2024/04/22 更新

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ハットリ ケイ
服部 圭
HATTORI Kei
所属
低温プラズマ科学研究センター グリーンDXプラズマ部門 特任教授
職名
特任教授

学位 1

  1. 博士(工学) ( 2011年9月   名古屋大学 ) 

学歴 3

  1. 名古屋大学   工学研究科   電子情報システム専攻後期博士課程

    2008年10月 - 2011年9月

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    国名: 日本国

  2. 大阪大学   基礎工学研究科   物性学分野専攻博士課程前期

    1985年4月 - 1987年3月

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    国名: 日本国

  3. 大阪市立大学   工学部   応用物理学科

    1980年4月 - 1985年3月

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    国名: 日本国

所属学協会 1

  1. 日本応用物理学会

    1993年5月 - 現在

委員歴 1

  1. ドライプロセス国際シンポジウム組織委員会   プログラム委員  

    2019年1月 - 現在   

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    団体区分:学協会

 

論文 10

  1. Particle an pattern discriminant freeze-cleaning method. 査読有り

    Kei Hattori, Daisuke Matsushima, Kensuke Demura, Masaya Kamiya

    Journal of Micro/Nanolithography, MEMS, and MOEMS   19 巻 ( 4 ) 頁: 044401-1 - 044401-17   2020年9月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1117/1.JMM.19.4.044401

    DOI: 10.1117/1.JMM.19.4.044401

  2. high-Performance Decomposition and Fixiation of Dry Etching Exhaust Perfluoro-Compound Gases and Study of Their Mechanism 査読有り

    Kei Hattori, Masaaki Osato, Takeshi Maeda, Katsuya Okumura, Makoto Sekine, Masaru Hori

    Japanese Journal of Applied Physics   50 巻   頁: 117301-1 - 117301-8   2011年10月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.50.117301

    DOI: 10.1143/JJAP.50.117301

  3. Freeze point monitoring system for freeze cleaning method 国際誌

    M. Kamiya, K. Demura, M. Nakamura, K. Hattori

    Proceedings of SPIE   12325 巻   頁: 123250B-1 - 123250B-8   2022年9月

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:SPIE  

    We propose freeze cleaning as a method of photomask cleaning in which particles small enough to be embedded in the region less than 100 nm from the substrate surface, where there is virtually no fluid flow, are selectively removed without causing pattern collapse. In freeze cleaning, a high particle removal efficiency is achieved by repeating the sequence of liquid (deionized water) being poured onto the substrate, freezing, and thawing (rinsing) multiple times. Based on the mechanism of particle removal, the timings at which the water freezes, ice growth, and freezing of the entire surface are important parameters that govern freeze cleaning performance. In contrast, when these timings were monitored during repeated processing, a maximum variation of about 16% was observed. The most significant cause of these fluctuations is attributed to the process performed in a system that is open to the atmosphere at room temperature, despite the use of
    cryogenic N2 at -120°C. Even with these timing fluctuations, by developing and applying an algorithm that monitors individual changes and automatically determines step switching using this monitor information, it is possible to construct a stable and highly efficient processing system without any tool modification.

    DOI: 10.1117/12.2640652

  4. High-Dose Ion-Implanted Photoresist Stripping Technology Employing High Temperature Single-Wafer SPM System 査読有り

    K. Sasahira, S. Nakamura, K. Hamada, S. Jimbo, and K. Hattori

    ECS Transactions   108 巻 ( 4 ) 頁: 185 - 195   2022年5月

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    その他リンク: https://iopscience.iop.org/issue/1938-5862/108/4

  5. Unique freeze cleaning technology

    D. Matsuhima, K. Demura, S. Jimbo, K. Hattori

    Proceedings of SPIE   11326 巻   頁: 11326-1 - 11326-9   2020年2月

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    担当区分:最終著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  6. SiC dry etch technology employing Chemical Dry Etch

    D. Watanabe, M. Suzuki, K. Hattori

    Proceedings of international symposium on dry process 2019     頁: 151 - 152   2019年11月

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  7. Dry etching technologies for Cr film

    K. Hattori, T. Miyamoto, Y. Iino, S. Kodama, Y. Okamoto, K. Nakazawa, M. Karyu, H. Terakado, H. Shirahama, H. Ita, T. Yoshimori, H. Azumano, M. Muto, M. Iwami

    Proceedings of SPIE   10807 巻   頁: 10807-1 - 10807-6   2018年4月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  8. Dry etching characteristics of TiN film using Ar/CHF3, Ar/Cl2, and Ar/BCl3 gas chemistries in an inductively coupled plasma. 査読有り

    J. Tonotani, T. Iwamoto, F. Sato, K Hattori, S. Ohmi, H. Iwai

    Journal of Vacuum Science and Technology   B21 巻   頁: 2163 - 2168   2003年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  9. Residue-Free Etching of Al-Si-Cu Alloy Employing Magnetron Reactive Ion Etching 査読有り

    Kei Hattori, Masaru Hori, Michishige Aoyama

    Journal of the Electrochemical Society   141 巻 ( 10 ) 頁: 2825 - 2828   1994年10月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  10. Wavelength-Dependent Decay Times and Time-Dependent Spectra of the Singlet-Exciton Luminescence in Anthracene Crystals. 査読有り

    H. Nishimura, T. Yamaoka, K. Hattori, A. Matsui, K. Mizuno

    Journal of Physical Society Japan   54 巻   頁: 4370 - 4381   1985年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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講演・口頭発表等 9

  1. 半導体デバイス製造における、生産技術~前工程担当者の視点から、異分野協業(パートナーシップ構築)の重要性とその実際~ 招待有り

    服部 圭

    グリーンDXプラズマコンソーシアム2024年度第1回講習会  2024年4月19日  名古屋大学低温プラズマ科学研究センター

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    開催年月日: 2024年4月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:名古屋大学・EI創発工学館FUJIホール   国名:日本国  

  2. High-Dose Ion-Implanted Photoresist Stripping Technology Employing High Temperature Single-Wafer SPM System 国際会議

    K. Sasahira, S. Nakamura, K. Hamada, S. Jimbo, and K. Hattori

    241st ECS Meeting  2022年5月31日  The Electrochemical Society

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    開催年月日: 2022年5月 - 2022年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Vancouver, BC, Canada, and Online   国名:カナダ  

  3. Freeze point monitoring system for freeze cleaning method 国際会議

    K.Demura, M. Kamiya, M. Nakamura , and K. Hattori

    Photomask Japan 2022  2022年4月27日  Photomask Japan and SPIE

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    開催年月日: 2022年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    国名:日本国  

  4. 凍結洗浄における純水への薬液添加の影響

    中村美波,出村健介, 中村聡,神谷将也,服部圭

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月16日  日本応用物理学会

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    開催年月日: 2021年3月 - 3021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:オンライン   国名:日本国  

  5. Unique freeze cleaning technology 国際会議

    D. Matsushima, K. Demura, S. Jimbo, K. Hattori

    SPIE Advanced Lithography  2020年2月25日  SPIE

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    開催年月日: 2020年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:San Jose , California   国名:アメリカ合衆国  

  6. SiC dry etch technology employing Chemical Dry Etch. 国際会議

    D. Watanabe, M. Suzuki, K. Hattori

    International Symposium on Dry Process 2019  2019年11月22日  International Symposium on Dry Process Organizing Committee

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    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:JMS Aster Plaza, Hiroshima   国名:日本国  

  7. Dry etching technologies for Cr film 国際会議

    T. Miyamoto, Y. Iino, S. Kodama, Y. Okamoto, K. Nakazawa, M. Karyu, H. Terakado, H. Shirahama, H. Ita, T. Yoshimori, H. Azumano, M. Muto, M. Iwami, K. Hattori

    Photomask Japan 2018  2018年4月18日  Photomask Japan and SPIE

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    開催年月日: 2018年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan   国名:日本国  

  8. Expectations and prospects for new materials: From semiconductor device manufacturing viewpoint. 招待有り 国際会議

    Kei Hattori

    Semicon Japan 2016, CGMC Forum  2016年12月14日  Semi Japan

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:英語   会議種別:公開講演,セミナー,チュートリアル,講習,講義等  

    開催地:Tokyo Big Sight   国名:日本国  

  9. Residue Free Etching of Al-Si-Cu Alloys Employing Magnetron RIE. 国際会議

    K. Hattori, M. Hori, M. Aoyama

    183rd. Meeting of Electrochemical Society  1993年5月20日  The electrochemical Society

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    開催年月日: 1993年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Hilton Hawaiian Village, Honolulu, Hawaii, USA   国名:アメリカ合衆国  

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