論文 - 冨田 一義
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Ito Kenji, Iwasaki Shiro, Tomita Kazuyoshi, Kano Emi, Ikarashi Nobuyuki, Kataoka Keita, Kikuta Daigo, Narita Tetsuo
APPLIED PHYSICS EXPRESS 16 巻 ( 7 ) 2023年7月
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Narita Tetsuo, Kanechika Masakazu, Tomita Kazuyoshi, Nagasato Yoshitaka, Kondo Takeshi, Uesugi Tsutomu, Ikeda Satoshi, Kosaki Masayoshi, Oka Tohru, Suda Jun
APPLIED PHYSICS LETTERS 122 巻 ( 11 ) 頁: 113505 2023年3月
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Narita Tetsuo, Kikuta Daigo, Ito Kenji, Shoji Tomoyuki, Mori Tomohiko, Yamaguchi Satoshi, Kimoto Yasuji, Tomita Kazuyoshi, Kanechika Masakazu, Kondo Takeshi, Uesugi Tsutomu, Kojima Jun, Suda Jun, Nagasato Yoshitaka, Ikeda Satoshi, Watanabe Hiroki, Kosaki Masayoshi, Oka Tohru
2023 IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM, IRPS 2023-March 巻 2023年
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Kato Masashi, Maeda Takuto, Ito Kenji, Tomita Kazuyoshi, Narita Tetsuo, Kachi Tetsu
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 61 巻 ( 7 ) 2022年7月
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Narita Tetsuo, Kanechika Masakazu, Kojima Jun, Watanabe Hiroki, Kondo Takeshi, Uesugi Tsutomu, Yamaguchi Satoshi, Kimoto Yasuji, Tomita Kazuyoshi, Nagasato Yoshitaka, Ikeda Satoshi, Kosaki Masayoshi, Oka Tohru, Suda Jun
SCIENTIFIC REPORTS 12 巻 ( 1 ) 頁: 1458 2022年1月
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Analysis of intrinsic reverse leakage current resulting from band-to-band tunneling in dislocation-free GaN p-n junctions 査読有り 国際誌
Shoji Tomoyuki, Narita Tetsuo, Nagasato Yoshitaka, Kanechika Masakazu, Kondo Takeshi, Uesugi Tsutomu, Tomita Kazuyoshi, Ikeda Satoshi, Mori Tomohiko, Yamaguchi Satoshi, Kimoto Yasuji, Kojima Jun, Suda Jun
APPLIED PHYSICS EXPRESS 14 巻 ( 11 ) 2021年11月
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Kanegae Kazutaka, Narita Tetsuo, Tomita Kazuyoshi, Kachi Tetsu, Horita Masahiro, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun
APPLIED PHYSICS EXPRESS 14 巻 ( 9 ) 2021年9月
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Narita Tetsuo, Nagasato Yoshitaka, Kanechika Masakazu, Kondo Takeshi, Uesugi Tsutomu, Tomita Kazuyoshi, Ikeda Satoshi, Yamaguchi Satoshi, Kimoto Yasuji, Kosaki Masayoshi, Oka Tohru, Kojima Jun, Suda Jun
APPLIED PHYSICS LETTERS 118 巻 ( 25 ) 2021年6月
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Kato Masashi, Asada Takato, Maeda Takuto, Ito Kenji, Tomita Kazuyoshi, Narita Tetsuo, Kachi Tetsu
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 129 巻 ( 11 ) 2021年3月
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Analysis of channel mobility in GaN-based metal-oxide-semiconductor field-effect transistors 査読有り 国際誌
Ito Kenji, Tomita Kazuyoshi, Kikuta Daigo, Horita Masahiro, Narita Tetsuo
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 129 巻 ( 8 ) 2021年2月
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水素イオン注入n<sup>+</sup>pGaNのo.88 eV正孔トラップに対する順電流通電効果
徳田 豊, 吉田 光, 冨田 一義, 加地 徹, 伊藤 成志, 八木 孝秀
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2021.1 巻 ( 0 ) 頁: 2427 - 2427 2021年2月
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順電流注入によるp-GaN 層中のホールトラップの生成
吉田 光, 竹内 和歌奈, 徳田 豊, 成田 哲生, 冨田 一義, 加地 徹
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2021.1 巻 ( 0 ) 頁: 2428 - 2428 2021年2月
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Why do electron traps atE(C)-0.6 eV have inverse correlation with carbon concentrations in n-type GaN layers? 査読有り 国際誌
Narita Tetsuo, Horita Masahiro, Tomita Kazuyoshi, Kachi Tetsu, Suda Jun
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 59 巻 ( 10 ) 2020年10月
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Progress on and challenges of p-type formation for GaN power devices 招待有り 査読有り 国際共著 国際誌
Narita Tetsuo, Yoshida Hikaru, Tomita Kazuyoshi, Kataoka Keita, Sakurai Hideki, Horita Masahiro, Bockowski Michal, Ikarashi Nobuyuki, Suda Jun, Kachi Tetsu, Tokuda Yutaka
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 128 巻 ( 9 ) 2020年9月
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Heイオン注入によりMOVPE成長p-GaNに生成されたトラップ評価
徳田 豊, 吉田 光, 冨田 一義, 加地 徹, 伊藤 成志, 八木 孝秀
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2020.2 巻 ( 0 ) 頁: 1911 - 1911 2020年8月
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長時間熱処理されたMOVPE p-GaNの順バイアスDLTS測定
吉田 光, 竹内 和歌奈, 徳田 豊, 成田 哲生, 冨田 一義, 加地 徹
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2020.2 巻 ( 0 ) 頁: 1908 - 1908 2020年8月
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Kanegae Kazutaka, Narita Tetsuo, Tomita Kazuyoshi, Kachi Tetsu, Horitata Masahiro, Kimoto Tsunenobu, Suda Jun
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 59 巻 ( SG ) 2020年4月
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高温熱処理されたMOVPE p-GaNの浅い準位の評価
吉田 光, 寺部 知世, 安井 裕喜, 竹内 和歌奈, 徳田 豊, 成田 哲生, 冨田 一義, 加地 徹
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2020.1 巻 ( 0 ) 頁: 2799 - 2799 2020年2月
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Overview of carrier compensation in GaN layers grown by MOVPE: toward the application of vertical power devices 招待有り 査読有り 国際誌
Narita Tetsuo, Tomita Kazuyoshi, Kataoka Keita, Tokuda Yutaka, Kogiso Tatsuya, Yoshida Hikaru, Ikarashi Nobuyuki, Iwata Kenji, Nagao Masahiro, Sawada Naoki, Horita Masahiro, Suda Jun, Kachi Tetsu
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 59 巻 ( SA ) 2020年1月
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GaN基板上MOVPE p-GaNのH<sub>d </sub>(E<sub>v</sub>+0.88 eV)トラップ濃度面内分布
吉田 光, 竹内 和歌奈, 徳田 豊, 成田 哲生, 冨田 一義, 加地 徹
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2019.2 巻 ( 0 ) 頁: 3216 - 3216 2019年9月
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Kogiso Tatsuya, Narita Tetsuo, Yoshida Hikaru, Tokuda Yutaka, Tomita Kazuyoshi, Kachi Tetsu
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58 巻 ( SC ) 2019年6月
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Iwata Kenji, Narita Tetsuo, Nagao Masahiro, Tomita Kazuyoshi, Kataoka Keita, Kachi Tetsu, Ikarashi Nobuyuki
APPLIED PHYSICS EXPRESS 12 巻 ( 3 ) 2019年3月
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GaN基板上MOVPE p-GaNの浅い準位の評価
吉田 光, 小木曽 達也, 徳田 豊, 成田 哲生, 冨田 一義, 加地 徹
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2019.1 巻 ( 0 ) 頁: 2911 - 2911 2019年2月
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Narita Tetsuo, Tomita Kazuyoshi, Yamada Shinji, Kachi Tetsu
APPLIED PHYSICS EXPRESS 12 巻 ( 1 ) 2019年1月
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The origin of carbon-related carrier compensation in p-type GaN layers grown by MOVPE 査読有り
Narita Tetsuo, Tomita Kazuyoshi, Tokuda Yutaka, Kogiso Tatsuya, Horita Masahiro, Kachi Tetsu
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 124 巻 ( 21 ) 2018年12月
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Wide range doping control and defect characterization of GaN layers with various Mg concentrations 査読有り 国際誌
Narita Tetsuo, Ikarashi Nobuyuki, Tomita Kazuyoshi, Kataoka Keita, Kachi Tetsu
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 124 巻 ( 16 ) 2018年10月
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GaN基板上MOVPE p-GaNの炭素関連トラップ
小木曽 達也, 吉田 光, 徳田 豊, 成田 哲生, 冨田 一義, 加地 徹
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018.2 巻 ( 0 ) 頁: 3036 - 3036 2018年9月
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異なる気相成長法によるGaN基板上n-GaN中トラップの比較
伊藤 俊, 徳田 豊, 成田 哲生, 木村 大至, 中村 大輔, 冨田 一義, 加地 徹
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018.2 巻 ( 0 ) 頁: 2994 - 2994 2018年9月
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The trap states in lightly Mg-doped GaN grown by MOVPE on a freestanding GaN substrate 査読有り
Narita Tetsuo, Tokuda Yutaka, Kogiso Tatsuya, Tomita Kazuyoshi, Kachi Tetsu
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 123 巻 ( 16 ) 2018年4月
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低周波容量DLTS測定によるMOCVD p-GaNのトラップ評価
小木曽 達也, 徳田 豊, 成田 哲生, 冨田 一義, 加地 徹
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018.1 巻 ( 0 ) 頁: 3320 - 3320 2018年3月