Letters 96 巻 ( 7 ) 頁: 071909/1-071909/3 2010年3月
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Microstructure of AlN with two-domain structure on (001) diamond substrate grown by metal-organic vapor phase epitaxy 査読有り
Imura, Masataka, Nakajima, Kiyomi, Liao, Meiyong, Koide, Yasuo, Amano, Hiroshi
Diamond and Related Materials 19 巻 ( 0 ) 頁: 131-133 2010年2月
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High-output-power AlGaN/GaN ultraviolet-light-emitting diodes by activation of Mg-doped p-type AlGaN in oxygen ambient 査読有り
Nagata, Kengo, Ichikawa, Tomoki, Takeda, Kenichiro, Nagamatsu, Kentaro, Iwaya, Motoaki, Kamiyama, Satoshi, Amano, Hiroshi, Akasaki, Isamu
Physica Status Solidi A: 207 巻 ( 0 ) 頁: 1393-1396 2010年
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Growth mechanism of c-axis-oriented AlN on (111) diamond substrates by metal-organic vapor phase epitaxy 査読有り
Imura, Masataka, Nakajima, Kiyomi, Liao, Meiyong, Koide, Yasuo, Amano, Hiroshi
Journal of Crystal Growth 312 巻 ( 0 ) 頁: 1325-1328 2010年
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Growth mechanism of c-axis-oriented AlN on (001) diamond substrates by metal-organic vapor phase epitaxy 査読有り
Imura, Masataka, Nakajima, Kiyomi, Liao, Meiyong, Koide, Yasuo, Amano, Hiroshi
Journal of Crystal Growth 312 巻 ( 0 ) 頁: 368-372 2010年
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MOVPE法により成長したa面及びc面MgドープGaNにおける補償効果 査読有り
飯田大輔、田村健太、岩谷素顕、天野浩、上山智、赤﨑勇
312 巻 ( 21 ) 頁: 3131-3135 2010年
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Defects in highly Mg-doped AlN 査読有り
Nonaka, Kentaro, Asai, Toshiaki, Nagamatsu, Kentaro, Iwaya, Motoaki, Kamiyama, Satoshi, Amano, Hiroshi, Akasaki, Isamu
Physica Status Solidi A 207 巻 ( 0 ) 頁: 1299-1301 2010年