論文 - 坂下 満男
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Pr(EtCp)3を用いたMOCVD法によるPr酸化膜の作製およびその電気的特性の評価
松井裕高,櫻井晋也,近藤博基,坂下満男,財満鎭明
ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- 頁: 125-128 2009年1月
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Thermal Stability and Scalability of Mictamict Ti–Si–N Metal–Oxide–Semiconductor Gate Electrodes 査読有り
H. Kondo, K. Furumai, M. Sakashita, A. Sakai, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 48 巻 頁: 04C012-1-5 2009年
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Pt(EtCp)3を用いた原子層堆積法によるPr酸化膜の形成
近藤博基, 古田和也, 松井裕高, 坂下満男, 財満鎭明
信学技報 109 巻 頁: 81-85 2009年
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LaAlO/Ge構造へのALD-Al2O3界面制御層挿入の効果
坂下満男, 加藤亮祐, 京極真也, 近藤博基, 財満鎭明
信学技報 109 巻 頁: 61-66 2009年
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ラジカル窒化法によるHigh-k/Ge界面構造制御
加藤公彦, 近藤博基, 坂下満男, 財満鎭明
信学技報 109 巻 頁: 39-44 2009年
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Effects of Atomic Layer Deposition-Al2O3 Interface Layers on Interfacial Properties of Ge Metal–Oxide–Semiconductor Capacitors 査読有り
R. Kato, S. Kyogoku, M. Sakashita, H. Kondo, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 48 巻 頁: 05DA04-1-4 2009年
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Crystalline and electrical properties of mictamict TiSiN gate MOS capacitors 査読有り
K. Furumai, H. Kondo, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys 47 巻 ( 4 ) 頁: 2420-2424 2008年
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Silicide and germanide technology for contacts and gates in MOSFET applications 査読有り
S. Zaima, O. Nakatsuka, H. Kondo, M. Sakashita, A. Sakai, and M. Ogawa
517 巻 頁: 80-83 2008年
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Behavior of Local Charge Trapping Sites in La2O3-Al2O3 Composite Films under Constant Voltage Stress 査読有り
T. Sago, A. Seko, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys 46 巻 ( 4B ) 頁: 1879-1884 2007年
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Ge基板上へのPr酸化膜の作製と評価
坂下満男、鬼頭伸幸、酒井 朗、小川正毅、財満鎭明
信学技報 107 巻 ( 85 ) 頁: 107-111 2007年
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Composition Dependence of Work Function in Metal (Ni,Pt) Germanide Gate Electrodes 査読有り
D. Ikeno, Y. Kaneko, H. Kondo, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 46 巻 ( 4B ) 頁: 1865-1869 2007年
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Film Structures and Electrical Properties of Pr Silicate Formed by Pulsed Laser Deposition 査読有り
K. Ariyoshi, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 45 巻 頁: 2903-2907 2006年
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電流検出型原子間力顕微鏡を用いた極薄ゲート絶縁膜の信頼性評価
世古明義, 坂下満男, 酒井朗, 財満鎭明
日本信頼性学会誌「信頼性」 28 巻 ( 3 ) 頁: 163-174 2006年
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La2O3-Al2O3複合膜における定電圧ストレス印加時の局所的な電荷捕獲とその放出過程 査読有り
佐合寿文, 世古明義, 坂下満男, 酒井朗, 小川正毅, 財満鎭明
信学技報 106 巻 頁: 19 2006年
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Characterization of Local Current Leakage in La2O3-Al2O3 Composite Films by Conductive Atomic Force Microscopy 査読有り
A. Seko, T. Sago, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 45 巻 頁: 2954-2960 2006年
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Thermal Stability and Electrical Properties of (La2O3)1-x(Al2O3)x Composite Films 査読有り
R. Fujitsuka, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima, and Y. Yasuda
Jpn. J. Appl. Phys. 44 巻 頁: 2428-2432 2005年
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電流検出型原子間力顕微鏡を用いたLa2O3-Al2O3複合膜の局所リーク電流評価 査読有り
世古明義, 佐合寿文, 藤塚良太, 坂下満男, 酒井朗, 小川正毅, 財満鎭明
信学技報 104 巻 頁: 35 2005年
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Fabrication and Evaluation of Floating Gate Memories with Surface-Nitrided Si Nanocrystals 査読有り
S. Naito, T. Ueyama, H. Kondo, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 44 巻 頁: 5687-5691 2005年
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Pulsed Laser Deposition and Analysis for Structural and Electrical Properties of HfO2-TiO2 Composite Films 査読有り
K. Honda, A. Sakai, M. Sakashita, H. Ikeda, S. Zaima, and Y. Yasuda
Jpn. J. Appl. Phys. 43 巻 頁: 1571-1576 2004年
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Praseodymium silicate formed by postdeposition high-temperature annealing 査読有り
A. Sakai, S. Sakashita, M. Sakashita, Y. Yasuda, S. Zaima, and S. Miyazaki
Appl. Phys. Lett. 85 巻 頁: 5322-5324 2004年