講演・口頭発表等 - 白石 賢二
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Charge Traps in H Incorporated SiN in 3D NAND Memories 国際会議
F. Nanataki, A. Oshiyama, K. Shiraishi
53rd IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference 2022年12月8日
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Physics in Very Shallow Trap Formation at SiC/SiO2 Interfaces 国際会議
K. Shiraishi, K. Chokawa
53rd IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference 2022年12月8日
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AlN・InN MOVPE成長におけるTMA・TMI分解経路の理論的解析
長嶋佑哉,赤石大地,新田州吾,草場彰,寒川義裕,白石賢二
第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会 2022年11月24日
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MOVPE成長過程におけるTMAとTMI分解に関する第一原計算
長嶋佑哉,赤石大地,新田州吾,草場彰,寒川義裕,白石賢二
第41回電子材料シンポジウム 2022年10月21日
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レート方程式による GaN MOVPE の成長シミュレーション
佐野雅季,長嶋佑哉,草場彰,寒川義裕,白石賢二
第41回電子材料シンポジウム 2022年10月21日
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Microscopic Physical Origin of Charge Traps in 3D NAND Flash Memories 国際会議
F. Nanataki, J. Iwata, K. Chokawa, M. Araidai, A. Oshiyama, K. Shiraishi
International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM2022) 2022年9月28日
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Impact of Grain Boundaries in MgO Layer on Data Retention Performance of STT-MRAM 国際会議
K. Morishita, Y. Harashima, M. Araidai, T. Endoh, K. Shiraishi
International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM2022) 2022年9月29日
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Theoretical Study of the Influence of GaOx Layer on the SiO2/GaN Interface 国際会議
S. Hattori, A. Oshiyama, S. Miyazaki, H. Watanabe, K. Ueno, R. Tanaka, T. Kondo, S. Takashima, M. Edo, K. Shiraishi
International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM2022) 2022年9月28日
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カリウムイオンエレクトレット内での水素原子の拡散経路
大畑慶記,洗平昌晃,石黒巧真,三屋裕幸,年吉洋,柴田泰,橋口原,白石賢二
第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月21日
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磁気トンネル接合内のFe/MgO/Fe構造内の水素不純物が界面垂直磁気異方性に与える影響
名和卓哉,森下佳祐,洗平昌晃,遠藤哲郎,白石賢二
第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月21日
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第一原理計算によるSiO2/GaN界面の中間層の研究
服部柊人,押山淳,白石賢二,宮崎誠一,渡部平司,上野勝典,田中亮,近藤剣,高島信也,江戸雅晴
第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月22日
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First-principles study of the effect of hydrogen on potassium-ion electrets 国際会議
Y. Ohata, M. Araidai, T. Ishiguro, H. Mitsuya, H. Toshiyoshi, Y. Shibata, G. Hashiguchi, K. Shiraishi
9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces 2022年9月6日
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First Principles Studies on the Effect of Grain Boundaries in MgO on Interfacial Perpendicular Magnetic Anisotropy Energy at Fe/MgO Interface in STT-MRAM
2022年3月24日
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カリウムイオンエレクトレットの高性能化の指針と水素の影響の理論検討
大畑慶記，中西徹，長川健太，洗平昌晃，石黒巧真，三屋裕幸，年吉洋，芝田泰，橋口原，白石賢二
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月26日
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熱力学的解析によるp型GaNのHVPE法におけるキャリアガスの特定
長嶋佑哉，木村友哉，洗平昌晃，長川健太，草場彰，寒川義裕，白石賢二
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月25日
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強誘電HfO2薄膜の安定性と誘電特性：第一原理計算による検討
牧芳和，新井千慧，洗平昌晃，白石賢二，中山隆史
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月24日
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4H-SiC/SiO2界面での窒素酸化物およびアンモニアの反応機構の理論的検討
秋山亨，清水紀志，伊藤智徳，影島博之，白石賢二
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月24日
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GaN/SiO2界面のホールトラップの原因の理論的究明とその対策
服部柊人，長川健太，押山淳，白石賢二
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月24日
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MgO中の粒界がSTT-MRAMのFe/MgOの界面垂直磁気異方性に与える影響の理論的研究
森下佳祐，原嶋庸介，洗平昌晃，遠藤哲郎，白石賢二
第27回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 2022年1月28日
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CVD 成長環境下における SiC 微斜面への水素被覆の理論研究
木村友哉，長川健太，押山淳，白石賢二
第27回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 2022年1月29日